150mm 200mm 6인치 8인치 GaN on Silicon Epi-layer 웨이퍼 질화갈륨 에피택셜 웨이퍼

6인치 GaN 에피층 웨이퍼는 실리콘 기판 위에 성장된 질화갈륨(GaN) 층으로 구성된 고품질 반도체 소재입니다. 이 소재는 우수한 전자 수송 특성을 가지고 있어 고전력 및 고주파 반도체 소자 제조에 이상적입니다.

제품 상세 정보

제조 공정은 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD)이나 분자선 에피택시(MBE)와 같은 첨단 기술을 사용하여 사파이어 기판에 GaN 층을 성장시키는 과정을 포함합니다. 증착 공정은 높은 결정 품질과 균일한 막을 보장하기 위해 제어된 조건에서 수행됩니다.

6인치 GaN-On-Sapphire 응용 분야: 6인치 사파이어 기판 칩은 마이크로파 통신, 레이더 시스템, 무선 기술 및 광전자 공학에 널리 사용됩니다.

1. RF 전력 증폭기

2. LED 조명 산업

3. 무선 네트워크 통신 장비

4. 고온 환경의 전자 장치

5. 광전자 소자

- 크기: 기판 직경은 6인치(약 150mm)입니다.

- 표면 품질: 표면은 미세하게 광택 처리되어 우수한 거울 품질을 제공합니다.

- 두께: GaN 층의 두께는 특정 요구 사항에 따라 맞춤화될 수 있습니다.

- 포장: 기판은 운송 중 손상을 방지하기 위해 정전기 방지 재료로 조심스럽게 포장됩니다.

- 위치 지정 모서리: 기판에는 장치 준비 중 정렬과 작동을 용이하게 하는 특정 위치 지정 모서리가 있습니다.

- 기타 매개변수: 얇음, 저항률, 도핑 농도 등의 특정 매개변수는 고객 요구 사항에 따라 조정될 수 있습니다.

6인치 사파이어 기판 웨이퍼는 뛰어난 소재 특성과 다양한 응용 분야를 갖추고 있어 다양한 산업 분야에서 고성능 반도체 소자를 개발하는 데 신뢰할 수 있는 선택입니다.