GaN-on-Diamond 웨이퍼 4인치 6인치 총 에피 두께(마이크론) 0.6 ~ 2.5 또는 고주파 애플리케이션에 맞게 맞춤 제작 가능
속성
웨이퍼 크기:
다양한 반도체 제조 공정에 다양하게 통합할 수 있도록 4인치와 6인치 직경으로 제공됩니다.
고객 요구 사항에 따라 웨이퍼 크기에 대한 맞춤 옵션이 제공됩니다.
에피택셜 층 두께:
범위: 0.6µm ~ 2.5µm, 특정 응용 프로그램 요구 사항에 따라 사용자 정의 두께 옵션이 제공됩니다.
에피택셜 층은 전력, 주파수 응답, 열 관리의 균형을 맞추기 위해 최적화된 두께로 고품질 GaN 결정 성장을 보장하도록 설계되었습니다.
열전도도:
다이아몬드 층은 약 2000-2200 W/m·K의 매우 높은 열전도도를 제공하여 고전력 장치의 효율적인 방열을 보장합니다.
GaN 재료 특성:
넓은 밴드갭: GaN 층은 넓은 밴드갭(~3.4eV)의 이점을 가지고 있어 혹독한 환경, 고전압, 고온 조건에서 작동할 수 있습니다.
전자 이동성: 높은 전자 이동성(약 2000 cm²/V·s)으로 인해 스위칭 속도가 빨라지고 작동 주파수가 높아집니다.
높은 파괴 전압: GaN의 파괴 전압은 기존 반도체 소재보다 훨씬 높아서 전력 집약적 애플리케이션에 적합합니다.
전기적 성능:
높은 전력 밀도: GaN-on-Diamond 웨이퍼는 소형 폼팩터를 유지하면서도 높은 전력 출력을 가능하게 하므로 전력 증폭기와 RF 시스템에 적합합니다.
낮은 손실: GaN의 효율성과 다이아몬드의 방열 효과가 결합되어 작동 중 전력 손실이 낮아집니다.
표면 품질:
고품질 에피택셜 성장: GaN 층은 다이아몬드 기판 위에 에피택셜 성장되어 최소한의 전위 밀도, 높은 결정질 품질, 최적의 장치 성능을 보장합니다.
일률:
두께 및 구성 균일성: GaN 층과 다이아몬드 기판은 모두 뛰어난 균일성을 유지하는데, 이는 일관된 장치 성능과 안정성에 중요합니다.
화학적 안정성:
GaN과 다이아몬드는 모두 뛰어난 화학적 안정성을 제공하므로 이러한 웨이퍼는 혹독한 화학 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있습니다.
응용 프로그램
RF 전력 증폭기:
GaN-on-Diamond 웨이퍼는 통신, 레이더 시스템, 위성 통신 분야의 RF 전력 증폭기에 적합하며, 고주파(예: 2GHz~20GHz 이상)에서 높은 효율과 안정성을 모두 제공합니다.
마이크로파 통신:
이러한 웨이퍼는 높은 전력 출력과 최소한의 신호 저하가 중요한 마이크로파 통신 시스템에 적합합니다.
레이더 및 감지 기술:
GaN-on-Diamond 웨이퍼는 레이더 시스템에 널리 사용되며, 특히 군사, 자동차, 항공우주 분야 등 고주파 및 고전력 응용 분야에서 강력한 성능을 제공합니다.
위성 시스템:
위성 통신 시스템에서 이러한 웨이퍼는 극한의 환경 조건에서도 작동할 수 있는 전력 증폭기의 내구성과 고성능을 보장합니다.
고전력 전자 장치:
GaN-on-Diamond의 열 관리 기능은 전력 변환기, 인버터, 솔리드 스테이트 릴레이와 같은 고전력 전자 장치에 적합합니다.
열 관리 시스템:
다이아몬드의 높은 열전도성으로 인해 이 웨이퍼는 고출력 LED 및 레이저 시스템과 같이 견고한 열 관리가 필요한 응용 분야에 사용될 수 있습니다.
