SiC 기판 P형 4H/6H-P 3C-N 4인치 두께 350um 생산 등급 더미 등급
4인치 SiC 기판 P형 4H/6H-P 3C-N 매개변수표
4 인치 직경 실리콘카바이드(SiC) 기판 사양
등급 | MPD 생산 없음 등급(Z 등급) | 표준 생산 등급(P 등급) | 더미 등급 (D 등급) | ||
지름 | 99.5mm~100.0mm | ||||
두께 | 350㎛ ± 25㎛ | ||||
웨이퍼 방향 | 축에서 벗어나: [11 방향으로 2.0°-4.0°20] 4H/6H의 경우 ± 0.5°P, On축: 3C-N의 경우 〈111〉± 0.5° | ||||
마이크로파이프 밀도 | 0cm-2 | ||||
저항률 | p형 4H/6H-P | ≤0.1Ωꞏcm | ≤0.3Ωꞏcm | ||
n형 3C-N | ≤0.8 mΩꞏcm | ≤1 mΩꞏcm | |||
기본 평면 방향 | 4시간/6시간-피 | - {1010} ± 5.0° | |||
3C-N | - {110} ± 5.0° | ||||
기본 플랫 길이 | 32.5mm ± 2.0mm | ||||
2차 플랫 길이 | 18.0mm ± 2.0mm | ||||
2차 평면 방향 | 실리콘 윗면: Prime flat에서 90° CW±5.0° | ||||
에지 제외 | 3mm | 6mm | |||
LTV/TTV/활/워프 | ≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
거 | 폴란드 Ra≤1 nm | ||||
CMP Ra≤0.2nm | Ra≤0.5nm | ||||
고강도 조명으로 인한 가장자리 균열 | 없음 | 누적 길이 ≤ 10mm, 단일 길이 ≤ 2mm | |||
고강도 조명의 육각형 플레이트 | 누적 면적 ≤0.05% | 누적 면적 ≤0.1% | |||
고강도 조명을 통한 폴리타입 영역 | 없음 | 누적 면적≤3% | |||
시각적 탄소 내포물 | 누적 면적 ≤0.05% | 누적 면적 ≤3% | |||
고강도 빛에 의한 실리콘 표면 스크래치 | 없음 | 누적 길이≤1×웨이퍼 직경 | |||
강도 조명으로 엣지 칩스 하이 | ≥0.2mm 폭 및 깊이는 허용되지 않습니다. | 허용 개수 5개, 각각 ≤1mm | |||
고강도 실리콘 표면 오염 | 없음 | ||||
포장 | 다중 웨이퍼 카세트 또는 단일 웨이퍼 컨테이너 |
참고사항:
※결함 한도는 에지 제외 영역을 제외한 전체 웨이퍼 표면에 적용됩니다. # 스크래치는 Si 면에서만 확인해야 합니다.
두께 350μm의 P형 4H/6H-P 3C-N 4인치 SiC 기판은 첨단 전자 및 전력 소자 제조에 널리 사용됩니다. 뛰어난 열전도도, 높은 항복 전압, 그리고 극한 환경에 대한 강한 내구성을 갖춘 이 기판은 고전압 스위치, 인버터, RF 소자와 같은 고성능 전력 전자 장치에 이상적입니다. 양산 등급 기판은 대량 생산에 사용되어 전력 전자 및 고주파 애플리케이션에 필수적인 신뢰성 있고 고정밀한 소자 성능을 보장합니다. 반면, 더미 등급 기판은 주로 공정 교정, 장비 테스트, 시제품 개발에 사용되어 반도체 생산의 품질 관리 및 공정 일관성 유지에 기여합니다.
사양N형 SiC 복합 기판의 장점은 다음과 같습니다.
- 높은 열전도도: 효율적인 방열 기능으로 인해 이 기판은 고온 및 고전력 응용 분야에 이상적입니다.
- 높은 파괴 전압: 고전압 작동을 지원하여 전력 전자 장치 및 RF 장치의 안정성을 보장합니다.
- 혹독한 환경에 대한 저항성: 고온 및 부식성 환경 등 극한 조건에서도 내구성이 뛰어나 오래 지속되는 성능을 보장합니다.
- 생산 등급 정밀도: 대규모 생산에서 고품질과 안정적인 성능을 보장하며, 고급 전력 및 RF 애플리케이션에 적합합니다.
- 테스트를 위한 더미 등급: 생산 등급 웨이퍼를 손상시키지 않고 정확한 프로세스 교정, 장비 테스트 및 프로토타입 제작이 가능합니다.
전반적으로, 두께 350μm의 P형 4H/6H-P 3C-N 4인치 SiC 기판은 고성능 전자 응용 분야에 상당한 이점을 제공합니다. 높은 열전도도와 항복 전압은 고전력 및 고온 환경에 이상적이며, 혹독한 환경에 대한 내성은 내구성과 신뢰성을 보장합니다. 생산 등급 기판은 전력 전자 및 RF 장치의 대량 생산에서 정밀하고 일관된 성능을 보장합니다. 한편, 더미 등급 기판은 공정 교정, 장비 테스트 및 프로토타입 제작에 필수적이며, 반도체 생산의 품질 관리 및 일관성을 지원합니다. 이러한 특징 덕분에 SiC 기판은 첨단 응용 분야에서 매우 다재다능합니다.
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