Dia6인치 Si 복합 기판에 N형 SiC

等级등급

유 级

P级

D级

낮은 BPD 등급

생산 등급

더미 등급

直径지름

150.0mm±0.25mm

각도두께

500㎛±25㎛

晶分方向웨이퍼 방향

축 외 : 4H-N의 경우 <11-20> 방향으로 4.0° ±0.5° 축 상 : 4H-SI의 경우 <0001> ±0.5°

主定位边方向1차 아파트

{10-10}±5.0°

주 사용자 지정 속도기본 플랫 길이

47.5mm±2.5mm

边缘에지 제외

3mm

总厚島变化/弯曲道/翘曲titude TTV/활/워프

≤15μm / ≤40μm / ≤60μm

微管密degree와 基면位错MPD&BPD

MPD≤1cm-2

MPD≤5cm-2

MPD≤15cm-2

BPD≤1000cm-2

电阻率저항률

≥1E5Ω·cm

表face粗糙道거

폴란드 Ra≤1 nm

CMP Ra≤0.5nm

裂纹(强光灯观测) #

없음

누적 길이 ≤10mm, 단일 길이 ≤2mm

고강도 빛에 의한 균열

六방공洞(强光灯观测)*

누적 면적 ≤1%

누적 면적 ≤5%

고강도 조명을 이용한 육각형 플레이트

더 많은(强光灯观测)*

없음

누적 면적≤5%

고강도 조명에 의한 폴리타입 영역

划痕(强光灯观测)*&

1×웨이퍼 직경에 3개의 스크래치

1×웨이퍼 직경에 5개의 스크래치

고강도 빛에 의한 긁힘

누적 길이

누적 길이

崩边# 엣지 칩

없음

허용 개수 5개, 각각 ≤1mm

表面污染(强光灯观测)

없음

고강도 빛에 의한 오염