2인치 6H-N 탄화규소 기판 SIC 웨이퍼, 양면 연마, 전도성 최상급, MOS 등급

간략한 설명:

6H n형 탄화규소(SiC) 단결정 기판은 고출력, 고주파, 고온 전자 기기 분야에 널리 사용되는 필수 반도체 소재입니다. 육각형 결정 구조로 유명한 6H-N SiC는 넓은 밴드갭과 높은 열전도율을 제공하여 까다로운 환경에 이상적입니다.
이 소재는 높은 절연 파괴 전압과 전자 이동도를 가지고 있어 기존 실리콘 소재로 만든 소자보다 더 높은 전압과 온도에서 작동할 수 있는 MOSFET 및 IGBT와 같은 고효율 전력 전자 소자 개발이 가능합니다. 또한 뛰어난 열전도율은 효과적인 열 방출을 보장하여 고출력 애플리케이션에서 성능과 신뢰성을 유지하는 데 필수적입니다.
무선 주파수(RF) 응용 분야에서 6H-N SiC는 향상된 효율로 더 높은 주파수에서 작동할 수 있는 장치 제작에 적합한 특성을 지니고 있습니다. 또한 화학적 안정성과 방사선 저항성이 뛰어나 항공우주 및 방위 산업을 포함한 극한 환경에서도 사용하기에 적합합니다.
또한, 6H-N SiC 기판은 자외선 광검출기와 같은 광전자 소자에 필수적인 소재로, 넓은 밴드갭 덕분에 효율적인 자외선 검출이 가능합니다. 이러한 특성들의 조합으로 6H n형 SiC는 현대 전자 및 광전자 기술 발전에 있어 다재다능하고 없어서는 안 될 소재가 되었습니다.


특징

다음은 탄화규소 웨이퍼의 특징입니다.

• 제품명: SiC 기판
• 육각형 구조: 독특한 전자적 특성.
• 높은 전자 이동도: 약 600 cm²/V·s.
• 화학적 안정성: 부식에 강함.
• 방사선 저항성: 가혹한 환경에 적합합니다.
• 낮은 고유 캐리어 농도: 고온에서 효율적입니다.
• 내구성: 우수한 기계적 특성.
• 광전자 기능: 효과적인 자외선 감지.

탄화규소 웨이퍼는 여러 용도로 사용됩니다.

SiC 웨이퍼 응용 분야:
탄화규소(SiC) 기판은 높은 열전도율, 높은 전기장 강도, 넓은 밴드갭과 같은 고유한 특성 덕분에 다양한 고성능 응용 분야에 사용됩니다. 몇 가지 응용 분야는 다음과 같습니다.

1. 전력 전자공학:
• 고전압 MOSFET
• IGBT(절연 게이트 바이폴라 트랜지스터)
·쇼트키 다이오드
·전력 인버터

2. 고주파 장치:
• RF(무선 주파수) 증폭기
·마이크로파 트랜지스터
·밀리미터파 장치

3. 고온 전자 장치:
• 극한 환경용 센서 및 회로
·항공우주 전자공학
•자동차 전자 장치(예: 엔진 제어 장치)

4. 광전자공학:
• 자외선(UV) 광검출기
•발광 다이오드(LED)
·레이저 다이오드

5. 재생에너지 시스템:
·태양광 인버터
· 풍력 터빈 변환기
• 전기 자동차 파워트레인

6. 산업 및 국방:
·레이더 시스템
위성 통신
·원자력 발전소 계측 장비

SiC 웨이퍼 맞춤 제작

고객의 특정 요구 사항에 맞춰 SiC 기판의 크기를 맞춤 제작할 수 있습니다. 또한 10x10mm 또는 5x5mm 크기의 4H-Semi HPSI SiC 웨이퍼도 제공합니다.
가격은 케이스별로 결정되며, 포장 세부 사항은 고객의 선호에 따라 맞춤 설정할 수 있습니다.
배송 기간은 2~4주입니다. T/T 송금으로 결제 가능합니다.
저희 공장은 첨단 생산 설비와 기술팀을 갖추고 있어 고객의 특정 요구 사항에 따라 다양한 사양, 두께 및 모양의 SiC 웨이퍼를 맞춤 제작할 수 있습니다.

상세도

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