8인치 200mm 4H-N SiC 웨이퍼 전도성 더미 연구용 등급
고유한 물리적 및 전자적 특성으로 인해 200mm SiC 웨이퍼 반도체 소재는 고성능, 고온, 내방사선성 및 고주파 전자 장치를 만드는 데 사용됩니다. 8인치 SiC 기판 가격은 기술이 더욱 발전하고 수요가 증가함에 따라 점차 낮아지고 있습니다. 최근 기술 개발로 200mm SiC 웨이퍼의 대량 생산이 가능해졌습니다. Si 및 GaAs 웨이퍼와 비교했을 때 SiC 웨이퍼 반도체 소재의 주요 장점은 다음과 같습니다. 애벌랜치 항복 중 4H-SiC의 전계 강도는 Si 및 GaAs의 해당 값보다 수십 배 이상 높습니다. 이로 인해 온 상태 저항률 Ron이 크게 감소합니다. 낮은 온 상태 저항률은 높은 전류 밀도 및 열 전도도와 결합되어 전력 소자에 매우 작은 다이를 사용할 수 있게 합니다. SiC의 높은 열 전도도는 칩의 열 저항을 줄입니다. SiC 웨이퍼 기반 소자의 전자적 특성은 시간이 지남에 따라 매우 안정적이며 온도에서도 안정적이어서 제품의 높은 신뢰성을 보장합니다. 탄화규소는 강한 방사선에 대한 내성이 매우 뛰어나 칩의 전자적 특성을 저하시키지 않습니다. 결정의 높은 한계 작동 온도(6000°C 이상) 덕분에 가혹한 작동 조건 및 특수 용도에 적합한 매우 신뢰할 수 있는 장치를 제작할 수 있습니다. 현재 당사는 소량 생산 200mm SiC 웨이퍼를 안정적이고 지속적으로 공급할 수 있으며, 창고에 재고를 보유하고 있습니다.
사양
| 숫자 | 목 | 단위 | 생산 | 연구 | 더미 |
| 1. 매개변수 | |||||
| 1.1 | 폴리타입 | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | 표면 방향 | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. 전기적 매개변수 | |||||
| 2.1 | 도펀트 | -- | n형 질소 | n형 질소 | n형 질소 |
| 2.2 | 저항률 | 옴·cm | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3. 기계적 매개변수 | |||||
| 3.1 | 지름 | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | 두께 | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | 노치 방향 | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | 노치 깊이 | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | 티티비 | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | 절하다 | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | 경사 | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | 원자현미경 | nm | 라≤0.2 | 라≤0.2 | 라≤0.2 |
| 4. 구조 | |||||
| 4.1 | 마이크로파이프 밀도 | 개/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | 금속 함량 | 원자/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | 티에스디 | 개/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | 경계성 인격 장애 | 개/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | 테드 | 개/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. 긍정적인 품질 | |||||
| 5.1 | 앞쪽 | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | 표면 마감 | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | 입자 | 개/웨이퍼 | ≤100(크기≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | 할퀴다 | 개/웨이퍼 | ≤5, 총 길이 ≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | 가장자리 칩/움푹 들어간 부분/균열/얼룩/오염 | -- | 없음 | 없음 | NA |
| 5.6 | 폴리타입 영역 | -- | 없음 | 면적 ≤10% | 면적 ≤30% |
| 5.7 | 앞면 표시 | -- | 없음 | 없음 | 없음 |
| 6. 뒷면 품질 | |||||
| 6.1 | 뒷면 마감 | -- | C-페이스 MP | C-페이스 MP | C-페이스 MP |
| 6.2 | 할퀴다 | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | 뒤쪽 결함 가장자리 칩/움푹 들어간 부분 | -- | 없음 | 없음 | NA |
| 6.4 | 뒷면 거칠기 | nm | 라≤5 | 라≤5 | 라≤5 |
| 6.5 | 백 마킹 | -- | 골짜기 | 골짜기 | 골짜기 |
| 7. 엣지 | |||||
| 7.1 | 가장자리 | -- | 모따기 | 모따기 | 모따기 |
| 8. 패키지 | |||||
| 8.1 | 포장 | -- | 진공 기능이 있는 Epi-ready 포장 | 진공 기능이 있는 Epi-ready 포장 | 진공 기능이 있는 Epi-ready 포장 |
| 8.2 | 포장 | -- | 멀티웨이퍼 카세트 포장 | 멀티웨이퍼 카세트 포장 | 멀티웨이퍼 카세트 포장 |
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