2inch 50.8mm 게르마늄 웨이퍼 기판 단결정 1SP 2SP
상세정보
게르마늄 칩은 반도체 특성을 가지고 있습니다. 고체 물리학 및 고체 전자공학의 발전에 중요한 역할을 담당해 왔습니다. 게르마늄의 용융밀도는 5.32g/cm 3 이며, 게르마늄은 얇게 산란되는 금속으로 분류될 수 있고, 게르마늄의 화학적 안정성이 있으며, 상온에서는 공기나 수증기와 상호작용하지 않으나, 600~700℃에서는 빠르게 이산화게르마늄이 생성됩니다. . 염산, 묽은황산에는 작용하지 않습니다. 진한 황산을 가열하면 게르마늄이 서서히 용해됩니다. 질산과 왕수에서는 게르마늄이 쉽게 용해됩니다. 게르마늄에 대한 알칼리 용액의 효과는 매우 약하지만 공기 중의 용융 알칼리는 게르마늄을 빠르게 용해시킬 수 있습니다. 게르마늄은 탄소와 반응하지 않으므로 흑연 도가니에 녹여 탄소에 오염되지 않습니다. 게르마늄은 전자 이동성, 정공 이동성 등과 같은 우수한 반도체 특성을 가지고 있습니다. 게르마늄의 개발은 여전히 큰 잠재력을 가지고 있습니다.
사양
성장 방법 | CZ | ||
크리스탈 기관 | 큐빅 시스템 | ||
격자 상수 | a=5.65754Å | ||
밀도 | 5.323g/cm3 | ||
녹는점 | 937.4℃ | ||
도핑 | 언도핑 | 도핑-Sb | 도핑가 |
유형 | / | N | P |
저항 | >35Ωcm | 0.01~35Ωcm | 0.05~35Ωcm |
EPD | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 |
지름 | 2인치/50.8mm | ||
두께 | 0.5mm, 1.0mm | ||
표면 | DSP 및 SSP | ||
정위 | <100>, <110>, <111>, ±0.5° | ||
Ra | 5Å 이하(5μm×5μm) | ||
패키지 | 100등급 패키지, 1000등급 룸 |
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