실리콘 에피층 웨이퍼의 150mm 200mm 6인치 8인치 GaN 질화갈륨 에피택셜 웨이퍼

6인치 GaN 에피층 웨이퍼는 실리콘 기판 위에 질화갈륨(GaN) 층을 성장시킨 고품질 반도체 소재다. 이 소재는 우수한 전자 수송 특성을 갖고 있어 고전력 및 고주파수 반도체 장치 제조에 이상적입니다.

제품 세부정보

제조 공정에는 MOCVD(금속-유기 화학 기상 증착) 또는 MBE(분자선 에피택시)와 같은 고급 기술을 사용하여 사파이어 기판에 GaN 층을 성장시키는 작업이 포함됩니다. 증착 공정은 높은 결정 품질과 균일한 필름을 보장하기 위해 통제된 조건에서 수행됩니다.

6인치 GaN-On-Sapphire 애플리케이션: 6인치 사파이어 기판 칩은 마이크로파 통신, 레이더 시스템, 무선 기술 및 광전자공학에 널리 사용됩니다.

1. RF 전력 증폭기

2. LED 조명산업

3. 무선 네트워크 통신 장비

4. 고온 환경의 전자 장치

5. 광전자공학 장치

- 크기: 기판 직경은 6인치(약 150mm)입니다.

- 표면 품질 : 표면을 미세하게 연마하여 우수한 거울 품질을 제공합니다.

- 두께: GaN 층의 두께는 특정 요구 사항에 따라 맞춤 설정할 수 있습니다.

- 포장: 기판은 운송 중 손상을 방지하기 위해 정전기 방지 재료로 조심스럽게 포장됩니다.

- 위치 지정 가장자리: 기판에는 장치 준비 중 정렬 및 작동을 용이하게 하는 특정 위치 지정 가장자리가 있습니다.

- 기타 매개변수: 두께, 저항률 및 도핑 농도와 같은 특정 매개변수는 고객 요구 사항에 따라 조정될 수 있습니다.

우수한 재료 특성과 다양한 응용 분야를 갖춘 6인치 사파이어 기판 웨이퍼는 다양한 산업 분야의 고성능 반도체 장치 개발을 위한 신뢰할 수 있는 선택입니다.