P형 SiC 웨이퍼, 4H/6H-P 3C-N, 두께 350μm, 1차 평면 방향
4H/6H-P형 SiC 복합 기판 공통 파라미터 표
6 인치 직경의 탄화규소(SiC) 기판 사양
| 등급 | 제로 MPD 생산등급(Z) 등급) | 표준 생산등급(P) 등급) | 더미 등급 (D 등급) | ||
| 지름 | 145.5mm~150.0mm | ||||
| 두께 | 350 μm ± 25 μm | ||||
| 웨이퍼 방향 | -Off축: 4H/6H-P의 경우 [1120] 방향으로 2.0°-4.0° ± 0.5°, 축상: 3C-N의 경우 〈111〉 ± 0.5° | ||||
| 마이크로파이프 밀도 | 0cm-2 | ||||
| 저항률 | p형 4H/6H-P | ≤0.1 Ωꞏcm | ≤0.3 Ωꞏcm | ||
| n형 3C-N | ≤0.8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| 기본 평면 방향 | 4시간/6시간-P | -{1010} ± 5.0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5.0° | ||||
| 기본 평면 길이 | 32.5mm ± 2.0mm | ||||
| 보조 평면 길이 | 18.0mm ± 2.0mm | ||||
| 보조 평면 방향 | 실리콘 면이 위로 향하게: 프라임 평면에서 ± 5.0° 각도로 시계방향으로 90° | ||||
| 에지 제외 | 3mm | 6mm | |||
| LTV/TTV/보우/워프 | 2.5μm 이하/5μm 이하/15μm/30μm 이하 | 10μm 이하/15μm/25μm/40μm 이하 | |||
| 거 | 폴란드 Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||
| 고강도 조명에 의한 모서리 균열 | 없음 | 누적 길이 ≤ 10mm, 단일 길이 ≤ 2mm | |||
| 고강도 조명을 이용한 육각형 플레이트 | 누적 면적 ≤0.05% | 누적 면적 ≤0.1% | |||
| 고강도 빛을 이용한 다형체 영역 | 없음 | 누적 면적≤3% | |||
| 시각적 탄소 함유물 | 누적 면적 ≤0.05% | 누적 면적 ≤3% | |||
| 고강도 빛에 의한 실리콘 표면 긁힘 | 없음 | 누적 길이 ≤1×웨이퍼 직경 | |||
| 엣지 칩은 빛의 강도에 따라 높은 성능을 발휘합니다. | 너비와 깊이가 0.2mm 이상인 것은 허용되지 않습니다. | 5개까지 허용, 각 크기 ≤1mm | |||
| 고강도에 의한 실리콘 표면 오염 | 없음 | ||||
| 포장 | 멀티 웨이퍼 카세트 또는 싱글 웨이퍼 컨테이너 | ||||
참고:
※ 결함 허용 한도는 가장자리 제외 영역을 제외한 웨이퍼 전체 표면에 적용됩니다. # 스크래치는 Si 면에서 검사해야 합니다.
6인치 크기에 350μm 두께를 가진 P형 SiC 웨이퍼(4H/6H-P 3C-N)는 고성능 전력 전자 제품의 산업 생산에 매우 중요한 역할을 합니다. 뛰어난 열전도율과 높은 항복 전압 덕분에 전기 자동차, 전력망, 신재생 에너지 시스템과 같은 고온 환경에서 사용되는 전력 스위치, 다이오드, 트랜지스터 등의 부품 제조에 이상적입니다. 이 웨이퍼는 극한 환경에서도 효율적으로 작동할 수 있어 고전력 밀도와 에너지 효율이 요구되는 산업 응용 분야에서 안정적인 성능을 보장합니다. 또한, 평평한 기본 방향성은 소자 제작 과정에서 정밀한 정렬을 가능하게 하여 생산 효율성과 제품 일관성을 향상시킵니다.
N형 SiC 복합 기판의 장점은 다음과 같습니다.
- 높은 열전도율P형 SiC 웨이퍼는 열을 효율적으로 발산하므로 고온 환경에 적합합니다.
- 높은 항복 전압고전압을 견딜 수 있어 전력 전자 장치 및 고전압 기기의 신뢰성을 보장합니다.
- 가혹한 환경에 대한 저항력고온 및 부식성 환경과 같은 극한 조건에서도 뛰어난 내구성을 자랑합니다.
- 효율적인 전력 변환P형 도핑은 효율적인 전력 처리를 가능하게 하여 웨이퍼를 에너지 변환 시스템에 적합하게 만듭니다.
- 기본 평면 방향제조 과정에서 정확한 정렬을 보장하여 장치의 정확성과 일관성을 향상시킵니다.
- 얇은 구조(350 μm)웨이퍼의 최적 두께는 공간 제약이 있는 첨단 전자 장치에 통합하는 데 적합합니다.
전반적으로, P형 SiC 웨이퍼인 4H/6H-P 3C-N은 산업 및 전자 응용 분야에 매우 적합한 다양한 장점을 제공합니다. 높은 열전도율과 항복 전압 덕분에 고온·고전압 환경에서도 안정적인 작동이 가능하며, 극한 조건에 대한 내성은 내구성을 보장합니다. P형 도핑은 효율적인 전력 변환을 가능하게 하여 전력 전자 및 에너지 시스템에 이상적입니다. 또한, 웨이퍼의 평면 방향성은 제조 공정 중 정밀한 정렬을 보장하여 생산 일관성을 향상시킵니다. 350μm의 얇은 두께는 첨단 소형 장치에 통합하기에 적합합니다.
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