Dia300x1.0mmt 두께 사파이어 웨이퍼 C-Plane SSP/DSP
웨이퍼박스 소개
| 크리스탈 재료 | Al2O3 99,999%, 고순도, 단결정, Al2O3 | |||
| 크리스탈 품질 | 함유물, 블록 마크, 쌍생, 색상, 미세 기포 및 분산 센터가 존재하지 않습니다. | |||
| 지름 | 2인치 | 3인치 | 4인치 | 6인치 ~ 12인치 |
| 50.8±0.1mm | 76.2±0.2mm | 100±0.3mm | 표준 생산 조항에 따라 | |
| 두께 | 430±15μm | 550±15μm | 650±20μm | 고객이 맞춤 설정할 수 있습니다. |
| 정위 | C-평면(0001) ~ M-평면(1-100) 또는 A-평면(1 1-2 0) 0.2±0.1° /0.3±0.1°, R-평면(1-1 0 2), A-평면 (1 1-2 0 ), M-평면(1-1 0 0), 모든 방향, 모든 각도 | |||
| 기본 플랫 길이 | 16.0±1mm | 22.0±1.0mm | 32.5±1.5mm | 표준 생산 조항에 따라 |
| 1차 평면 방향 | A면(1 1-2 0 ) ± 0.2° | |||
| TTV | 10μm 이하 | 15μm 이하 | 20μm 이하 | ≤30μm |
| LTV | 10μm 이하 | 15μm 이하 | 20μm 이하 | ≤30μm |
| 티르 | 10μm 이하 | 15μm 이하 | 20μm 이하 | ≤30μm |
| 절하다 | 10μm 이하 | 15μm 이하 | 20μm 이하 | ≤30μm |
| 경사 | 10μm 이하 | 15μm 이하 | 20μm 이하 | ≤30μm |
| 전면 | 표면 광택 처리(Ra< 0.2nm) | |||
*활: 고정되지 않은 자유 웨이퍼의 중앙 표면 중심점과 기준 평면의 편차. 기준 평면은 정삼각형의 세 모서리로 정의됩니다.
*워프(Warp): 위에 정의된 기준 평면으로부터 고정되지 않은 자유 웨이퍼의 중앙 표면의 최대 거리와 최소 거리 간의 차이입니다.
차세대 반도체 소자 및 에피택셜 성장을 위한 고품질 제품 및 서비스:
높은 평탄도(TTV, Bow, Warp 등 제어)
고품질 세척(파티클 오염 낮음, 금속 오염 낮음)
기판 드릴링, 홈 가공, 절단 및 후면 연마
기판의 청결도, 형상 등의 데이터 첨부(옵션)
사파이어 기판이 필요한 경우 언제든지 문의하십시오.
우편:eric@xkh-semitech.com+86 158 0194 2596 /doris@xkh-semitech.com+86 187 0175 6522
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