현재 저희 회사는 8인치 N형 SiC 웨이퍼 소량 생산을 계속 진행하고 있습니다. 샘플이 필요하시면 언제든지 문의해 주세요. 샘플 웨이퍼를 몇 개 준비해 두었습니다.
반도체 소재 분야에서 회사는 대형 SiC 결정 연구 개발에서 획기적인 진전을 이루었습니다. 여러 차례의 직경 확대 후 자체 시드 결정을 사용하여 8인치 N형 SiC 결정을 성공적으로 성장시켰습니다. 이를 통해 8인치 SIC 결정 성장 과정에서 발생하는 온도장 불균일, 결정 균열, 기상 원료 분포 등의 난제를 해결하고, 대형 SIC 결정 성장과 자율 제어 가능한 공정 기술을 가속화했습니다. 이를 통해 SiC 단결정 기판 산업에서 회사의 핵심 경쟁력을 크게 강화했습니다. 또한, 대형 탄화규소 기판 제조 실험 라인의 기술 및 공정 축적을 적극적으로 추진하고, 상·하류 분야의 기술 교류 및 산업 협력을 강화하며, 고객과 협력하여 제품 성능을 지속적으로 개선하고, 탄화규소 소재의 산업 응용 속도를 공동으로 향상시키고 있습니다.
| 8인치 N형 SiC DSP 사양 | |||||
| 숫자 | 목 | 단위 | 생산 | 연구 | 더미 |
| 1. 매개변수 | |||||
| 1.1 | 폴리타입 | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | 표면 방향 | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. 전기적 매개변수 | |||||
| 2.1 | 도펀트 | -- | n형 질소 | n형 질소 | n형 질소 |
| 2.2 | 저항률 | 옴·cm | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3. 기계적 매개변수 | |||||
| 3.1 | 지름 | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | 두께 | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | 노치 방향 | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | 노치 깊이 | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | 티티비 | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | 절하다 | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | 경사 | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | 원자현미경 | nm | 라≤0.2 | 라≤0.2 | 라≤0.2 |
| 4. 구조 | |||||
| 4.1 | 마이크로파이프 밀도 | 개/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | 금속 함량 | 원자/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | 티에스디 | 개/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | 경계성 인격 장애 | 개/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | 테드 | 개/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. 긍정적인 품질 | |||||
| 5.1 | 앞쪽 | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | 표면 마감 | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | 입자 | 개/웨이퍼 | ≤100(크기≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | 할퀴다 | 개/웨이퍼 | ≤5, 총 길이 ≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | 가장자리 칩/움푹 들어간 부분/균열/얼룩/오염 | -- | 없음 | 없음 | NA |
| 5.6 | 폴리타입 영역 | -- | 없음 | 면적 ≤10% | 면적 ≤30% |
| 5.7 | 앞면 표시 | -- | 없음 | 없음 | 없음 |
| 6. 뒷면 품질 | |||||
| 6.1 | 뒷면 마감 | -- | C-페이스 MP | C-페이스 MP | C-페이스 MP |
| 6.2 | 할퀴다 | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | 뒤쪽 결함 가장자리 칩/움푹 들어간 부분 | -- | 없음 | 없음 | NA |
| 6.4 | 뒷면 거칠기 | nm | 라≤5 | 라≤5 | 라≤5 |
| 6.5 | 백 마킹 | -- | 골짜기 | 골짜기 | 골짜기 |
| 7. 엣지 | |||||
| 7.1 | 가장자리 | -- | 모따기 | 모따기 | 모따기 |
| 8. 패키지 | |||||
| 8.1 | 포장 | -- | 진공 기능이 있는 Epi-ready 포장 | 진공 기능이 있는 Epi-ready 포장 | 진공 기능이 있는 Epi-ready 포장 |
| 8.2 | 포장 | -- | 멀티웨이퍼 카세트 포장 | 멀티웨이퍼 카세트 포장 | 멀티웨이퍼 카세트 포장 |
게시 시간: 2023년 4월 18일