8인치 200mm 4H-N SiC 웨이퍼 전도성 더미 연구 등급

간단한 설명:

운송, 에너지 및 산업 시장이 발전함에 따라 안정적인 고성능 전력 전자 장치에 대한 수요가 계속해서 증가하고 있습니다. 향상된 반도체 성능에 대한 요구를 충족하기 위해 장치 제조업체는 4H n형 탄화규소(SiC) 웨이퍼로 구성된 4H SiC Prime Grade 포트폴리오와 같은 넓은 밴드갭 반도체 소재를 찾고 있습니다.

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제품 세부정보

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고유한 물리적, 전자적 특성으로 인해 200mm SiC 웨이퍼 반도체 소재는 고성능, 고온, 내방사선성 및 고주파수 전자 장치를 만드는 데 사용됩니다. 8inch SiC 기판 가격은 기술이 발전하고 수요가 증가함에 따라 점차 하락하고 있습니다. 최근 기술 개발로 인해 200mm SiC 웨이퍼의 생산 규모 제조가 가능해졌습니다. Si 및 GaAs 웨이퍼와 비교하여 SiC 웨이퍼 반도체 재료의 주요 장점: 눈사태 항복 중 4H-SiC의 전계 강도는 Si 및 GaAs에 해당하는 값보다 훨씬 더 높습니다. 이로 인해 온 상태 저항 Ron이 크게 감소합니다. 낮은 온 상태 저항과 높은 전류 밀도 및 열 전도성이 결합되어 전력 장치에 매우 작은 다이를 사용할 수 있습니다. SiC의 높은 열 전도성은 칩의 열 저항을 감소시킵니다. SiC 웨이퍼 기반 장치의 전자 특성은 시간이 지나도 매우 안정적이며 온도에서도 안정적이므로 제품의 높은 신뢰성을 보장합니다. 탄화규소는 강한 방사선에 대한 저항력이 매우 뛰어나 칩의 전자적 특성을 저하시키지 않습니다. 크리스탈의 높은 제한 작동 온도(6000C 이상)를 통해 가혹한 작동 조건과 특수 응용 분야를 위한 매우 안정적인 장치를 만들 수 있습니다. 현재 우리는 소량 배치 200mmSiC 웨이퍼를 꾸준하고 지속적으로 공급할 수 있으며 창고에 일부 재고를 보유하고 있습니다.

사양

숫자	목	단위	생산	연구	더미
1. 매개변수
1.1	다형	--	4H	4H	4H
1.2	표면 방향	°	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5
2. 전기적 매개변수
2.1	도펀트	--	n형 질소	n형 질소	n형 질소
2.2	저항력	옴 ·cm	0.015~0.025	0.01~0.03	NA
3. 기계적 매개변수
3.1	지름	mm	200±0.2	200±0.2	200±0.2
3.2	두께	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	노치 방향	°	[1-100]±5	[1-100]±5	[1-100]±5
3.4	노치 깊이	mm	1~1.5	1~1.5	1~1.5
3.5	LTV	μm	≤5(10mm*10mm)	≤5(10mm*10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	절하다	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	경사	μm	≤30	≤50	70 이하
3.9	AFM	nm	Ra ≤0.2	Ra ≤0.2	Ra ≤0.2
4. 구조
4.1	마이크로파이프 밀도	개/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	금속 함량	원자/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	티에스디	개/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	개/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	개/cm2	≤7000	≤10000	NA
5. 긍정적인 품질
5.1	앞쪽	--	Si	Si	Si
5.2	표면 마무리	--	Si-페이스 CMP	Si-페이스 CMP	Si-페이스 CMP
5.3	입자	개/웨이퍼	≤100(크기≥0.3μm)	NA	NA
5.4	할퀴다	개/웨이퍼	≤5, 총 길이 ≤200mm	NA	NA
5.5	가장자리 칩/눌림/균열/얼룩/오염	--	없음	없음	NA
5.6	다형 영역	--	없음	지역 ≤10%	면적 ≤30%
5.7	전면 마킹	--	없음	없음	없음
6. 뒷면 품질
6.1	백 마무리	--	C-페이스 MP	C-페이스 MP	C-페이스 MP
6.2	할퀴다	mm	NA	NA	NA
6.3	뒷면 결함 가장자리 칩/인덴트	--	없음	없음	NA
6.4	뒷면 거칠기	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	뒷면 마킹	--	골짜기	골짜기	골짜기
7. 엣지
7.1	가장자리	--	모따기	모따기	모따기
8. 패키지
8.1	포장	--	진공으로 Epi 준비 완료 포장	진공으로 Epi 준비 완료 포장	진공으로 Epi 준비 완료 포장
8.2	포장	--	다중 웨이퍼 카세트 포장	다중 웨이퍼 카세트 포장	다중 웨이퍼 카세트 포장