8인치 SiC 생산 등급 웨이퍼 4H-N SiC 기판
다음 표는 당사 8인치 SiC 웨이퍼의 사양을 보여줍니다.
| 8인치 N형 SiC DSP 사양 | |||||
| 숫자 | 목 | 단위 | 생산 | 연구 | 더미 |
| 1:매개변수 | |||||
| 1.1 | 다형체 | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | 표면 방향 | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2: 전기적 매개변수 | |||||
| 2.1 | 도펀트 | -- | n형 질소 | n형 질소 | n형 질소 |
| 2.2 | 저항률 | 옴·cm | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3: 기계적 매개변수 | |||||
| 3.1 | 지름 | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | 두께 | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | 노치 방향 | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | 노치 깊이 | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | 티비 | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | 절하다 | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | 경사 | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4: 구조 | |||||
| 4.1 | 마이크로파이프 밀도 | 개/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | 금속 함량 | 원자/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | 개/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | 개/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | 테드 | 개/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. 전면 품질 | |||||
| 5.1 | 앞쪽 | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | 표면 마감 | -- | Si면 CMP | Si면 CMP | Si면 CMP |
| 5.3 | 입자 | 각/웨이퍼 | ≤100(크기≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | 할퀴다 | 각/웨이퍼 | ≤5, 총 길이 ≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | 가장자리 흠집/움푹 패인 곳/균열/얼룩/오염 | -- | 없음 | 없음 | NA |
| 5.6 | 다형체 영역 | -- | 없음 | 면적 ≤10% | 면적 ≤30% |
| 5.7 | 전면 표시 | -- | 없음 | 없음 | 없음 |
| 6:뒷면 품질 | |||||
| 6.1 | 뒷면 마감 | -- | C-페이스 MP | C-페이스 MP | C-페이스 MP |
| 6.2 | 할퀴다 | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | 뒷면 결함 가장자리 칩/움푹 들어간 부분 | -- | 없음 | 없음 | NA |
| 6.4 | 뒷면 거칠기 | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | 뒷면 표시 | -- | 골짜기 | 골짜기 | 골짜기 |
| 7:엣지 | |||||
| 7.1 | 가장자리 | -- | 모따기 | 모따기 | 모따기 |
| 8: 패키지 | |||||
| 8.1 | 포장 | -- | 진공을 이용한 Epi-ready 포장 | 진공을 이용한 Epi-ready 포장 | 진공을 이용한 Epi-ready 포장 |
| 8.2 | 포장 | -- | 멀티웨이퍼 카세트 포장 | 멀티웨이퍼 카세트 포장 | 멀티웨이퍼 카세트 포장 |
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