실리콘 복합 기판 상의 반절연 SiC
| 품목 | 사양 | 품목 | 사양 |
| 지름 | 150±0.2mm | 정위 | <111>/<100>/<110> 등 |
| 다형체 | 4H | 유형 | P/N |
| 저항률 | ≥1E8ohm·cm | 평탄 | 평면/노치 |
| 전사층 두께 | ≥0.1μm | 모서리 흠집, 긁힘, 균열 (육안 검사) | 없음 |
| 무효의 | 웨이퍼당 5개 이하 (2mm > 직경 > 0.5mm) | 티비 | ≤5μm |
| 전면 거칠기 | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | 두께 | 500/625/675±25μm |
이러한 조합은 전자제품 제조에 여러 가지 이점을 제공합니다.
호환성: 실리콘 기판을 사용하므로 표준 실리콘 기반 공정 기술과 호환되며 기존 반도체 제조 공정과 통합할 수 있습니다.
고온 성능: SiC는 열전도율이 뛰어나 고온에서도 작동할 수 있어 고출력 및 고주파 전자 응용 분야에 적합합니다.
높은 항복 전압: SiC 소재는 높은 항복 전압을 가지고 있어 전기적 파손 없이 높은 전기장을 견딜 수 있습니다.
전력 손실 감소: SiC 기판은 기존 실리콘 기반 소재에 비해 전자 기기에서 더욱 효율적인 전력 변환과 낮은 전력 손실을 가능하게 합니다.
넓은 대역폭: SiC는 넓은 대역폭을 가지고 있어 더 높은 온도와 더 높은 전력 밀도에서 작동할 수 있는 전자 장치 개발을 가능하게 합니다.
따라서 실리콘 복합 기판 위에 형성된 반절연 SiC는 실리콘의 호환성과 SiC의 우수한 전기적 및 열적 특성을 결합하여 고성능 전자 장치 응용 분야에 적합합니다.
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