SiC
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탄화규소(SiC) 단결정 기판 – 10×10mm 웨이퍼
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MOS 또는 SBD용 4H-N HPSI SiC 웨이퍼, 6H-N 6H-P 3C-N SiC 에피택셜 웨이퍼
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전력 소자용 SiC 에피택셜 웨이퍼 – 4H-SiC, N형, 저결함 밀도
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4H-N형 SiC 에피택셜 웨이퍼 고전압 고주파
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3인치 고순도(비도핑) 탄화규소 웨이퍼 반절연 SiC 기판(HPSl)
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4H-N 8인치 SiC 기판 웨이퍼, 실리콘 카바이드 더미, 연구용 등급, 두께 500μm
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4H-N/6H-N SiC 웨이퍼 연구 생산용 더미 등급 직경 150mm 탄화규소 기판
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금 코팅 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼, SiC 웨이퍼, 2인치, 4인치, 6인치, 금 코팅 두께 10nm, 50nm, 100nm
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SiC 웨이퍼 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C형 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
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2인치 SIC 탄화규소 기판, 6H-N 타입, 0.33mm~0.43mm 양면 연마, 높은 열전도율, 낮은 전력 소비
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SiC 기판 3인치, 두께 350um, HPSI 타입, 프라임 등급, 더미 등급
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탄화규소(SiC) 잉곳 6인치 N형 더미/프라임 등급, 두께는 맞춤 제작 가능