MOS 또는 SBD용 4H-N HPSI SiC 웨이퍼, 6H-N 6H-P 3C-N SiC 에피택셜 웨이퍼
SiC 기판 SiC 에피웨이퍼 개요
당사는 4H-N(n형 전도성), 4H-P(p형 전도성), 4H-HPSI(고순도 반절연), 6H-P(p형 전도성)를 포함한 다양한 폴리타입 및 도핑 프로파일의 고품질 SiC 기판 및 SiC 웨이퍼를 4인치, 6인치, 8인치부터 최대 12인치까지 다양한 직경으로 제공합니다. 또한, 당사의 부가가치 에피 웨이퍼 성장 서비스를 통해 두께(1~20µm), 도핑 농도 및 결함 밀도가 정밀하게 제어된 에피택셜(epi) 웨이퍼를 제공합니다.
모든 SiC 웨이퍼와 에피 웨이퍼는 엄격한 인라인 검사(마이크로파이프 밀도 <0.1 cm⁻², 표면 조도 Ra <0.2 nm)와 완벽한 전기적 특성 분석(CV, 저항률 매핑)을 거쳐 탁월한 결정 균일성과 성능을 보장합니다. 전력 전자 모듈, 고주파 RF 증폭기 또는 광전자 장치(LED, 광검출기) 등 어떤 용도로 사용되든, 당사의 SiC 기판 및 에피 웨이퍼 제품군은 오늘날 가장 까다로운 응용 분야에서 요구되는 신뢰성, 열 안정성 및 절연 파괴 강도를 제공합니다.
SiC 기판 4H-N 유형의 특성 및 응용 분야
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4H-N SiC 기판 폴리타입(육각형) 구조
약 3.26 eV의 넓은 밴드갭은 고온 및 고전기장 조건에서도 안정적인 전기적 성능과 열적 내구성을 보장합니다.
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SiC 기판N형 도핑
정밀하게 제어된 질소 도핑을 통해 1×10¹⁶ ~ 1×10¹⁹ cm⁻³의 캐리어 농도와 최대 ~900 cm²/V·s의 상온 전자 이동도를 얻어 전도 손실을 최소화합니다.
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SiC 기판넓은 저항 범위 및 균일성
0.01~10 Ω·cm의 저항률 범위와 350~650 µm의 웨이퍼 두께를 제공하며, 도핑 및 두께 모두에서 ±5%의 허용 오차를 갖습니다. 이는 고출력 장치 제작에 이상적입니다.
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SiC 기판초저결함밀도
미세관 밀도 < 0.1 cm⁻² 및 기저면 전위 밀도 < 500 cm⁻²를 달성하여 99% 이상의 소자 수율과 우수한 결정 무결성을 제공합니다.
- SiC 기판탁월한 열전도율
최대 약 370 W/m·K의 열전도율은 효율적인 열 제거를 가능하게 하여 장치 신뢰성과 전력 밀도를 향상시킵니다.
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SiC 기판대상 애플리케이션
전기 자동차 구동 장치, 태양광 인버터, 산업용 구동 장치, 견인 시스템 및 기타 까다로운 전력 전자 시장에 사용되는 SiC MOSFET, 쇼트키 다이오드, 전력 모듈 및 RF 장치.
6인치 4H-N형 SiC 웨이퍼 사양 | ||
| 재산 | 제로 MPD 생산 등급(Z 등급) | 더미 등급(D 등급) |
| 등급 | 제로 MPD 생산 등급(Z 등급) | 더미 등급(D 등급) |
| 지름 | 149.5mm - 150.0mm | 149.5mm - 150.0mm |
| 다형체 | 4H | 4H |
| 두께 | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm |
| 웨이퍼 방향 | 축외: <1120> 방향으로 4.0° ± 0.5° | 축외: <1120> 방향으로 4.0° ± 0.5° |
| 마이크로파이프 밀도 | ≤ 0.2cm² | ≤ 15cm² |
| 저항률 | 0.015 - 0.024 Ω·cm | 0.015 - 0.028 Ω·cm |
| 기본 평면 방향 | [10-10] ± 50° | [10-10] ± 50° |
| 기본 평면 길이 | 475mm ± 2.0mm | 475mm ± 2.0mm |
| 에지 제외 | 3mm | 3mm |
