3인치 고순도 반절연(HPSI) SiC 웨이퍼 350um 더미 등급 프라임 등급
애플리케이션
HPSI SiC 웨이퍼는 다양한 고성능 애플리케이션에 사용되는 차세대 전력 장치를 구현하는 데 핵심적인 역할을 합니다.
전력 변환 시스템: SiC 웨이퍼는 전력 MOSFET, 다이오드, IGBT와 같은 전력 소자의 핵심 소재로 사용되며, 이러한 소자는 전기 회로에서 효율적인 전력 변환에 매우 중요합니다. 이러한 부품들은 고효율 전원 공급 장치, 모터 드라이브, 산업용 인버터 등에 사용됩니다.
전기 자동차(EV):전기 자동차에 대한 수요가 증가함에 따라 더욱 효율적인 전력 전자 장치의 사용이 필수적이며, SiC 웨이퍼는 이러한 변화의 최전선에 있습니다. 전기차 파워트레인에서 SiC 웨이퍼는 높은 효율성과 빠른 스위칭 속도를 제공하여 충전 시간 단축, 주행 거리 증가, 그리고 전반적인 차량 성능 향상에 기여합니다.
재생 에너지:태양광 및 풍력 발전과 같은 재생 에너지 시스템에서 SiC 웨이퍼는 보다 효율적인 에너지 포착 및 분배를 가능하게 하는 인버터 및 컨버터에 사용됩니다. SiC의 높은 열전도율과 우수한 절연 파괴 전압은 이러한 시스템이 극한의 환경 조건에서도 안정적으로 작동하도록 보장합니다.
산업 자동화 및 로봇 공학:산업 자동화 시스템 및 로봇 공학 분야의 고성능 전력 전자 장치는 빠른 스위칭 속도, 대용량 전력 처리 능력, 그리고 극한 환경에서도 작동 가능한 소자를 필요로 합니다. SiC 기반 반도체는 이러한 요구 사항을 충족하며, 열악한 작동 환경에서도 높은 효율성과 견고성을 제공합니다.
통신 시스템:통신 인프라처럼 높은 신뢰성과 효율적인 에너지 변환이 필수적인 분야에서 SiC 웨이퍼는 전원 공급 장치와 DC-DC 컨버터에 사용됩니다. SiC 소자는 데이터 센터와 통신 네트워크에서 에너지 소비를 줄이고 시스템 성능을 향상시키는 데 도움을 줍니다.
HPSI SiC 웨이퍼는 고출력 애플리케이션을 위한 견고한 기반을 제공함으로써 에너지 효율적인 장치 개발을 가능하게 하고, 산업계가 더욱 친환경적이고 지속 가능한 솔루션으로 전환하는 데 도움을 줍니다.
속성
| 오퍼티 | 생산 등급 | 연구용 등급 | 더미 등급 |
| 지름 | 75.0mm ± 0.5mm | 75.0mm ± 0.5mm | 75.0mm ± 0.5mm |
| 두께 | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| 웨이퍼 방향 | 축상: <0001> ± 0.5° | 축상: <0001> ± 2.0° | 축상: <0001> ± 2.0° |
| 웨이퍼 95%에 대한 마이크로파이프 밀도(MPD) | ≤ 1 cm⁻² | ≤ 5cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| 전기저항 | ≥ 1E7 Ω·cm | ≥ 1E6 Ω·cm | ≥ 1E5 Ω·cm |
| 도펀트 | 도핑되지 않음 | 도핑되지 않음 | 도핑되지 않음 |
| 기본 평면 방향 | {11-20} ± 5.0° | {11-20} ± 5.0° | {11-20} ± 5.0° |
| 기본 평면 길이 | 32.5mm ± 3.0mm | 32.5mm ± 3.0mm | 32.5mm ± 3.0mm |
| 보조 평면 길이 | 18.0mm ± 2.0mm | 18.0mm ± 2.0mm | 18.0mm ± 2.0mm |
| 보조 평면 방향 | 실리콘 면이 위로 향함: 기본 평면에서 시계 방향으로 90° ± 5.0° | 실리콘 면이 위로 향함: 기본 평면에서 시계 방향으로 90° ± 5.0° | 실리콘 면이 위로 향함: 기본 평면에서 시계 방향으로 90° ± 5.0° |
