2인치 SiC 웨이퍼 6H 또는 4H 반절연 SiC 기판 Dia50.8mm

간단한 설명:

탄화규소(SiC)는 IV-IV족의 이원 화합물로, 원소 주기율표 IV족에서 유일하게 안정적인 고체 화합물이며, 중요한 반도체입니다. SiC는 열적, 기계적, 화학적, 전기적 특성이 뛰어나 고온, 고주파, 고전력 전자 장치를 만드는데 가장 적합한 소재 중 하나입니다.

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탄화규소 기판의 적용

실리콘 카바이드 기판은 저항률에 따라 전도성 유형과 반절연형으로 구분됩니다. 전도성 탄화규소 장치는 주로 전기 자동차, 태양광 발전, 철도 운송, 데이터 센터, 충전 및 기타 인프라에 사용됩니다. 전기 자동차 산업은 전도성 탄화 규소 기판에 대한 수요가 크며 현재 Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng 및 기타 신 에너지 차량 회사는 탄화 규소 개별 장치 또는 모듈을 사용할 계획을 가지고 있습니다.

반절연 탄화규소 장치는 주로 5G 통신, 차량 통신, 국방 애플리케이션, 데이터 전송, 항공우주 및 기타 분야에 사용됩니다. 반절연 탄화규소 기판에 질화갈륨 에피택셜 층을 성장시킴으로써, 실리콘 기반 질화갈륨 에피택셜 웨이퍼를 추가로 5G 통신의 전력 증폭기와 같이 RF 분야에서 주로 사용되는 마이크로파 RF 장치로 만들 수 있습니다. 국방의 무선 탐지기.

탄화 규소 기판 제품의 제조에는 장비 개발, 원료 합성, 결정 성장, 결정 절단, 웨이퍼 처리, 세척 및 테스트 및 기타 여러 링크가 포함됩니다. 원자재 측면에서 송산 붕소 산업은 시장에 탄화 규소 원자재를 공급하고 소량 판매를 달성했습니다. 탄화규소로 대표되는 3세대 반도체 소재는 현대 산업에서 핵심적인 역할을 담당하고 있으며, 신에너지 차량 및 광전지 응용 분야의 보급이 가속화됨에 따라 탄화규소 기판에 대한 수요가 변곡점을 맞이할 것입니다.