2인치 6H-N 실리콘 카바이드 기판 SiC 웨이퍼 이중 연마 전도성 Prime 등급 MoS 등급

간단한 설명:

6H n형 탄화규소(SiC) 단결정 기판은 고전력, 고주파 및 고온 전자 응용 분야에 널리 사용되는 필수 반도체 소재입니다. 육방정계 결정 구조로 유명한 6H-N SiC는 넓은 밴드갭과 높은 열전도도를 제공하여 까다로운 환경에 이상적입니다.
이 소재는 높은 항복 전계와 전자 이동도를 가지고 있어 MOSFET 및 IGBT와 같이 기존 실리콘 소재보다 더 높은 전압과 온도에서 작동할 수 있는 효율적인 전력 전자 소자의 개발을 가능하게 합니다. 뛰어난 열전도도는 효과적인 방열을 보장하며, 이는 고전력 애플리케이션에서 성능과 신뢰성 유지에 필수적입니다.
무선 주파수(RF) 응용 분야에서 6H-N SiC의 특성은 향상된 효율로 더 높은 주파수에서 작동할 수 있는 소자 제작을 지원합니다. 또한, 화학적 안정성과 내방사능성을 갖춰 항공우주 및 방위 산업을 포함한 혹독한 환경에서 사용하기에 적합합니다.
더욱이, 6H-N SiC 기판은 넓은 밴드갭을 통해 효율적인 자외선 검출을 가능하게 하는 자외선 광검출기와 같은 광전자 소자에 필수적입니다. 이러한 특성의 조합으로 6H n형 SiC는 현대 전자 및 광전자 기술 발전에 다재다능하고 필수적인 소재가 되었습니다.


특징

실리콘 카바이드 웨이퍼의 특징은 다음과 같습니다.

· 제품명 : SiC 기판
· 육각형 구조: 독특한 전자적 특성.
· 높은 전자 이동도: ~600 cm²/V·s.
· 화학적 안정성: 부식에 강함.
· 방사선 저항성: 혹독한 환경에 적합합니다.
· 낮은 고유 캐리어 농도: 고온에서 효율적입니다.
· 내구성: 강력한 기계적 성질.
· 광전자 기능: 효과적인 UV 광 감지.

실리콘 카바이드 웨이퍼는 다양한 용도로 사용됩니다.

SiC 웨이퍼 응용 분야:
SiC(탄화규소) 기판은 높은 열전도도, 높은 전계 강도, 넓은 밴드갭과 같은 고유한 특성으로 인해 다양한 고성능 응용 분야에 사용됩니다. 다음은 몇 가지 응용 분야입니다.

1. 전력 전자:
·고전압 MOSFET
·IGBT(절연 게이트 바이폴라 트랜지스터)
·쇼트키 다이오드
·전력 인버터

2. 고주파 장치:
·RF(무선 주파수) 증폭기
·마이크로파 트랜지스터
·밀리미터파 장치

3. 고온 전자 제품:
· 열악한 환경을 위한 센서 및 회로
·항공우주 전자공학
·자동차 전자 장치(예: 엔진 제어 장치)

4. 광전자공학:
·자외선(UV) 광검출기
·발광 다이오드(LED)
·레이저 다이오드

5. 재생 에너지 시스템:
·태양광 인버터
·풍력 터빈 변환기
·전기차 파워트레인

6. 산업 및 방위:
·레이더 시스템
·위성 통신
·원자로 계측기

SiC 웨이퍼 커스터마이징

고객의 특정 요구 사항에 맞춰 SiC 기판 크기를 맞춤 제작해 드립니다. 또한, 10x10mm 또는 5x5mm 크기의 4H-Semi HPSI SiC 웨이퍼도 제공합니다.
가격은 케이스에 따라 결정되며, 포장 세부 사항은 귀하의 선호도에 맞게 맞춤 제작될 수 있습니다.
배송은 2~4주 이내입니다. T/T로 결제 가능합니다.
당사 공장은 고객의 특정 요구 사항에 따라 SiC 웨이퍼의 다양한 사양, 두께 및 모양을 맞춤 제작할 수 있는 고급 생산 장비와 기술 팀을 보유하고 있습니다.

상세 다이어그램

4
5
6

  • 이전의:
  • 다음:

  • 여기에 메시지를 작성하여 보내주세요