직경 300mm, 두께 750μm, 4H-N 타입의 12인치 SiC 기판은 맞춤 제작이 가능합니다.

1. 생산 능력 및 비용 우위: 12인치 SiC 기판(12인치 탄화규소 기판)의 대량 생산은 반도체 제조에 새로운 시대를 열었습니다. 단일 웨이퍼에서 생산 가능한 칩의 수가 8인치 기판 대비 2.25배 증가하여 생산 효율이 크게 향상되었습니다. 고객 피드백에 따르면 12인치 기판 도입으로 전력 모듈 생산 비용이 28% 절감되어 치열한 경쟁 시장에서 결정적인 경쟁 우위를 확보할 수 있었습니다.
2. 탁월한 물리적 특성: 12인치 SiC 기판은 탄화규소 소재의 모든 장점을 계승합니다. 열전도율은 실리콘의 3배에 달하고, 절연 파괴 강도는 실리콘의 10배에 이릅니다. 이러한 특성 덕분에 12인치 기판 기반 소자는 200°C 이상의 고온 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있어 전기 자동차와 같은 극한 환경 조건에 특히 적합합니다.
3. 표면 처리 기술: 당사는 12인치 SiC 기판에 특화된 새로운 화학 기계적 연마(CMP) 공정을 개발하여 원자 수준의 표면 평탄도(Ra<0.15nm)를 달성했습니다. 이 획기적인 기술은 대구경 실리콘 카바이드 웨이퍼 표면 처리의 세계적인 난제를 해결하고 고품질 에피택셜 성장을 위한 장애물을 제거합니다.
4. 열 관리 성능: 실제 적용 사례에서 12인치 SiC 기판은 탁월한 열 방출 능력을 보여줍니다. 테스트 데이터에 따르면 동일한 전력 밀도에서 12인치 기판을 사용하는 장치는 실리콘 기반 장치보다 40~50°C 낮은 온도에서 작동하여 장비 수명을 크게 연장합니다.