| LTV/TIV / 보우 / 워프 | 2.5μm 이하 / 6μm / 25μm / 35μm 이하 | 5μm / 15μm / 40μm / 60μm |
| 거 | 폴란드 Ra ≤ 1 nm | 폴란드 Ra ≤ 1 nm |
| CMP 라 | ≤ 0.2 nm | ≤ 0.5 nm |
| 고강도 조명에 의한 모서리 균열 | 누적 길이 ≤ 20mm, 단일 길이 ≤ 2mm | 누적 길이 ≤ 20mm, 단일 길이 ≤ 2mm |
| 고강도 조명을 이용한 육각형 플레이트 | 누적 면적 ≤ 0.05% | 누적 면적 ≤ 0.1% |
| 고강도 빛을 이용한 다형체 영역 | 누적 면적 ≤ 0.05% | 누적 면적 ≤ 3% |
| 시각적 탄소 함유물 | 누적 면적 ≤ 0.05% | 누적 면적 ≤ 5% |
| 고강도 빛에 의한 실리콘 표면 긁힘 | 누적 길이 ≤ 웨이퍼 직경 | |
| 고강도 빛을 이용한 엣지 칩 | 너비와 깊이가 0.2mm 이상인 경우 허용되지 않습니다. | 7개 허용, 각 1mm 이하 |
| 나사산 탈구 | < 500 cm³ | < 500 cm³ |
| 고강도 빛에 의한 실리콘 표면 오염 | ||
| 포장 | 멀티 웨이퍼 카세트 또는 싱글 웨이퍼 용기 | 멀티 웨이퍼 카세트 또는 싱글 웨이퍼 용기 |
8인치 4H-N형 SiC 웨이퍼 사양 | ||
| 재산 | 제로 MPD 생산 등급(Z 등급) | 더미 등급(D 등급) |
| 등급 | 제로 MPD 생산 등급(Z 등급) | 더미 등급(D 등급) |
| 지름 | 199.5mm - 200.0mm | 199.5mm - 200.0mm |
| 다형체 | 4H | 4H |
| 두께 | 500 µm ± 25 µm | 500 µm ± 25 µm |
| 웨이퍼 방향 | 4.0° <110> 방향으로 ± 0.5° | 4.0° <110> 방향으로 ± 0.5° |
| 마이크로파이프 밀도 | ≤ 0.2cm² | ≤ 5cm² |
| 저항률 | 0.015 - 0.025 Ω·cm | 0.015 - 0.028 Ω·cm |
| 고귀한 방향 | ||
| 에지 제외 | 3mm | 3mm |
| LTV/TIV / 보우 / 워프 | ≤ 5μm / ≤ 15μm / ≤ 35μm / 70μm | ≤ 5μm / ≤ 15μm / ≤ 35μm / 100μm |
| 거 | 폴란드 Ra ≤ 1 nm | 폴란드 Ra ≤ 1 nm |
| CMP 라 | ≤ 0.2 nm | ≤ 0.5 nm |
| 고강도 조명에 의한 모서리 균열 | 누적 길이 ≤ 20mm, 단일 길이 ≤ 2mm | 누적 길이 ≤ 20mm, 단일 길이 ≤ 2mm |
| 고강도 조명을 이용한 육각형 플레이트 | 누적 면적 ≤ 0.05% | 누적 면적 ≤ 0.1% |
| 고강도 빛을 이용한 다형체 영역 | 누적 면적 ≤ 0.05% | 누적 면적 ≤ 3% |
| 시각적 탄소 함유물 | 누적 면적 ≤ 0.05% | 누적 면적 ≤ 5% |
| 고강도 빛에 의한 실리콘 표면 긁힘 | 누적 길이 ≤ 웨이퍼 직경 | |
| 고강도 빛을 이용한 엣지 칩 | 너비와 깊이가 0.2mm 이상인 경우 허용되지 않습니다. | 7개 허용, 각 1mm 이하 |
| 나사산 탈구 | < 500 cm³ | < 500 cm³ |
| 고강도 빛에 의한 실리콘 표면 오염 | ||
| 포장 | 멀티 웨이퍼 카세트 또는 싱글 웨이퍼 용기 | 멀티 웨이퍼 카세트 또는 싱글 웨이퍼 용기 |
4H-SiC는 전력 전자 장치, RF 장치 및 고온 응용 분야에 사용되는 고성능 소재입니다. "4H"는 육각형 결정 구조를 나타내고, "N"은 소재 성능을 최적화하기 위해 사용되는 도핑 유형을 나타냅니다.
그만큼4H-SiC해당 유형은 일반적으로 다음과 같은 용도로 사용됩니다.
전력 전자공학:전기 자동차 동력 전달 장치, 산업 기계 및 신재생 에너지 시스템에 사용되는 다이오드, MOSFET 및 IGBT와 같은 장치에 사용됩니다.
5G 기술:5G는 고주파 및 고효율 부품에 대한 수요가 높은데, 고전압을 처리하고 고온에서 작동할 수 있는 SiC의 능력은 기지국 전력 증폭기 및 RF 장치에 이상적입니다.
태양 에너지 시스템:SiC의 뛰어난 전력 처리 특성은 태양광(태양광 발전) 인버터 및 컨버터에 이상적입니다.
