SiCOI 웨이퍼 4인치 6인치 HPSI SiC SiO2 Si 기판 구조

전기적 특성 넓은 밴드갭(4H-SiC의 경우 3.2 eV): 높은 항복 전압(실리콘보다 10배 이상 높음)을 구현하여 누설 전류를 줄이고 전력 소자의 효율을 향상시킵니다.

높은 전자 이동도:약 900 cm²/V·s(4H-SiC) 대 약 1,400 cm²/V·s(Si), 하지만 고전계 성능은 더 우수합니다.

낮은 온 저항:SiCOI 기반 트랜지스터(예: MOSFET)는 전도 손실이 더 낮습니다.

뛰어난 단열 성능:매몰 산화막(SiO₂) 또는 다이아몬드 층은 기생 정전 용량과 누화를 최소화합니다.

1. 열적 특성높은 열전도율: SiC(4H-SiC의 경우 약 490 W/m·K) 대 Si(약 150 W/m·K). 다이아몬드(절연체로 사용될 경우)는 2,000 W/m·K를 초과할 수 있어 열 방출을 향상시킵니다.

열 안정성:300°C 이상의 고온에서도 안정적으로 작동합니다(실리콘은 약 150°C). 전력 전자 장치의 냉각 요구 사항을 줄여줍니다.

3. 기계적 및 화학적 특성극도의 경도(모스 경도 약 9.5): 마모에 강하여 SiCOI는 가혹한 환경에서도 내구성이 뛰어납니다.

화학적 불활성:산성/알칼리성 환경에서도 산화 및 부식에 강합니다.

낮은 열팽창률:GaN과 같은 다른 고온 소재와 궁합이 잘 맞습니다.

4. 구조적 이점 (벌크 SiC 또는 SOI 대비)

기질 손실 감소:절연층은 전류가 기판으로 누출되는 것을 방지합니다.

RF 성능 향상:기생 정전 용량이 낮아지면 스위칭 속도가 빨라집니다(5G/mmWave 장치에 유용).

유연한 디자인:얇은 SiC 상층은 최적화된 소자 크기 조정을 가능하게 합니다(예: 트랜지스터의 초박형 채널).