SiC
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4H-N HPSI SiC 웨이퍼 6H-N 6H-P 3C-N SiC MOS 또는 SBD용 에피택셜 웨이퍼
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전력 소자용 SiC 에피택셜 웨이퍼 – 4H-SiC, N형, 저결함 밀도
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4H-N형 SiC 에피택셜 웨이퍼 고전압 고주파
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3인치 고순도(무도핑) 실리콘 카바이드 웨이퍼 반절연 SiC 기판(HPSl)
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4H-N 8인치 SiC 기판 웨이퍼 실리콘 카바이드 더미 연구 등급 500um 두께
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4H-N/6H-N SiC 웨이퍼 연구 생산 더미 등급 Dia150mm 실리콘 카바이드 기판
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Au 코팅 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼, SiC 웨이퍼, 2인치 4인치 6인치, 금 코팅 두께 10nm 50nm 100nm
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SiC 웨이퍼 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C형 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
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2인치 Sic 실리콘 카바이드 기판 6H-N 타입 0.33mm 0.43mm 양면 연마 높은 열전도도 낮은 전력 소모
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SiC 기판 3인치 350um 두께 HPSI 타입 Prime Grade 더미 등급
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실리콘 카바이드 SiC 잉곳 6인치 N형 더미/프라임 등급 두께는 사용자 정의 가능
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6인치 실리콘 카바이드 4H-SiC 반절연 잉곳, 더미 등급