전기 자동차(EV):SiC는 보다 효율적인 에너지 변환, 낮은 발열량, 그리고 높은 출력 밀도를 위해 전기차 파워트레인에 널리 사용됩니다.
SiC 기판 4H 반절연형의 특성 및 응용 분야
속성:
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마이크로파이프 없는 밀도 제어 기술미세관이 생기지 않도록 하여 기질 품질을 향상시킵니다.
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단결정 제어 기술: 단결정 구조를 보장하여 재료 특성을 향상시킵니다.
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포함물 제어 기술불순물이나 이물질의 존재를 최소화하여 순수한 기질을 보장합니다.
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저항률 제어 기술전기 저항을 정밀하게 제어할 수 있어 기기 성능에 매우 중요합니다.
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불순물 규제 및 제어 기술기질의 무결성을 유지하기 위해 불순물 유입을 조절하고 제한합니다.
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기판 단차 폭 제어 기술스텝 폭을 정확하게 제어하여 기판 전체에 걸쳐 일관성을 보장합니다.
6인치 4H-반 SiC 기판 사양 | ||
| 재산 | 제로 MPD 생산 등급(Z 등급) | 더미 등급(D 등급) |
| 지름(mm) | 145mm - 150mm | 145mm - 150mm |
| 다형체 | 4H | 4H |
| 두께(μm) | 500 ± 15 | 500 ± 25 |
| 웨이퍼 방향 | 축상 오차: ±0.0001° | 축상 오차: ±0.05° |
| 마이크로파이프 밀도 | ≤ 15cm-2 | ≤ 15cm-2 |
| 저항률(Ωcm) | ≥ 10E3 | ≥ 10E3 |
| 기본 평면 방향 | (0-10)° ± 5.0° | (10-10)° ± 5.0° |
| 기본 평면 길이 | 골짜기 | 골짜기 |
| 모서리 제외(mm) | ≤ 2.5 µm / ≤ 15 µm | ≤ 5.5 µm / ≤ 35 µm |
| LTV / 볼 / 워프 | ≤ 3 µm | ≤ 3 µm |
| 거 | 폴란드 Ra ≤ 1.5 µm | 폴란드 Ra ≤ 1.5 µm |
| 고강도 빛을 이용한 엣지 칩 | ≤ 20 µm | ≤ 60 µm |
| 고강도 빛을 이용한 발열판 | 누적 ≤ 0.05% | 누적 ≤ 3% |
| 고강도 빛을 이용한 다형체 영역 | 육안으로 확인 가능한 탄소 함유물 ≤ 0.05% | 누적 ≤ 3% |
| 고강도 빛에 의한 실리콘 표면 긁힘 | ≤ 0.05% | 누적 ≤ 4% |
| 고강도 조명으로 촬영한 엣지 칩 (크기) | 너비 및 깊이 2mm 초과 금지 | 너비 및 깊이 2mm 초과 금지 |
| 보조 나사 확장 | ≤ 500 µm | ≤ 500 µm |
| 고강도 빛에 의한 실리콘 표면 오염 | ≤ 1 x 10^5 | ≤ 1 x 10^5 |
| 포장 | 멀티 웨이퍼 카세트 또는 싱글 웨이퍼 컨테이너 | 멀티 웨이퍼 카세트 또는 싱글 웨이퍼 컨테이너 |
4인치 4H 반절연 SiC 기판 사양
| 매개변수 | 제로 MPD 생산 등급(Z 등급) | 더미 등급(D 등급) |
|---|---|---|
| 물리적 특성 | ||
| 지름 | 99.5mm – 100.0mm | 99.5mm – 100.0mm |
| 다형체 | 4H | 4H |
| 두께 | 500 μm ± 15 μm | 500 μm ± 25 μm |
| 웨이퍼 방향 | 축상: <600h > 0.5° | 축상: <000h > 0.5° |
| 전기적 특성 | ||
| 미세관 밀도(MPD) | ≤1 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| 저항률 | ≥150 Ω·cm | ≥1.5 Ω·cm |
| 기하 공차 | ||
| 기본 평면 방향 | (0x10) ± 5.0° | (0x10) ± 5.0° |
| 기본 평면 길이 | 52.5mm ± 2.0mm | 52.5mm ± 2.0mm |
