결정 방위 측정을 위한 웨이퍼 방위 시스템

간단한 설명:

웨이퍼 배향 장비는 X선 회절 원리를 활용하여 결정학적 배향을 결정함으로써 반도체 제조 및 재료 과학 공정을 최적화하는 고정밀 장치입니다. 핵심 구성 요소는 X선 광원(예: Cu-Kα, 0.154nm 파장), 정밀 고니오미터(각 분해능 ≤0.001°), 그리고 검출기(CCD 또는 섬광 계수기)입니다. 샘플을 회전시키고 회절 패턴을 분석하여 결정학적 지수(예: 100, 111)와 격자 간격을 ±30초각의 정확도로 계산합니다. 이 시스템은 자동화된 작업, 진공 고정, 다축 회전을 지원하며, 2~8인치 웨이퍼와 호환되어 웨이퍼 가장자리, 기준면, 에피택셜층 정렬을 신속하게 측정합니다. 주요 응용 분야로는 절삭 지향성 탄화규소, 사파이어 웨이퍼, 터빈 블레이드 고온 성능 검증 등이 있으며, 이는 칩의 전기적 특성과 수율을 직접적으로 향상시킵니다.


특징

장비 소개

웨이퍼 방향 측정 장비는 X선 회절(XRD) 원리를 기반으로 하는 정밀 장치로, 주로 반도체 제조, 광학 소재, 세라믹 및 기타 결정 소재 산업에서 사용됩니다.

이 장비는 결정 격자의 방향을 측정하고 정밀한 절단 또는 연마 공정을 안내합니다. 주요 특징은 다음과 같습니다.

  • 고정밀 측정:0.001°까지의 각도 분해능으로 결정학적 평면을 분해할 수 있습니다.
  • 대규모 샘플 호환성:직경 최대 450mm, 무게 30kg의 웨이퍼를 지원하며, 탄화규소(SiC), 사파이어, 실리콘(Si) 등의 소재에 적합합니다.
  • 모듈식 디자인:확장 가능한 기능으로는 로킹 커브 분석, 3D 표면 결함 매핑, 다중 샘플 처리를 위한 스태킹 장치가 있습니다.

주요 기술 매개변수

매개변수 범주

일반적인 값/구성

​​X선원​​

Cu-Kα(0.4×1 mm 초점), 30 kV 가속 전압, 0~5 mA 조정 가능 관 전류

각도 범위

θ: -10° ~ +50°; 2θ: -10° ~ +100°

정확도

기울기 각도 분해능: 0.001°, 표면 결함 검출: ±30초각(로킹 커브)

스캐닝 속도

오메가 스캔은 5초 안에 전체 격자 방향 설정을 완료합니다. 세타 스캔은 약 1분이 소요됩니다.

샘플 스테이지

V형 홈, 공압 흡입, 다각도 회전, 2~8인치 웨이퍼와 호환 가능

확장 가능한 기능

로킹 커브 분석, 3D 매핑, 스태킹 장치, 광학 결함 감지(스크래치, GB)

작동 원리

​​1. X선 회절 재단​​

  • X선은 결정 격자 내의 원자핵 및 전자와 상호 작용하여 회절 패턴을 생성합니다. 브래그의 법칙(nλ = 2d sinθ)은 회절각(θ)과 격자 간격(d) 사이의 관계를 지배합니다.
    검출기는 이러한 패턴을 포착하고 이를 분석하여 결정학적 구조를 재구성합니다.

2. 오메가 스캐닝 기술

  • X선이 빛을 받는 동안 결정은 고정된 축을 중심으로 계속 회전합니다.
  • 검출기는 여러 결정학적 평면에 걸쳐 회절 신호를 수집하여 5초 안에 전체 격자 방향을 결정할 수 있습니다.

3. 로킹 커브 분석

  • 피크 폭(FWHM)을 측정하고 격자 결함과 변형을 평가하기 위해 다양한 X선 입사각을 갖는 고정된 결정 각도.

4. 자동 제어

  • PLC 및 터치스크린 인터페이스를 통해 사전 설정된 절단 각도, 실시간 피드백, 폐쇄 루프 제어를 위한 절단 기계와의 통합이 가능합니다.

웨이퍼 배향 장비 7

장점 및 특징

1. 정밀도와 효율성

  • 각도 정확도 ±0.001°, 결함 감지 분해능 <30초.
  • 오메가 스캔 속도는 기존 세타 스캔보다 200배 빠릅니다.

​​2. 모듈성 및 확장성

  • 특수 용도(예: SiC 웨이퍼, 터빈 블레이드)로 확장 가능합니다.
  • 실시간 생산 모니터링을 위해 MES 시스템과 통합됩니다.

3. 호환성 및 안정성

  • 불규칙한 모양의 샘플(예: 깨진 사파이어 잉곳)을 수용합니다.
  • 공랭식 설계로 유지관리 필요성이 줄어듭니다.

4. 지능적인 운영

  • 한 번의 클릭으로 교정 및 다중 작업 처리.
  • 인적 오류를 최소화하기 위해 기준 수정을 사용한 자동 교정.

웨이퍼 배향 장비 5-5

응용 프로그램

1. 반도체 제조

  • 웨이퍼 다이싱 방향: 절단 효율을 최적화하기 위해 Si, SiC, GaN 웨이퍼 방향을 결정합니다.
  • 결함 매핑: 표면 스크래치나 전위를 식별하여 칩 수율을 개선합니다.

2. 광학재료

  • 레이저 장치용 비선형 결정(예: LBO, BBO).
  • LED 기판을 위한 사파이어 웨이퍼 참조 표면 표시.

​​3. 세라믹 및 복합재

  • 고온 응용 분야를 위해 Si3N4 및 ZrO2의 결정립 방향을 분석합니다.

4. 연구 및 품질 관리

  • 새로운 소재 개발을 위한 대학/연구실(예: 고엔트로피 합금).
  • 일괄 처리의 일관성을 보장하기 위한 산업 QC.

XKH의 서비스

XKH는 웨이퍼 배향 장비에 대한 설치, 공정 파라미터 최적화, 로킹 커브 분석, 3D 표면 결함 매핑 등 포괄적인 수명 주기 기술 지원을 제공합니다. 맞춤형 솔루션(예: 잉곳 스태킹 기술)을 제공하여 반도체 및 광학 소재 생산 효율을 30% 이상 향상시킵니다. 전담팀이 현장 교육을 실시하고, 24시간 연중무휴 원격 지원 및 신속한 예비 부품 교체를 통해 장비의 신뢰성을 보장합니다.


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