SiC 기판 직경 200mm 4H-N 및 HPSI 탄화규소

4H-N 및 HPSI는 탄화규소(SiC)의 다형체로, 탄소 원자 4개와 실리콘 원자 4개로 이루어진 육각형 단위의 결정 격자 구조를 가지고 있습니다. 이러한 구조 덕분에 4H-N 및 HPSI는 우수한 전자 이동도와 항복 전압 특성을 나타냅니다. 모든 SiC 다형체 중에서 4H-N 및 HPSI는 균형 잡힌 전자 및 정공 이동도와 높은 열전도율로 인해 전력 전자 분야에서 널리 사용됩니다.

8인치 SiC 기판의 등장은 전력 반도체 산업에 있어 중요한 진전입니다. 기존 실리콘 기반 반도체 소재는 고온 및 고전압과 같은 극한 조건에서 성능이 크게 저하되는 반면, SiC 기판은 우수한 성능을 유지할 수 있습니다. 소형 기판에 비해 8인치 SiC 기판은 더 넓은 단일 가공 면적을 제공하여 생산 효율성을 높이고 비용을 절감할 수 있으며, 이는 SiC 기술의 상용화를 촉진하는 데 매우 중요합니다.

8인치 탄화규소(SiC) 기판 성장 기술은 극도로 높은 정밀도와 순도를 요구합니다. 기판 품질은 후속 장치의 성능에 직접적인 영향을 미치므로, 제조업체는 기판의 결정 구조가 완벽하고 결함 밀도가 낮은지 확인하기 위해 첨단 기술을 활용해야 합니다. 일반적으로 이러한 기술에는 복잡한 화학 기상 증착(CVD) 공정과 정밀한 결정 성장 및 절단 기술이 포함됩니다. 4H-N 및 HPSI SiC 기판은 고효율 전력 변환기, 전기 자동차용 트랙션 인버터, 신재생 에너지 시스템 등 전력 전자 분야에서 특히 널리 사용됩니다.

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