2인치 SIC 탄화규소 기판, 6H-N 타입, 0.33mm~0.43mm 양면 연마, 높은 열전도율, 낮은 전력 소비

간략한 설명:

탄화규소(SiC)는 열전도율과 화학적 안정성이 뛰어난 넓은 밴드갭 반도체 소재입니다.6H-N는 결정 구조가 육각형(6H)임을 나타내고, "N"은 질소 도핑을 통해 얻어지는 N형 반도체 재료임을 나타냅니다.
탄화규소 기판은 고압, 고온, 고주파 성능 등 우수한 특성을 지니고 있습니다. 실리콘 제품과 비교했을 때, 탄화규소 기판을 사용하여 제작된 소자는 손실을 80%까지 줄이고 소자 크기를 90%까지 축소할 수 있습니다. 신에너지 자동차 분야에서는 탄화규소를 통해 차량의 경량화, 손실 감소, 주행거리 연장에 기여할 수 있으며, 5G 통신 분야에서는 관련 장비 제조에, 태양광 발전 분야에서는 변환 효율 향상에, 철도 운송 분야에서는 고온 및 고압 저항 특성을 활용하여 다양한 분야에 적용할 수 있습니다.

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특징

다음은 2인치 탄화규소 웨이퍼의 특징입니다.

1. 경도: 모스 경도는 약 9.2입니다.
2. 결정 구조: 육각형 격자 구조.
3. 높은 열전도율: SiC의 열전도율은 실리콘보다 훨씬 높아 효과적인 열 방출에 유리합니다.
4. 넓은 밴드갭: SiC의 밴드갭은 약 3.3eV로 고온, 고주파 및 고출력 응용 분야에 적합합니다.
5. 항복 전기장 및 전자 이동도: 높은 항복 전기장과 전자 이동도를 갖추어 MOSFET 및 IGBT와 같은 고효율 전력 전자 장치에 적합합니다.
6. 화학적 안정성 및 방사선 저항성: 항공우주 및 국방과 같은 가혹한 환경에 적합합니다. 산, 알칼리 및 기타 화학 용제에 대한 우수한 내화학성을 갖추고 있습니다.
7. 높은 기계적 강도: 고온 고압 환경에서도 탁월한 기계적 강도를 유지합니다.
이 소재는 자외선 광검출기, 태양광 인버터, 전기 자동차 PCU 등과 같은 고출력, 고주파 및 고온 전자 장비에 널리 사용될 수 있습니다.

2인치 탄화규소 웨이퍼는 여러 분야에 활용됩니다.

1. 전력 전자 장치: 고효율 전력 MOSFET, IGBT 및 기타 장치 제조에 사용되며 전력 변환 및 전기 자동차에 널리 사용됩니다.

2. RF 장치: 통신 장비에서 SiC는 고주파 증폭기 및 RF 전력 증폭기에 사용될 수 있습니다.

3. 광전 소자: 특히 청색 및 자외선 분야에 사용되는 SIC 기반 LED 등이 있습니다.

4. 센서: SiC 기판은 고온 및 내화학성이 뛰어나 고온 센서 및 기타 센서 응용 분야를 제조하는 데 사용할 수 있습니다.

5. 군사 및 항공우주 분야: 높은 내열성과 뛰어난 강도 특성으로 인해 극한 환경에서의 사용에 적합합니다.

6H-N 타입 2 "SIC 기판의 주요 응용 분야는 신에너지 자동차, 고전압 송변전소, 가전제품, 고속철도, 모터, 태양광 인버터, 펄스 전원 공급 장치 등입니다.

XKH는 고객 요구사항에 따라 다양한 두께로 맞춤 제작이 가능합니다. 표면 조도 및 연마 처리 또한 다양하게 선택할 수 있으며, 질소 도핑 등 다양한 도핑 처리가 지원됩니다. 표준 납기는 맞춤 제작 사양에 따라 2~4주입니다. 기판의 안전을 위해 정전기 방지 포장재와 충격 방지 폼을 사용합니다. 다양한 배송 옵션을 제공하며, 제공된 추적 번호를 통해 실시간으로 배송 현황을 확인할 수 있습니다. 사용 과정에서 발생하는 문제를 해결할 수 있도록 기술 지원 및 컨설팅 서비스를 제공합니다.