회사 소식
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LiTaO3 웨이퍼 PIC — 온칩 비선형 광자학을 위한 저손실 리튬 탄탈레이트-온-절연체 도파관
요약: 본 연구에서는 손실이 0.28 dB/cm이고 링 공진기 품질 계수가 110만인 1550 nm 절연체 기반 리튬 탄탈레이트 도파관을 개발했습니다. 비선형 광자학에서 χ(3) 비선형성의 응용을 연구했습니다. 리튬 니오베이트의 장점...더 읽어보기 -
XKH(지식 공유) - 웨이퍼 다이싱 기술이란 무엇인가요?
반도체 제조 공정에서 매우 중요한 단계인 웨이퍼 다이싱 기술은 칩 성능, 수율 및 생산 비용과 직접적인 관련이 있습니다. #01 웨이퍼 다이싱의 배경 및 중요성 1.1 웨이퍼 다이싱의 정의 웨이퍼 다이싱(스크리닝이라고도 함)은...더 읽어보기 -
박막 리튬 탄탈레이트(LTOI): 고속 변조기의 차세대 핵심 소재인가?
박막 리튬 탄탈레이트(LTOI) 소재는 집적 광학 분야에서 중요한 신소재로 부상하고 있습니다. 올해 상하이 광학 연구소의 신 오우(Xin Ou) 교수가 제공한 고품질 LTOI 웨이퍼를 활용하여 LTOI 변조기에 관한 여러 수준 높은 연구 결과가 발표되었습니다.더 읽어보기 -
웨이퍼 제조 공정에서 SPC 시스템에 대한 심층적인 이해
SPC(통계적 공정 관리)는 웨이퍼 제조 공정에서 매우 중요한 도구로, 제조 과정의 다양한 단계에서 안정성을 모니터링, 제어 및 개선하는 데 사용됩니다. 1. SPC 시스템 개요 SPC는 통계적 방법을 사용하여...더 읽어보기 -
웨이퍼 기판에서 에피택시 공정을 수행하는 이유는 무엇입니까?
실리콘 웨이퍼 기판 위에 실리콘 원자층을 추가로 성장시키는 것은 여러 가지 장점이 있습니다. CMOS 실리콘 공정에서 웨이퍼 기판 위의 에피택셜 성장(EPI)은 매우 중요한 공정 단계입니다. 1. 결정 품질 향상...더 읽어보기 -
웨이퍼 세척의 원리, 공정, 방법 및 장비
습식 세척(Wet Clean)은 반도체 제조 공정에서 매우 중요한 단계 중 하나로, 웨이퍼 표면에서 다양한 오염 물질을 제거하여 후속 공정이 깨끗한 표면에서 수행될 수 있도록 하는 것을 목표로 합니다.더 읽어보기 -
결정면과 결정 방향 사이의 관계.
결정면과 결정 방향은 결정학의 두 가지 핵심 개념으로, 실리콘 기반 집적 회로 기술의 결정 구조와 밀접한 관련이 있습니다. 1. 결정 방향의 정의 및 속성 결정 방향은 특정 방향을 나타냅니다...더 읽어보기