SiC 기판 실리콘 카바이드 웨이퍼 4H-N 유형 고경도 내식성 Prime Grade 연마
실리콘 카바이드 웨이퍼의 특성은 다음과 같습니다.
1. 더 높은 열전도도: SIC 웨이퍼의 열전도도는 실리콘보다 훨씬 높아서 SIC 웨이퍼는 열을 효과적으로 발산할 수 있으며 고온 환경에서의 작동에 적합합니다.
2. 더 높은 전자 이동도: SIC 웨이퍼는 실리콘보다 전자 이동도가 높아 SIC 장치가 더 빠른 속도로 작동할 수 있습니다.
3. 높은 파괴 전압: SIC 웨이퍼 소재는 파괴 전압이 더 높아 고전압 반도체 소자 제조에 적합합니다.
4. 더 높은 화학적 안정성: SIC 웨이퍼는 더 강한 화학적 부식 저항성을 가지고 있어 장치의 신뢰성과 내구성을 개선하는 데 도움이 됩니다.
5. 더 넓은 밴드갭: SIC 웨이퍼는 실리콘보다 밴드갭이 더 넓어서 SIC 장치가 고온에서 더 우수하고 안정적입니다.
실리콘 카바이드 웨이퍼는 다양한 용도로 사용됩니다.
1. 기계 분야: 절삭 공구 및 연삭 재료; 내마모성 부품 및 부싱; 산업용 밸브 및 씰; 베어링 및 볼
2. 전자 전력 분야: 전력 반도체 소자, 고주파 마이크로파 소자, 고전압 고온 전력 전자, 열 관리 재료
3. 화학 산업: 화학 반응기 및 장비; 부식 방지 파이프 및 저장 탱크; 화학 촉매 지지체
4. 에너지 분야: 가스터빈 및 터보차저 부품, 원자력 핵심 및 구조 부품, 고온 연료 전지 부품
5. 항공우주: 미사일 및 우주선용 열 보호 시스템; 제트 엔진 터빈 블레이드; 고급 복합재
6. 기타 분야: 고온 센서 및 열전퇴; 소결 공정용 다이 및 공구; 연삭 및 연마 및 절단 분야
ZMKJ는 전자 및 광전자 산업에 고품질 단결정 SiC 웨이퍼(탄화규소)를 제공합니다. SiC 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼 및 GaAs 웨이퍼에 비해 고유한 전기적 특성과 뛰어난 열적 특성을 가진 차세대 반도체 소재로, 고온 및 고전력 소자 응용 분야에 더욱 적합합니다. SiC 웨이퍼는 직경 2~6인치, 4H 및 6H SiC, N형, 질소 도핑 및 반절연형으로 공급됩니다. 자세한 제품 정보는 당사에 문의하십시오.
당사 공장은 고객의 특정 요구 사항에 따라 SiC 웨이퍼의 다양한 사양, 두께 및 모양을 맞춤 제작할 수 있는 고급 생산 장비와 기술 팀을 보유하고 있습니다.
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