전극 사파이어 기판 및 웨이퍼 C면 LED 기판

간단한 설명:

사파이어 기술의 지속적인 업그레이드와 애플리케이션 시장의 급속한 확장을 기반으로 4인치 및 6인치 기판 웨이퍼는 생산 활용에 있어 고유한 이점으로 인해 주류 칩 회사에서 더 많이 채택될 것입니다.

제품 상세 정보

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사양

일반적인
화학식	Al2O3
수정 구조	육각형 시스템(hk o 1)
단위 셀 치수	a=4.758Å,Å c=12.991Å, c:a=2.730
물리적
	미터법	영어(제국식)
밀도	3.98g/cc	0.144파운드/인치3
경도	1525 - 2000 누프, 9mhos	3700°F
녹는 점	2310K(2040°C)
구조적
인장강도	275MPa ~ 400MPa	40,000~58,000psi
20°C에서의 인장 강도		58,000psi(설계 최소)
500°C에서의 인장 강도		40,000psi(설계 최소)
1000°C에서의 인장 강도	355MPa	52,000psi(설계 최소)
굴곡강도	480MPa ~ 895MPa	70,000~130,000psi
압축 강도	2.0GPa(최고)	300,000psi(최대)

반도체 회로 기판으로서의 사파이어

얇은 사파이어 웨이퍼는 SOS(silicon on sapphire)라고 불리는 집적 회로를 제조하기 위해 실리콘이 증착된 절연 기판을 사용한 최초의 성공적인 사례였습니다.사파이어는 우수한 전기 절연 특성 외에도 높은 열 전도성을 가지고 있습니다. 사파이어의 CMOS 칩은 휴대폰, 공공 안전 대역 라디오 및 위성 통신 시스템과 같은 고전력 무선 주파수(RF) 애플리케이션에 특히 적합합니다.

단결정 사파이어 웨이퍼는 반도체 산업에서 질화갈륨(GaN) 기반 장치를 성장시키기 위한 기판으로도 사용됩니다.사파이어를 사용하면 게르마늄 가격의 약 1/7에 불과하므로 비용이 크게 절감됩니다. 사파이어의 GaN은 일반적으로 청색 발광 다이오드(LED)에 사용됩니다.