MEMS용 사파이어 웨이퍼 4인치~6인치에 에피택셜 성장된 질화갈륨(GaN)
사파이어 웨이퍼 상의 GaN 특성
●고효율성:GaN 기반 장치는 실리콘 기반 장치보다 5배 더 많은 전력을 제공하여 RF 증폭 및 광전자공학을 포함한 다양한 전자 응용 분야의 성능을 향상시킵니다.
●넓은 밴드갭:GaN의 넓은 밴드갭은 높은 온도에서도 높은 효율을 구현할 수 있어 고전력, 고주파 애플리케이션에 이상적입니다.
●내구성:GaN은 극한의 조건(고온 및 방사선)을 처리할 수 있는 능력을 갖추고 있어 혹독한 환경에서도 오래 지속되는 성능을 보장합니다.
●소형 사이즈:GaN은 기존 반도체 소재에 비해 더욱 컴팩트하고 가벼운 장치를 생산할 수 있어 더 작고 강력한 전자장치를 만드는 데 도움이 됩니다.
추상적인
질화갈륨(GaN)은 RF 프런트엔드 모듈, 고속 통신 시스템, LED 조명과 같이 고전력과 고효율을 요구하는 첨단 응용 분야에서 필수적인 반도체로 떠오르고 있습니다. 사파이어 기판에 성장된 GaN 에피택셜 웨이퍼는 높은 열전도도, 높은 항복 전압, 그리고 넓은 주파수 응답 특성을 제공하며, 이는 무선 통신 장치, 레이더, 재머의 최적 성능에 필수적입니다. 이 웨이퍼는 4인치 및 6인치 직경으로 제공되며, 다양한 기술적 요건을 충족하기 위해 다양한 GaN 두께를 제공합니다. GaN의 고유한 특성은 전력 전자 분야의 미래를 위한 유력한 후보로 자리매김하고 있습니다.
제품 매개변수
| 제품 특징 | 사양 |
| 웨이퍼 직경 | 50mm, 100mm, 50.8mm |
| 기판 | 사파이어 |
| GaN 층 두께 | 0.5㎛ - 10㎛ |
| GaN 유형/도핑 | N형(요청 시 P형도 가능) |
| GaN 결정 방향 | <0001> |
| 연마 유형 | 단면 연마(SSP), 양면 연마(DSP) |
| Al2O3 두께 | 430㎛ - 650㎛ |
| TTV(총 두께 변화) | ≤ 10㎛ |
| 절하다 | ≤ 10㎛ |
| 경사 | ≤ 10㎛ |
| 표면적 | 사용 가능한 표면적 > 90% |
질문과 답변
Q1: 기존 실리콘 기반 반도체에 비해 GaN을 사용하는 주요 장점은 무엇입니까?
A1: GaN은 실리콘에 비해 여러 가지 중요한 장점을 제공합니다. 특히 더 넓은 밴드갭을 통해 더 높은 항복 전압을 처리하고 고온에서 효율적으로 작동할 수 있습니다. 이러한 특성으로 인해 GaN은 RF 모듈, 전력 증폭기, LED와 같은 고전력, 고주파 애플리케이션에 이상적입니다. 또한, GaN은 더 높은 전력 밀도를 처리할 수 있어 실리콘 기반 소자보다 더 작고 효율적인 소자를 구현할 수 있습니다.
Q2: 사파이어 웨이퍼의 GaN을 MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems) 애플리케이션에 사용할 수 있나요?
A2: 네, 사파이어 웨이퍼에 GaN을 적용한 것은 MEMS 애플리케이션, 특히 고전력, 온도 안정성, 저잡음이 요구되는 분야에 적합합니다. 고주파 환경에서 GaN의 내구성과 효율성은 무선 통신, 센싱, 레이더 시스템에 사용되는 MEMS 장치에 이상적입니다.
Q3: 무선 통신에서 GaN의 잠재적인 응용 분야는 무엇입니까?
A3: GaN은 5G 인프라, 레이더 시스템, 재머 등 무선 통신용 RF 프런트엔드 모듈에 널리 사용됩니다. 높은 전력 밀도와 열전도도를 갖춰 고전력 고주파 장치에 적합하며, 실리콘 기반 솔루션보다 더 뛰어난 성능과 더 작은 폼팩터를 구현합니다.
Q4: 사파이어 웨이퍼상의 GaN의 리드타임과 최소 주문 수량은 얼마입니까?
A4: 리드타임과 최소 주문 수량은 웨이퍼 크기, GaN 두께 및 고객 요구 사항에 따라 달라집니다. 자세한 가격 및 사양에 따른 재고 여부는 당사에 직접 문의해 주시기 바랍니다.
Q5: GaN 층 두께나 도핑 수준을 원하는 대로 조절할 수 있나요?
A5: 네, 특정 애플리케이션 요구 사항에 맞춰 GaN 두께 및 도핑 수준을 맞춤 제작해 드립니다. 원하시는 사양을 알려주시면 맞춤형 솔루션을 제공해 드리겠습니다.
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