탄화규소 다이아몬드 와이어 절단기 (4/6/8/12인치 SiC 잉곳 가공용)
작동 원리:
1. 잉곳 고정: SiC 잉곳(4H/6H-SiC)은 위치 정확도(±0.02mm)를 확보하기 위해 고정 장치를 통해 절삭 플랫폼에 고정됩니다.
2. 다이아몬드 라인 이동: 다이아몬드 라인(표면에 전기 도금된 다이아몬드 입자)은 가이드 휠 시스템에 의해 구동되어 고속으로 순환합니다(라인 속도 10~30m/s).
3. 절삭 이송: 잉곳을 설정된 방향으로 이송하고, 다이아몬드 라인을 따라 여러 개의 평행선(100~500개)을 동시에 절삭하여 여러 개의 웨이퍼를 형성합니다.
4. 냉각 및 칩 제거: 열 손상을 줄이고 칩을 제거하기 위해 절삭 부위에 냉각수(탈이온수 + 첨가제)를 분사하십시오.
주요 매개변수:
1. 절삭 속도: 0.2~1.0mm/min (SiC의 결정 방향 및 두께에 따라 다름).
2. 줄 장력: 20~50N (너무 높으면 줄이 끊어지기 쉽고, 너무 낮으면 절단 정확도에 영향을 미칩니다).
3. 웨이퍼 두께: 표준 350~500μm, 웨이퍼는 100μm까지 가능합니다.
주요 특징:
(1) 절삭정밀도
두께 허용 오차: ±5μm(@350μm 웨이퍼 기준), 기존 모르타르 절단 방식(±20μm)보다 우수함.
표면 조도: Ra<0.5μm (추가 연마 작업 없이도 후속 공정량을 줄일 수 있음).
뒤틀림: <10μm (후속 연마 작업의 난이도 감소).
(2) 처리 효율
다중 라인 절단: 한 번에 100~500개를 절단하여 생산 능력을 단일 라인 절단 대비 3~5배 향상시킵니다.
라인 수명: 다이아몬드 라인은 100~300km의 SiC를 절삭할 수 있습니다(주괴 경도 및 공정 최적화에 따라 다름).
(3) 저손상 처리
모서리 파손: 15μm 미만(기존 절단 방식 >50μm), 웨이퍼 수율 향상.
표면 아래 손상층: <5μm (연마 제거량 감소).
(4) 환경 보호 및 경제
모르타르 오염 없음: 모르타르 절단에 비해 폐액 처리 비용이 절감됩니다.
재료 활용도: 절삭 손실이 커터당 100μm 미만으로 SiC 원자재를 절약할 수 있습니다.
절단 효과:
1. 웨이퍼 품질: 표면에 육안으로 보이는 균열이 없고, 미세 결함이 거의 없음(제어 가능한 전위 확장). 조면 연마 공정에 바로 투입 가능하여 공정 시간을 단축할 수 있음.
2. 일관성: 배치 내 웨이퍼 두께 편차가 ±3% 미만으로 자동화 생산에 적합합니다.
3. 적용 범위: 4H/6H-SiC 잉곳 절단 지원, 전도성/반절연성 유형과 호환 가능.
기술 사양:
| 사양 | 세부 |
| 크기 (길이 × 너비 × 높이) | 2500x2300x2500 또는 사용자 지정 |
| 가공 재료 크기 범위 | 4, 6, 8, 10, 12인치 탄화규소 |
| 표면 거칠기 | Ra≤0.3u |
| 평균 절삭 속도 | 0.3mm/분 |
| 무게 | 5.5톤 |
| 절단 공정 설정 단계 | ≤30단계 |
| 장비 소음 | ≤80dB |
| 강철선 장력 | 0~110N(0.25 와이어 장력은 45N임) |
| 강철선 속도 | 0~30m/s |
| 총 전력 | 50kW |
| 다이아몬드 와이어 직경 | ≥0.18mm |
| 끝단 평탄도 | ≤0.05mm |
| 절단 및 파괴율 | (인적 요인, 실리콘 소재, 배선, 유지보수 등의 사유를 제외하고) ≤1% |
XKH 서비스:
XKH는 실리콘 카바이드 다이아몬드 와이어 절단기의 전 공정 서비스를 제공합니다. 여기에는 장비 선정(와이어 직경/와이어 속도 매칭), 공정 개발(절단 매개변수 최적화), 소모품 공급(다이아몬드 와이어, 가이드 휠) 및 사후 지원(장비 유지 보수, 절단 품질 분석)이 포함되어 고객이 95% 이상의 높은 수율과 저비용의 SiC 웨이퍼 대량 생산을 달성할 수 있도록 지원합니다. 또한, 초박형 절단, 자동 로딩 및 언로딩과 같은 맞춤형 업그레이드도 4~8주의 리드타임으로 제공합니다.
상세도