GaN-on-Diamond 웨이퍼에 대한 Q&A
Q1: 고주파 응용 분야에서 GaN-on-Diamond 웨이퍼를 사용하는 이점은 무엇입니까?
A1:GaN-on-Diamond 웨이퍼는 GaN의 높은 전자 이동도와 넓은 밴드갭을 다이아몬드의 뛰어난 열전도도와 결합합니다. 이를 통해 고주파 소자가 더 높은 전력 수준에서 작동하면서 열을 효과적으로 관리하여 기존 소재보다 더 높은 효율과 신뢰성을 보장합니다.
Q2: GaN-on-Diamond 웨이퍼를 특정 전력 및 주파수 요구 사항에 맞게 맞춤 제작할 수 있습니까?
답변2:네, GaN-on-Diamond 웨이퍼는 에피택셜 층 두께(0.6µm~2.5µm), 웨이퍼 크기(4인치, 6인치) 및 특정 애플리케이션 요구 사항에 따른 기타 매개변수를 포함한 사용자 정의 옵션을 제공하여 고전력 및 고주파 애플리케이션에 대한 유연성을 제공합니다.
Q3: GaN 기판으로 다이아몬드를 사용하는 주요 이점은 무엇입니까?
A3:다이아몬드의 뛰어난 열전도도(최대 2200 W/m·K)는 고전력 GaN 소자에서 발생하는 열을 효율적으로 방출하는 데 도움이 됩니다. 이러한 열 관리 기능을 통해 GaN-on-Diamond 소자는 더 높은 전력 밀도와 주파수에서 작동하여 향상된 소자 성능과 수명을 보장합니다.
질문 4: GaN-on-Diamond 웨이퍼는 우주 또는 항공우주 분야에 적합합니까?
A4:네, GaN-on-Diamond 웨이퍼는 높은 신뢰성, 열 관리 기능, 강한 방사선, 온도 변화, 고주파 작동 등 극한 조건에서의 성능 덕분에 우주 및 항공우주 응용 분야에 매우 적합합니다.
Q5: GaN-on-Diamond 웨이퍼로 만든 장치의 예상 수명은 얼마입니까?
A5:GaN의 고유한 내구성과 다이아몬드의 탁월한 방열 특성의 결합은 장치의 긴 수명을 보장합니다. GaN-on-Diamond 장치는 시간 경과에 따른 성능 저하를 최소화하면서 열악한 환경과 고전력 조건에서 작동하도록 설계되었습니다.
Q6: 다이아몬드의 열전도도는 GaN-on-Diamond 웨이퍼의 전반적인 성능에 어떤 영향을 미칩니까?
A6:다이아몬드의 높은 열전도도는 고전력 응용 분야에서 발생하는 열을 효율적으로 방출함으로써 GaN-on-Diamond 웨이퍼의 성능을 향상시키는 데 중요한 역할을 합니다. 이를 통해 GaN 소자는 최적의 성능을 유지하고, 열 응력을 줄이며, 기존 반도체 소자에서 흔히 발생하는 과열을 방지할 수 있습니다.
Q7: GaN-on-Diamond 웨이퍼가 다른 반도체 소재보다 우수한 성능을 보이는 일반적인 응용 분야는 무엇입니까?
A7:GaN-on-Diamond 웨이퍼는 고전력 처리, 고주파 동작 및 효율적인 열 관리가 필요한 응용 분야에서 다른 소재보다 우수한 성능을 발휘합니다. 이러한 응용 분야에는 RF 전력 증폭기, 레이더 시스템, 마이크로파 통신, 위성 통신 및 기타 고전력 전자 장치가 포함됩니다.
결론
GaN-on-Diamond 웨이퍼는 GaN의 고성능과 다이아몬드의 탁월한 열적 특성을 결합하여 고주파 및 고전력 애플리케이션을 위한 독보적인 솔루션을 제공합니다. 맞춤형 기능을 갖춘 이 웨이퍼는 효율적인 전력 공급, 열 관리 및 고주파 작동을 요구하는 산업의 요구를 충족하도록 설계되었으며, 까다로운 환경에서도 신뢰성과 수명을 보장합니다.
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