KY 및 EFG 사파이어 방법 튜브 사파이어 막대 파이프 고압
설명
사파이어 막대는 다양한 용도로 사용됩니다. 광학 및 내마모성 용도로 모든 표면을 연마하여 제작하거나, 절연체로 사용하기 위해 모든 표면을 미세 연마(미연마)하여 제작할 수 있습니다.
기술
시드를 이용하여 용융물에서 사파이어 튜브를 인발하는 공정 중, 응고된 전면과 온도가 1850~1900°C인 인발 영역 사이의 종방향 온도 구배는 30°C/cm를 초과하지 않도록 유지됩니다. 이렇게 성장된 튜브는 1950~2000°C의 온도에서 분당 30~40°C의 속도로 온도를 상승시키고 3~4시간 동안 해당 온도를 유지하여 어닐링합니다. 그 후, 튜브를 분당 30~40°C의 속도로 실온까지 냉각합니다.
반도체 처리 응용 분야
(HPD CVD, PECVD, 건식 에칭, 습식 에칭).
플라즈마 도포관.
공정 가스 분사 노즐.
종료점 감지기.
엑시머 코로나 튜브.
플라즈마 격리 튜브
플라즈마 튜브 밀봉기는 전자 부품을 캡슐화하는 데 사용되는 장치입니다. 원리는 플라즈마의 고온 고압을 이용하여 포장재를 녹여 부품에 밀봉하는 것입니다. 플라즈마 튜브 밀봉기의 주요 구성 요소는 플라즈마 발생기, 튜브 밀봉 챔버, 진공 시스템, 제어 시스템 등으로 구성됩니다.
열전대 보호 덮개(Thermowell)
열전대는 온도 측정기에서 일반적으로 사용되는 온도 측정 소자로, 온도를 직접 측정하고 온도 신호를 열전기 기전력 신호로 변환한 후 전기 계측기(보조 계측기)를 통해 측정 매체의 온도로 변환합니다.
수처리/세척
사파이어 튜브 특성(이론적)
| 복합 공식 | 알루미나이드 |
| 분자량 | 101.96 |
| 모습 | 반투명 튜브 |
| 녹는점 | 2050°C(3720°F) |
| 비등점 | 2,977° C (5,391° F) |
| 밀도 | 4.0g/cm3 |
| 형태 | 삼각법(육각형), R3c |
| H2O에서의 용해도 | 98 x 10-6 g/100g |
| 굴절률 | 1.8 |
| 전기 저항률 | 17 10x Ω-m |
| 푸아송 비 | 0.28 |
| 비열 | 760 J Kg-1 K-1 (293K) |
| 인장 강도 | 1390MPa(궁극) |
| 열전도도 | 30W/mK |
| 열팽창 | 5.3µm/mK |
| 영률 | 450 GPa |
| 정확한 질량 | 101.948g/몰 |
| 단일 동위원소 질량 | 101.94782 다 |
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