전극 사파이어 기판 및 웨이퍼 C-평면 LED 기판

간단한 설명:

사파이어 기술의 지속적인 업그레이드와 응용 시장이 급속히 확대됨에 따라, 생산 활용 측면에서 고유한 이점이 있는 4인치와 6인치 기판 웨이퍼가 주류 칩 회사에서 더 많이 채택될 것입니다.

제품 상세 정보

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사양

일반적인
화학식	알루미나이드
결정 구조	육각형 시스템(hk o 1)
단위 셀 치수	a=4.758Å,Å c=12.991Å, c:a=2.730
물리적
	미터법	영어(제국식)
밀도	3.98g/cc	0.144파운드/인치3
경도	1525 - 2000 누프, 9mhos	3700° 화씨
녹는점	2310K(2040°C)
구조적
인장 강도	275MPa ~ 400MPa	40,000~58,000psi
20°C에서의 인장 강도		58,000 psi(설계 최소)
500°C에서의 인장 강도		40,000 psi(설계 최소)
1000°C에서의 인장 강도	355MPa	52,000 psi(설계 최소)
굽힘 강도	480MPa ~ 895MPa	70,000~130,000psi
압축 강도	2.0 GPa(궁극)	300,000 psi(궁극)

반도체 회로 기판으로서의 사파이어

얇은 사파이어 웨이퍼는 실리콘을 증착한 절연 기판을 사용하여 실리콘 온 사파이어(SOS)라고 불리는 집적 회로를 제작하는 최초의 성공적인 사례입니다. 사파이어는 뛰어난 전기 절연 특성 외에도 높은 열전도도를 가지고 있습니다. 사파이어 기판에 CMOS 칩을 적용한 것은 휴대폰, 공공 안전 대역 라디오, 위성 통신 시스템과 같은 고전력 무선 주파수(RF) 애플리케이션에 특히 적합합니다.

단결정 사파이어 웨이퍼는 반도체 산업에서 질화갈륨(GaN) 기반 소자를 성장시키는 기판으로도 사용됩니다. 사파이어를 사용하면 게르마늄 비용의 약 7분의 1에 불과하여 비용을 크게 절감할 수 있습니다. 사파이어 기판에 GaN을 증착한 것은 청색 발광 다이오드(LED)에 일반적으로 사용됩니다.