4인치 반절연 SiC 웨이퍼, HPSI SiC 기판, 최고급 생산 등급
제품 사양
탄화규소(SiC)는 탄소와 실리콘 원소로 구성된 화합물 반도체 소재로, 고온, 고주파, 고출력, 고전압 소자 제작에 이상적인 소재 중 하나입니다. 기존 실리콘(Si) 소재와 비교했을 때, 탄화규소의 금지대역폭은 실리콘의 3배, 열전도율은 실리콘의 4~5배, 항복전압은 실리콘의 8~10배, 전자 포화 드리프트율은 실리콘의 2~3배에 달하여 현대 산업의 고출력, 고전압, 고주파 요구 조건을 충족합니다. 주로 고속, 고주파, 고출력 및 발광 전자 부품 제작에 사용되며, 스마트 그리드, 신에너지 자동차, 태양광 및 풍력 발전, 5G 통신 등 다양한 분야에 응용됩니다. 전력 소자 분야에서는 탄화규소 다이오드와 MOSFET이 상용화되기 시작했습니다.
SiC 웨이퍼/SiC 기판의 장점
고온 저항성. 탄화규소의 금지대역폭은 실리콘의 2~3배에 달하므로 고온에서 전자의 이동이 적어 더 높은 작동 온도를 견딜 수 있으며, 열전도율은 실리콘의 4~5배에 이르러 소자에서 발생하는 열을 효과적으로 발산하여 더 높은 작동 한계 온도를 설정할 수 있습니다. 이러한 고온 특성은 전력 밀도를 크게 향상시키면서 방열 시스템에 대한 요구 사항을 줄여 단말기를 더욱 경량화하고 소형화할 수 있도록 합니다.
높은 전압 저항성. 탄화규소의 절연 파괴 강도는 실리콘보다 10배 높아 더 높은 전압을 견딜 수 있으므로 고전압 장치에 더욱 적합합니다.
고주파 저항성이 우수합니다. 탄화규소는 실리콘보다 포화 전자 드리프트 속도가 두 배 높기 때문에 소자의 셧다운 과정에서 전류 끌림 현상이 발생하지 않아 소자의 스위칭 주파수를 효과적으로 향상시키고 소자 소형화를 실현할 수 있습니다.
에너지 손실이 적습니다. 탄화규소는 실리콘 소재에 비해 온 저항이 매우 낮아 전도 손실이 적습니다. 동시에 탄화규소의 높은 대역폭은 누설 전류와 전력 손실을 크게 줄여줍니다. 또한, 탄화규소 소자는 셧다운 과정에서 전류 끌림 현상이 없어 스위칭 손실이 적습니다.
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