실리콘 복합 기판 상의 반절연 SiC

간략한 설명:

실리콘 복합 기판 상의 반절연 SiC는 실리콘 기판 위에 탄화규소(SiC) 반절연층을 증착하여 구성된 반도체 재료입니다.


특징

품목 사양 품목 사양
지름 150±0.2mm 정위 <111>/<100>/<110> 등
다형체 4H 유형 P/N
저항률 ≥1E8ohm·cm 평탄 평면/노치
전사층 두께 ≥0.1μm 모서리 흠집, 긁힘, 균열 (육안 검사) 없음
무효의 웨이퍼당 5개 이하 (2mm > 직경 > 0.5mm) 티비 ≤5μm
전면 거칠기 Ra≤0.2nm
(5μm*5μm)
두께 500/625/675±25μm

이러한 조합은 전자제품 제조에 여러 가지 이점을 제공합니다.

호환성: 실리콘 기판을 사용하므로 표준 실리콘 기반 공정 기술과 호환되며 기존 반도체 제조 공정과 통합할 수 있습니다.

고온 성능: SiC는 열전도율이 뛰어나 고온에서도 작동할 수 있어 고출력 및 고주파 전자 응용 분야에 적합합니다.

높은 항복 전압: SiC 소재는 높은 항복 전압을 가지고 있어 전기적 파손 없이 높은 전기장을 견딜 수 있습니다.

전력 손실 감소: SiC 기판은 기존 실리콘 기반 소재에 비해 전자 기기에서 더욱 효율적인 전력 변환과 낮은 전력 손실을 가능하게 합니다.

넓은 대역폭: SiC는 넓은 대역폭을 가지고 있어 더 높은 온도와 더 높은 전력 밀도에서 작동할 수 있는 전자 장치 개발을 가능하게 합니다.

따라서 실리콘 복합 기판 위에 형성된 반절연 SiC는 실리콘의 호환성과 SiC의 우수한 전기적 및 열적 특성을 결합하여 고성능 전자 장치 응용 분야에 적합합니다.

포장 및 배송

1. 보호용 비닐과 맞춤형 상자를 사용하여 포장하겠습니다. (친환경 소재)

2. 수량에 따라 맞춤형 포장이 가능합니다.

3. DHL/Fedex/UPS 특송은 일반적으로 목적지까지 3~7영업일이 소요됩니다.

상세도

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