다결정 SiC 복합 기판 위에 6인치 전도성 단결정 SiC, 직경 150mm P형 N형
기술적 매개변수
| 크기: | 6 인치 |
| 지름: | 150mm |
| 두께: | 400~500㎛ |
| 단결정 SiC 필름 매개변수 | |
| 폴리타입: | 4H-SiC 또는 6H-SiC |
| 도핑 농도: | 1×10¹⁴ - 1×10¹⁸cm⁻³ |
| 두께: | 5~20㎛ |
| 시트 저항: | 10-1000Ω/제곱 |
| 전자 이동도: | 800-1200cm²/Vs |
| 홀 이동성: | 100~300cm²/Vs |
| 다결정 SiC 버퍼층 매개변수 | |
| 두께: | 50~300㎛ |
| 열전도도: | 150~300W/m·K |
| 단결정 SiC 기판 매개변수 | |
| 폴리타입: | 4H-SiC 또는 6H-SiC |
| 도핑 농도: | 1×10¹⁴ - 1×10¹⁸cm⁻³ |
| 두께: | 300~500㎛ |
| 입자 크기: | > 1mm |
| 표면 거칠기: | < 0.3mm RMS |
| 기계적 및 전기적 특성 | |
| 경도: | 9-10 모스 |
| 압축 강도: | 3-4 학점 |
| 인장 강도: | 0.3-0.5 GPa |
| 파괴장 강도: | > 2MV/cm |
| 총 복용량 내성: | > 10 밀리드 |
| 단일 이벤트 효과 저항: | > 100 MeV·cm²/mg |
| 열전도도: | 150~380W/m·K |
| 작동 온도 범위: | -55~600°C |
주요 특징
다결정 SiC 복합 기판 위에 6인치 전도성 단결정 SiC를 적용한 제품은 재료 구조와 성능의 독특한 균형을 제공하여 까다로운 산업 환경에 적합합니다.
1. 비용 효율성: 다결정 SiC 기반은 완전 단결정 SiC에 비해 비용을 상당히 절감하는 반면, 단결정 SiC 활성층은 비용에 민감한 응용 분야에 이상적인 장치 등급 성능을 보장합니다.
2. 뛰어난 전기적 특성: 단결정 SiC 층은 높은 캐리어 이동도(>500 cm²/V·s)와 낮은 결함 밀도를 나타내어 고주파 및 고전력 장치 작동을 지원합니다.
3. 고온 안정성: SiC의 고유한 고온 저항성(>600°C)으로 인해 복합 기판이 극한 조건에서도 안정적으로 유지되므로 전기 자동차 및 산업용 모터 응용 분야에 적합합니다.
4.6인치 표준화된 웨이퍼 크기: 기존 4인치 SiC 기판과 비교했을 때 6인치 포맷은 칩 수율을 30% 이상 증가시켜 단위 장치당 비용을 절감합니다.
5. 전도성 설계: 사전 도핑된 N형 또는 P형 층은 장치 제조 시 이온 주입 단계를 최소화하여 생산 효율성과 수율을 향상시킵니다.
6. 우수한 열 관리: 다결정 SiC 기반 열전도도(~120 W/m·K)는 단결정 SiC와 비슷하여 고전력 장치의 방열 문제를 효과적으로 해결합니다.
이러한 특성으로 인해 다결정 SiC 복합 기판 위에 6인치 전도성 단결정 SiC가 재생 에너지, 철도 운송, 항공 우주와 같은 산업을 위한 경쟁력 있는 솔루션으로 자리매김하게 되었습니다.
주요 응용 분야
다결정 SiC 복합 기판 위에 6인치 전도성 단결정 SiC가 여러 수요가 많은 분야에 성공적으로 배치되었습니다.
1. 전기 자동차 파워트레인: 고전압 SiC MOSFET 및 다이오드에 사용되어 인버터 효율성을 높이고 배터리 범위를 연장합니다(예: Tesla, BYD 모델).
2. 산업용 모터 드라이브: 고온, 고스위칭 주파수 전력 모듈을 구현하여 중장비 및 풍력 터빈의 에너지 소비를 줄입니다.
3. 태양광 인버터: SiC 장치는 태양광 변환 효율(>99%)을 개선하는 동시에 복합 기판은 시스템 비용을 더욱 절감합니다.
4. 철도 운송: 고속철도 및 지하철 시스템용 견인 컨버터에 적용되어 고전압 저항(>1700V)과 소형 폼 팩터를 제공합니다.
5. 항공우주: 극한의 온도와 방사선을 견딜 수 있는 위성 전력 시스템 및 항공기 엔진 제어 회로에 이상적입니다.
실제 제조에서 다결정 SiC 복합 기판 위에 6인치 전도성 단결정 SiC를 형성하면 표준 SiC 장치 공정(예: 리소그래피, 에칭)과 완벽하게 호환되므로 추가 자본 투자가 필요하지 않습니다.
XKH 서비스
XKH는 다결정 SiC 복합 기판에 6인치 전도성 단결정 SiC를 위한 포괄적인 지원을 제공하며, R&D부터 대량 생산까지 포괄합니다.
1. 맞춤형: 다양한 장치 요구 사항을 충족하기 위해 단결정 층 두께(5~100μm), 도핑 농도(1e15~1e19cm⁻³), 결정 방향(4H/6H-SiC)을 조정할 수 있습니다.
2. 웨이퍼 처리: 플러그 앤 플레이 통합을 위한 뒷면 박막화 및 금속화 서비스와 함께 6인치 기판을 대량으로 공급합니다.
3. 기술적 검증: XRD 결정성 분석, 홀 효과 테스트, 열 저항 측정을 포함하여 재료 적격성을 신속하게 평가합니다.
4. 신속한 프로토타입 제작: 연구 기관이 개발 주기를 가속화하기 위해 2~4인치 샘플(동일한 공정)을 제작합니다.
5. 실패 분석 및 최적화: 처리 과제(예: 에피택셜 층 결함)에 대한 재료 수준 솔루션.
당사의 사명은 다결정 SiC 복합 기판 위에 6인치 전도성 단결정 SiC를 SiC 전력 전자장치를 위한 선호되는 비용 대비 성능 솔루션으로 확립하고, 프로토타입 제작에서 대량 생산까지 종단 간 지원을 제공하는 것입니다.
결론
다결정 SiC 복합 기판 위에 6인치 전도성 단결정 SiC를 적층한 이 제품은 혁신적인 단결정/다결정 하이브리드 구조를 통해 성능과 비용 간의 획기적인 균형을 달성합니다. 전기 자동차의 확산과 인더스트리 4.0의 진전 속에서, 이 기판은 차세대 전력 전자 장치를 위한 신뢰할 수 있는 소재 기반을 제공합니다. XKH는 SiC 기술의 잠재력을 더욱 발전시키기 위한 협력을 환영합니다.
