Si 복합 기판의 반절연 SiC
품목 | 사양 | 품목 | 사양 |
지름 | 150±0.2mm | 정위 | <111>/<100>/<110> 등 |
폴리타입 | 4H | 유형 | 부품번호 |
비저항 | ≥1E8ohm·cm | 평탄 | 플랫/노치 |
전사층 두께 | ≥0.1μm | Edge Chip,Scratch,Crack(육안검사) | 없음 |
무효의 | ≤5ea/웨이퍼 (2mm>D>0.5mm) | TTV | ≤5μm |
전면 거칠기 | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | 두께 | 500/625/675±25μm |
이 조합은 전자제품 제조에 여러 가지 이점을 제공합니다.
호환성: 실리콘 기판을 사용하면 표준 실리콘 기반 처리 기술과 호환되며 기존 반도체 제조 공정과 통합할 수 있습니다.
고온 성능: SiC는 열 전도성이 뛰어나고 고온에서 작동할 수 있어 고전력 및 고주파 전자 응용 분야에 적합합니다.
높은 항복 전압: SiC 재료는 높은 항복 전압을 가지며 전기적 파손 없이 높은 전기장을 견딜 수 있습니다.
전력 손실 감소: SiC 기판은 기존 실리콘 기반 소재에 비해 전자 장치에서 더 효율적인 전력 변환과 더 낮은 전력 손실을 허용합니다.
넓은 대역폭: SiC는 넓은 대역폭을 갖고 있어 더 높은 온도와 더 높은 전력 밀도에서 작동할 수 있는 전자 장치를 개발할 수 있습니다.
따라서 Si 복합 기판의 반절연 SiC는 실리콘의 호환성과 SiC의 우수한 전기적 및 열적 특성을 결합하여 고성능 전자 응용 분야에 적합합니다.
포장 및 배송
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