2인치 Sic 실리콘 카바이드 기판 6H-N형 0.33mm 0.43mm 양면 연마 고열전도도 저전력 소모

2인치 Sic 실리콘 카바이드 기판 6H-N 타입 0.33mm 0.43mm 양면 연마 높은 열전도도 낮은 전력 소모 특징 이미지

간단한 설명:

탄화규소(SiC)는 뛰어난 열전도도와 화학적 안정성을 갖춘 넓은 밴드갭 반도체 소재입니다. 유형6H-N결정 구조가 육방정계(6H)임을 나타내고, "N"은 N형 반도체 물질임을 나타내는데, 이는 일반적으로 질소를 도핑하여 이루어진다.
탄화규소 기판은 내압성, 내열성, 고주파 성능 등 우수한 특성을 가지고 있습니다. 실리콘 제품과 비교했을 때, 실리콘 기판으로 제작된 소자는 손실을 80%, 소자 크기를 90%까지 줄일 수 있습니다. 신에너지 자동차 분야에서 탄화규소는 신에너지 자동차의 경량화, 손실 감소, 주행 거리 증가에 기여할 수 있습니다. 5G 통신 분야에서는 관련 장비 제작에 활용될 수 있으며, 태양광 발전 분야에서는 변환 효율을 향상시킬 수 있습니다. 철도 교통 분야에서는 고온고압 저항 특성을 활용할 수 있습니다.

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특징

2인치 실리콘 카바이드 웨이퍼의 특성은 다음과 같습니다.

1. 경도: 모스 경도는 약 9.2입니다.
2. 결정구조 : 육각형 격자 구조.
3. 높은 열전도도: SiC의 열전도도는 실리콘보다 훨씬 높아 효과적인 방열에 도움이 됩니다.
4. 넓은 밴드갭: SiC의 밴드갭은 약 3.3eV로 고온, 고주파, 고전력 응용 분야에 적합합니다.
5. 파괴 전기장 및 전자 이동도: 파괴 전기장과 전자 이동도가 높아 MOSFET, IGBT 등 효율적인 전력 전자소자에 적합합니다.
6. 화학적 안정성 및 내방사성: 항공우주 및 국방 등 혹독한 환경에 적합합니다. 뛰어난 내화학성, 산, 알칼리 및 기타 화학 용매에 대한 내성을 지닙니다.
7. 높은 기계적 강도: 고온, 고압 환경에서 우수한 기계적 강도를 가짐.
자외선 광검출기, 태양광 인버터, 전기 자동차 PCU 등 고전력, 고주파, 고온 전자 장비에 널리 사용될 수 있습니다.

2인치 실리콘 카바이드 웨이퍼는 다양한 용도로 사용됩니다.

1. 전력 전자소자: 고효율 전력 MOSFET, IGBT 등의 소자를 제조하는 데 사용되며, 전력 변환 및 전기 자동차에 널리 사용됩니다.

2. RF 장치: 통신 장비에서 SiC는 고주파 증폭기 및 RF 전력 증폭기에 사용될 수 있습니다.

3. 광전소자: SIC 기반 LED 등, 특히 청색 및 자외선 분야에 사용됩니다.

4. 센서: SiC 기판은 고온 및 내화학성이 뛰어나 고온 센서 및 기타 센서 애플리케이션을 제조하는 데 사용할 수 있습니다.

5. 군사 및 항공우주: 고온 내구성과 고강도 특성으로 인해 극한 환경에서 사용하기에 적합합니다.

6H-N 타입 2 "SIC 기판의 주요 응용 분야로는 신에너지 자동차, 고전압 송변전소, 백색 가전, 고속열차, 모터, 태양광 인버터, 펄스 전원 공급 장치 등이 있습니다.

XKH는 고객 요구 사항에 따라 다양한 두께로 맞춤 제작이 가능합니다. 다양한 표면 거칠기 및 연마 처리가 가능하며, 질소 도핑 등 다양한 도핑 방식이 지원됩니다. 표준 배송 기간은 맞춤 제작에 따라 2~4주입니다. 기판의 안전을 위해 정전기 방지 포장재와 내진 폼을 사용합니다. 다양한 배송 옵션을 제공하며, 고객은 제공된 추적 번호를 통해 실시간으로 물류 상황을 확인할 수 있습니다. 고객이 사용 과정에서 발생하는 문제를 해결할 수 있도록 기술 지원 및 컨설팅 서비스를 제공합니다.