2인치(50.8mm) 게르마늄 웨이퍼 기판 단결정 1SP 2SP
상세 정보
게르마늄 칩은 반도체 특성을 지니고 있으며, 고체물리학과 고체전자공학의 발전에 중요한 역할을 해왔습니다. 게르마늄의 융점은 5.32g/cm³로, 희박 산란 금속으로 분류될 수 있습니다. 게르마늄은 화학적으로 안정하여 상온에서는 공기나 수증기와 반응하지 않지만, 600~700℃에서는 이산화게르마늄이 빠르게 생성됩니다. 염산이나 묽은 황산과는 반응하지 않으며, 진한 황산을 가열하면 천천히 용해됩니다. 질산이나 왕수에서는 쉽게 용해됩니다. 알칼리 용액은 게르마늄에 거의 영향을 미치지 않지만, 공기 중에서 용융된 알칼리에 노출되면 빠르게 용해됩니다. 게르마늄은 탄소와 반응하지 않으므로 흑연 도가니에서 용융하면 탄소 오염이 발생하지 않습니다. 게르마늄은 전자 이동도, 정공 이동도 등 우수한 반도체 특성을 가지고 있어, 앞으로도 큰 발전 가능성을 지니고 있습니다.
사양
| 성장 방법 | CZ | ||
| 크리스탈 구조 | 입방계 | ||
| 격자 상수 | a=5.65754 Å | ||
| 밀도 | 5.323g/cm3 | ||
| 녹는점 | 937.4℃ | ||
| 도핑 | 도핑 해제 | 도핑-Sb | 도핑-Ga |
| 유형 | / | N | P |
| 저항 | >35Ωcm | 0.01~35 Ωcm | 0.05~35 Ωcm |
| EPD | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 |
| 지름 | 2인치/50.8mm | ||
| 두께 | 0.5mm, 1.0mm | ||
| 표면 | DSP 및 SSP | ||
| 정위 | <100>、<110>、<111>、±0.5° | ||
| Ra | ≤5Å(5µm×5µm) | ||
| 패키지 | 100등급 패키지, 1000등급 객실 | ||
상세도
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