장비용 CVD SiC 코팅이 적용된 SiC 세라믹 트레이 플레이트 흑연

간단한 설명:

Shanghai Xinkehui New Materials Co., Ltd.는 Φ380mm-Φ600mm 반도체 에칭 디스크, 웨이퍼 베어링 디스크, 탄화규소 트레이, SIC 트레이, 탄화규소 트레이, ICP 에칭 트레이, 에칭 트레이, 탄화규소 순도 > 99.9%, SIC 트레이 서비스 수명을 생산합니다. 흑연 기반 CVD 트레이의 4배, 변형 없는 장기간 사용, FH산에 대한 저항성, 농축된 H2So4 부식.


제품 상세 정보

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실리콘 카바이드 세라믹은 에피택시나 MOCVD와 같은 박막 증착 단계나 웨이퍼 가공에서 사용될 뿐만 아니라 MOCVD용 웨이퍼 캐리어 트레이가 먼저 증착 환경에 노출되는 핵심이기 때문에 내오염성이 매우 높습니다. 열 및 부식.SiC 코팅 캐리어는 또한 높은 열 전도성과 우수한 열 분포 특성을 가지고 있습니다.

고온 MOCVD(금속 유기 화학 기상 증착) 처리를 위한 순수 화학 기상 증착 실리콘 카바이드(CVD SiC) 웨이퍼 캐리어입니다.

순수 CVD SiC 웨이퍼 캐리어는 이 공정에 사용되는 기존 웨이퍼 캐리어(흑연이고 CVD SiC 층으로 코팅됨)보다 훨씬 우수합니다.이러한 코팅된 흑연 기반 캐리어는 오늘날의 고휘도 청색 및 백색 LED의 GaN 증착에 필요한 고온(섭씨 1100~1200도)을 견딜 수 없습니다.고온으로 인해 코팅에 작은 핀홀이 생기고, 이를 통해 공정 화학물질이 아래에 있는 흑연을 침식합니다.그런 다음 흑연 입자가 벗겨져 GaN을 오염시켜 코팅된 웨이퍼 캐리어를 교체하게 됩니다.

CVD SiC는 순도 99.999% 이상으로 열전도율과 내열충격성이 높다.따라서 고휘도 LED 제조의 고온과 가혹한 환경을 견딜 수 있습니다.이론적 밀도에 도달하고 입자를 최소화하며 매우 높은 부식 및 침식 저항성을 나타내는 견고한 단일체 재료입니다.재료는 금속 불순물을 도입하지 않고도 불투명도와 전도성을 변경할 수 있습니다.웨이퍼 캐리어는 일반적으로 직경이 17인치이며 최대 40개의 2~4인치 웨이퍼를 수용할 수 있습니다.

상세 다이어그램

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