8인치 200mm 실리콘 카바이드 SiC 웨이퍼 4H-N 유형 생산 등급 500um 두께

크기: 8인치;

직경: 200mm±0.2;

두께: 500um±25;

표면 방향: [11-20]±0.5° 방향으로 4;

노치 방향:[1-100]±1°;

노치 깊이: 1±0.25mm;

마이크로파이프: <1cm2;

육각 플레이트: 허용되지 않음;

저항력: 0.015~0.028Ω;

EPD:<8000cm2;

TED:<6000cm2

BPD:<2000cm2

TSD:<1000cm2

SF: 면적<1%

TTV≤15um;

워프 ≤40um;

활 ≤25um;

폴리 영역: ≤5%;

스크래치: <5 및 누적 길이< 1 웨이퍼 직경;

칩/인덴트: 없음 D>0.5mm 너비 및 깊이 허용;

균열: 없음;

얼룩: 없음

웨이퍼 가장자리: 모따기;

표면 마감: 양면 광택, Si Face CMP;

포장: 다중 웨이퍼 카세트 또는 단일 웨이퍼 컨테이너;

200mm 4H-SiC 결정 제조의 현재 어려움

1) 고품질 200mm 4H-SiC 종자정의 제조;

2) 대형 온도장 불균일성 및 핵생성 공정 제어;

3) 대형 결정 성장 시스템에서 기체 성분의 수송 효율과 진화;

4) 큰 크기의 열응력 증가로 인한 결정 균열 및 결함 확산.

이러한 문제를 극복하고 고품질 200mm SiC 웨이퍼 솔루션을 얻기 위해 다음과 같은 솔루션이 제안됩니다.

200mm 종자 결정 준비 측면에서, 적절한 온도 장유동장 및 확장 어셈블리를 연구하고 결정 품질 및 확장 크기를 고려하도록 설계했습니다.150mm SiC se:d 결정으로 시작하여 시드 결정 반복을 수행하여 200mm에 도달할 때까지 SiC 결정 크기를 점진적으로 확장합니다.다중 결정 성장 및 공정을 통해 결정 확장 영역의 결정 품질을 점차적으로 최적화하고 200mm 종자 결정의 품질을 향상시킵니다.

200mm 전도성 결정 및 기판 준비 측면에서 연구를 통해 대형 결정 성장을 위한 온도 장 및 유동장 설계를 최적화하고, 200mm 전도성 SiC 결정 성장을 수행하고, 도핑 균일성을 제어했습니다.결정을 거칠게 가공하고 성형한 후 표준 직경을 갖는 8인치 전기 전도성 4H-SiC 잉곳을 얻었습니다.절단, 연삭, 연마, 가공을 거쳐 두께 525um 정도의 SiC 200mm 웨이퍼를 얻습니다.