KY 및 EFG 사파이어 방식 튜브 사파이어 로드 파이프 고압
설명
사파이어 막대는 다양한 용도로 사용됩니다. 사파이어 막대는 광학 및 마모 용도를 위해 모든 표면을 연마하거나 절연체 역할을 하기 위해 모든 표면을 미세 연마(연마하지 않음)하여 만들 수 있습니다.
기술
시드를 사용하여 용융물에서 사파이어 튜브를 끌어내는 과정에서 온도가 1850~1900°C인 끌어당김 영역과 응고된 전면 사이 영역의 세로 온도 구배가 발생합니다. C는 30도를 넘지 않도록 유지됩니다. C/cm. 이렇게 성장한 튜브는 1950~2000도 사이의 온도에서 어닐링됩니다. 30~40도씩 온도를 올려줍니다. C/min으로 유지하고 3~4시간 동안 튜브를 해당 온도로 유지합니다. 그 후 튜브를 30~40°C의 속도로 실온으로 냉각합니다. C/분.
반도체 공정 애플리케이션
(HPD CVD, PECVD, 건식 에칭, 습식 에칭).
플라즈마 애플리케이터 튜브.
공정 가스 주입기 노즐.
엔드포인트 탐지기.
엑시머 코로나 튜브.
플라즈마 봉쇄 튜브
플라즈마 튜브 밀봉 기계는 전자 부품을 캡슐화하는 데 사용되는 장치입니다. 그 원리는 플라즈마의 고온, 고압을 사용하여 포장재를 녹여 부품에 캡슐화하는 것입니다. 플라즈마 튜브 밀봉 기계의 주요 구성 요소에는 플라즈마 발생기, 튜브 밀봉 챔버, 진공 시스템, 제어 시스템 등이 포함됩니다.
열전대 보호 피복(Thermowell)
열전대는 온도 측정기에서 일반적으로 사용되는 온도 측정 요소로, 온도를 직접 측정하고 온도 신호를 전기 기기(보조 기기)를 통해 측정 매체의 온도로 열전 기전력 신호로 변환합니다.
수처리/세척
사파이어 튜브 특성(이론적)
| 복합 공식 | Al2O3 |
| 분자량 | 101.96 |
| 모습 | 반투명 튜브 |
| 녹는점 | 2050°C(3720°F) |
| 비등점 | 2,977°C(5,391°F) |
| 밀도 | 4.0g/cm3 |
| 형태 | 삼각(16진수), R3c |
| H2O의 용해도 | 98×10-6g/100g |
| 굴절률 | 1.8 |
| 전기 저항력 | 17 10xΩ-m |
| 포아송비 | 0.28 |
| 비열 | 760 J Kg-1 K-1 (293K) |
| 인장강도 | 1390MPa(최대) |
| 열전도율 | 30W/mK |
| 열팽창 | 5.3μm/mK |
| 영률 | 450GPa |
| 정확한 질량 | 101.948g/몰 |
| 단일동위원소 질량 | 101.94782 다 |
상세 다이어그램
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