직경 150mm, 4H-N 6인치 SiC 기판 (생산 및 더미 등급)

간략한 설명:

탄화규소(SiC)는 주기율표 4족에서 유일하게 안정적인 고체 화합물인 4족-4족 이원 화합물로, 중요한 반도체 소재입니다. 뛰어난 열적, 기계적, 화학적, 전기적 특성을 지니고 있어 고온, 고주파, 고출력 전자 소자 생산에 적합한 고품질 소재일 뿐만 아니라, GaN 기반 청색 발광 다이오드의 기판 소재로도 사용될 수 있습니다. 현재 기판으로 사용되는 탄화규소는 4H계이며, 전도성은 반절연형(비도핑, 도핑)과 N형으로 나뉩니다.


특징

6인치 탄화규소 MOSFET 웨이퍼의 주요 특징은 다음과 같습니다.

고전압 내성: 탄화규소는 높은 절연 파괴 전기장을 가지고 있어 6인치 탄화규소 MOSFET 웨이퍼는 고전압 내성을 갖추고 있어 고전압 응용 분야에 적합합니다.

높은 전류 밀도: 탄화규소는 전자 이동도가 높아 6인치 탄화규소 MOSFET 웨이퍼는 더 높은 전류 밀도를 가지므로 더 큰 전류를 견딜 수 있습니다.

높은 동작 주파수: 탄화규소는 전하 이동도가 낮아 6인치 탄화규소 MOSFET 웨이퍼는 높은 동작 주파수를 가지므로 고주파 응용 분야에 적합합니다.

우수한 열 안정성: 탄화규소는 열전도율이 높아 6인치 탄화규소 MOSFET 웨이퍼는 고온 환경에서도 우수한 성능을 유지합니다.

6인치 실리콘 카바이드 MOSFET 웨이퍼는 변압기, 정류기, 인버터, 전력 증폭기 등을 포함한 전력 전자 분야, 태양광 인버터, 신에너지 자동차 충전, 철도 운송, 연료 전지용 고속 공기 압축기, DC-DC 컨버터(DCDC), 전기 자동차 모터 구동 및 데이터 센터 분야의 디지털화 추세 등 광범위한 응용 분야에서 널리 사용됩니다.

저희는 4H-N 6인치 SiC 기판을 비롯한 다양한 등급의 기판 재고 웨이퍼를 제공합니다. 또한 고객의 요구에 따라 맞춤 제작도 가능합니다. 문의 환영합니다!

상세도

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