| 에지 제외 | 3mm | 3mm | 3mm |
| LTV/TTV/보우/워프 | 3μm / 10μm / ±30μm / 40μm | 3μm / 10μm / ±30μm / 40μm | 5μm / 15μm / ±40μm / 45μm |
| 표면 거칠기 | C면: 연마 처리, Si면: CMP 처리 | C면: 연마 처리, Si면: CMP 처리 | C면: 연마 처리, Si면: CMP 처리 |
| 균열 (고강도 조명으로 검사) | 없음 | 없음 | 없음 |
| 육각형 판 (고강도 조명으로 검사) | 없음 | 없음 | 누적 면적 10% |
| 다형성 영역(고강도 조명으로 검사) | 누적 면적 5% | 누적 면적 5% | 누적 면적 10% |
| 긁힘 자국 (고강도 조명으로 검사) | 스크래치 5개 이하, 총 길이 150mm 이하 | 긁힘 자국 10개 이하, 총 길이 200mm 이하 | 긁힘 자국 10개 이하, 총 길이 200mm 이하 |
| 엣지 치핑 | 너비와 깊이가 0.5mm 이상인 것은 허용되지 않습니다. | 2개 허용, 너비 및 깊이 ≤ 1mm | 최대 5개 허용, 너비 및 깊이 ≤ 5mm |
| 표면 오염 (고강도 조명을 이용한 검사) | 없음 | 없음 | 없음 |
주요 장점
탁월한 열 성능: SiC의 높은 열전도율은 전력 소자의 효율적인 열 방출을 보장하여 과열 없이 더 높은 전력 수준과 주파수에서 작동할 수 있도록 합니다. 이는 더 작고 효율적인 시스템과 더 긴 작동 수명으로 이어집니다.
높은 항복 전압: 실리콘보다 밴드갭이 넓은 SiC 웨이퍼는 고전압 응용 분야를 지원하므로 전기 자동차, 전력망 시스템 및 신재생 에너지 시스템과 같이 높은 항복 전압을 견뎌야 하는 전력 전자 부품에 이상적입니다.
전력 손실 감소: SiC 소자의 낮은 온 저항과 빠른 스위칭 속도는 작동 중 에너지 손실을 줄여줍니다. 이는 효율성을 향상시킬 뿐만 아니라, SiC 소자가 사용되는 시스템의 전반적인 에너지 절감 효과를 증대시킵니다.
극한 환경에서의 향상된 신뢰성: SiC는 견고한 소재 특성 덕분에 고온(최대 600°C), 고전압, 고주파와 같은 극한 조건에서도 작동할 수 있습니다. 이러한 특성으로 인해 SiC 웨이퍼는 까다로운 산업, 자동차 및 에너지 분야에 적합합니다.
에너지 효율성: SiC 소자는 기존 실리콘 기반 소자보다 높은 전력 밀도를 제공하여 전력 전자 시스템의 크기와 무게를 줄이는 동시에 전반적인 효율성을 향상시킵니다. 이는 재생 에너지 및 전기 자동차와 같은 분야에서 비용 절감과 환경 발자국 감소로 이어집니다.
확장성: HPSI SiC 웨이퍼는 3인치 직경과 정밀한 제조 공차를 통해 대량 생산에 적합하도록 설계되어 연구 및 상업 생산 요구 사항을 모두 충족합니다.
결론
직경 3인치, 두께 350µm ± 25µm의 HPSI SiC 웨이퍼는 차세대 고성능 전력 전자 장치에 최적의 소재입니다. 뛰어난 열전도율, 높은 항복 전압, 낮은 에너지 손실, 그리고 극한 조건에서도 안정적인 성능을 자랑하는 이 웨이퍼는 전력 변환, 신재생 에너지, 전기 자동차, 산업 시스템, 통신 등 다양한 분야에서 필수적인 부품으로 자리매김하고 있습니다.
이 SiC 웨이퍼는 특히 효율성 향상, 에너지 절감 효과 증대, 시스템 신뢰성 개선을 추구하는 산업 분야에 적합합니다. 전력 전자 기술이 지속적으로 발전함에 따라, HPSI SiC 웨이퍼는 차세대 에너지 효율 솔루션 개발의 기반을 제공하여 더욱 지속 가능하고 저탄소 미래로의 전환을 주도합니다.
상세도
