InGaAs 에피택셜 웨이퍼 기판 PD 어레이 광검출기 어레이는 LiDAR에 사용될 수 있습니다.

간단한 설명:

InGaAs 에피택셜 필름은 특정 기판 위에 에피택셜 성장 기술을 통해 형성된 인듐 갈륨 비소(InGaAs) 단결정 박막 소재를 의미합니다. 일반적인 InGaAs 에피택셜 기판은 인듐 인화물(InP)과 갈륨 비소(GaAs)입니다. 이러한 기판 재료는 우수한 결정 품질과 열 안정성을 갖고 있어 InGaAs 에피택시층 성장을 위한 우수한 기판을 제공할 수 있습니다.
PD 어레이(Photo검출기 어레이)는 여러 광신호를 동시에 감지할 수 있는 여러 광검출기 어레이입니다. MOCVD에서 성장한 에피텍셜 시트는 주로 광검출 다이오드에 사용되며 흡수층은 U-InGaAs로 구성되고 배경 도핑은 <5E14이며 확산된 Zn은 고객 또는 Epihouse에서 완성할 수 있습니다. 에피택셜 정제를 PL, XRD 및 ECV 측정으로 분석했습니다.

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InGaAs 레이저 에피텍셜 시트의 주요 특징은 다음과 같습니다.

1. 격자 정합: InGaAs 에피택시층과 InP 또는 GaAs 기판 사이에 우수한 격자 정합이 달성될 수 있으므로 에피택시층의 결함 밀도가 감소하고 장치 성능이 향상됩니다.
2. 조정 가능한 밴드 갭: InGaAs 재료의 밴드 갭은 In과 Ga 성분의 비율을 조정하여 달성할 수 있으며, 이로 인해 InGaAs 에피텍셜 시트는 광전자 장치에서 광범위한 응용 가능성을 갖게 됩니다.
3. 높은 감광성: InGaAs 에피택셜 필름은 빛에 대한 높은 감도를 가지므로 광전 감지, 광통신 및 기타 고유한 장점이 있는 분야에서 사용됩니다.
4. 고온 안정성: InGaAs/InP 에피택셜 구조는 고온 안정성이 뛰어나고 고온에서 안정적인 소자 성능을 유지할 수 있습니다.

InGaAs 레이저 에피택셜 태블릿의 주요 응용 분야는 다음과 같습니다.

1. 광전자 장치: InGaAs 에피택셜 정제는 광통신, 야간 투시 및 기타 분야에서 광범위한 응용 분야를 갖는 광다이오드, 광검출기 및 기타 광전자 장치를 제조하는 데 사용할 수 있습니다.

2. 레이저: InGaAs 에피텍셜 시트는 광섬유 통신, 산업 처리 및 기타 분야에서 중요한 역할을 하는 레이저, 특히 장파장 레이저를 제조하는 데에도 사용할 수 있습니다.

3. 태양 전지: InGaAs 재료는 넓은 밴드 갭 조정 범위를 가지고 있어 열 광전지에 필요한 밴드 갭 요구 사항을 충족할 수 있으므로 InGaAs 에피텍셜 시트도 태양 전지 분야에서 특정 응용 가능성을 가지고 있습니다.

4. 의료 영상: 의료 영상 장비(예: CT, MRI 등)에서 감지 및 영상 촬영을 위한 것입니다.

5. 센서 네트워크: 환경 모니터링 및 가스 감지에서 여러 매개변수를 동시에 모니터링할 수 있습니다.

6. 산업 자동화: 머신 비전 시스템에 사용되어 생산 라인에 있는 물체의 상태와 품질을 모니터링합니다.

앞으로도 InGaAs 에피택셜 기판의 재료 특성은 광전 변환 효율 향상, 잡음 수준 감소 등 계속해서 향상될 것입니다. 이로 인해 InGaAs 에피택셜 기판이 광전자 장치에 더욱 널리 사용되고 성능이 더욱 우수해졌습니다. 동시에, 더 큰 시장의 요구를 충족시키기 위해 비용을 절감하고 효율성을 향상시키기 위해 준비 프로세스도 지속적으로 최적화될 것입니다.

일반적으로 InGaAs 에피택셜 기판은 독특한 특성과 폭넓은 응용 가능성으로 인해 반도체 재료 분야에서 중요한 위치를 차지하고 있습니다.

XKH는 광전자 장치, 레이저 및 태양 전지에 대한 광범위한 응용 분야를 포괄하는 다양한 구조와 두께의 InGaAs 에피택시 시트 맞춤 제작을 제공합니다. XKH의 제품은 첨단 MOCVD 장비로 제조되어 높은 성능과 신뢰성을 보장합니다. 물류 측면에서 XKH는 주문 수를 유연하게 처리하고 정제 및 세분화와 같은 부가가치 서비스를 제공할 수 있는 광범위한 국제 소스 채널을 보유하고 있습니다. 효율적인 배송 프로세스는 정시 배송을 보장하고 품질 및 배송 시간에 대한 고객 요구 사항을 충족합니다.