| 보조 평면 길이 | 18.0mm ± 2.0mm | 18.0mm ± 2.0mm |
| 보조 평면 방향 | 프라임 평면에서 시계방향으로 90° ± 5.0° (실리콘 면이 위로 향함) | 프라임 평면에서 시계방향으로 90° ± 5.0° (실리콘 면이 위로 향함) |
| 에지 제외 | 3mm | 3mm |
| LTV / TTV / 보우 / 워프 | 2.5μm 이하 / 5μm 이하 / 15μm 이하 / 30μm 이하 | 10μm 이하 / 15μm 이하 / 25μm 이하 / 40μm 이하 |
| 표면 품질 | ||
| 표면 거칠기(광택 Ra) | ≤1 nm | ≤1 nm |
| 표면 거칠기(CMP Ra) | ≤0.2 nm | ≤0.2 nm |
| 모서리 균열 (고강도 조명) | 허용되지 않음 | 누적 길이 ≥10mm, 단일 균열 ≤2mm |
| 육각형 판 결함 | 누적 면적 ≤0.05% | 누적 면적 ≤0.1% |
| 다형체 포함 영역 | 허용되지 않음 | 누적 면적 1% 이하 |
| 시각적 탄소 함유물 | 누적 면적 ≤0.05% | 누적 면적 1% 이하 |
| 실리콘 표면 긁힘 | 허용되지 않음 | 웨이퍼 직경 ≤1 누적 길이 |
| 엣지 칩 | 너비/깊이 0.2mm 이상은 허용되지 않습니다. | 칩 5개 이하 (각각 1mm 이하) |
| 실리콘 표면 오염 | 명시되지 않음 | 명시되지 않음 |
| 포장 | ||
| 포장 | 다중 웨이퍼 카세트 또는 단일 웨이퍼 용기 | 멀티웨이퍼 카세트 또는 |
애플리케이션:
그만큼SiC 4H 반절연 기판주로 고출력 및 고주파 전자 기기, 특히 다음과 같은 분야에 사용됩니다.RF 필드이러한 기판은 다양한 응용 분야에 필수적입니다.마이크로파 통신 시스템, 위상 배열 레이더, 그리고무선 전기 감지기높은 열전도율과 우수한 전기적 특성 덕분에 전력 전자 및 통신 시스템과 같은 까다로운 응용 분야에 이상적입니다.
SiC 에피 웨이퍼 4H-N 유형의 특성 및 응용 분야
SiC 4H-N형 에피웨이퍼의 특성 및 응용 분야
SiC 4H-N형 에피 웨이퍼의 특성:
재료 구성:
SiC(탄화규소)뛰어난 경도, 높은 열전도율, 우수한 전기적 특성으로 잘 알려진 SiC는 고성능 전자 기기에 이상적인 소재입니다.
4H-SiC 다형체4H-SiC 다형체는 전자 응용 분야에서 높은 효율성과 안정성으로 잘 알려져 있습니다.
N형 도핑N형 도핑(질소 도핑)은 뛰어난 전자 이동도를 제공하여 SiC를 고주파 및 고출력 응용 분야에 적합하게 만듭니다.
높은 열전도율:
SiC 웨이퍼는 우수한 열전도율을 가지며, 일반적으로 ~ 범위에 있습니다.120–200 W/m·K이를 통해 트랜지스터 및 다이오드와 같은 고출력 장치에서 발생하는 열을 효과적으로 관리할 수 있습니다.
넓은 대역폭:
밴드갭이 있는3.26 eV4H-SiC는 기존 실리콘 기반 소자에 비해 더 높은 전압, 주파수 및 온도에서 작동할 수 있으므로 고효율, 고성능 애플리케이션에 이상적입니다.
전기적 특성:
SiC의 높은 전자 이동도와 전도성은 다음과 같은 용도에 이상적입니다.전력 전자 장치빠른 스위칭 속도와 높은 전류 및 전압 처리 용량을 제공하여 보다 효율적인 전력 관리 시스템을 구현합니다.
기계적 및 화학적 저항성:
SiC는 다이아몬드 다음으로 단단한 소재 중 하나이며, 산화 및 부식에 대한 저항성이 매우 높아 가혹한 환경에서도 내구성이 뛰어납니다.
SiC 4H-N형 에피 웨이퍼의 응용 분야:
전력 전자공학:
SiC 4H-N형 에피 웨이퍼는 널리 사용됩니다.파워 MOSFET, IGBT, 그리고다이오드~을 위한전력 변환다음과 같은 시스템에서태양광 인버터, 전기 자동차, 그리고에너지 저장 시스템향상된 성능과 에너지 효율을 제공합니다.
전기 자동차(EV):
In 전기 자동차 파워트레인, 모터 컨트롤러, 그리고충전소SiC 웨이퍼는 높은 전력과 온도를 견딜 수 있는 능력 덕분에 배터리 효율 향상, 충전 속도 향상 및 전반적인 에너지 성능 개선에 도움이 됩니다.
재생에너지 시스템:
태양광 인버터SiC 웨이퍼는 다음과 같은 용도로 사용됩니다.태양 에너지 시스템태양광 패널에서 발생하는 직류(DC) 전력을 교류(AC)로 변환하여 시스템의 전반적인 효율과 성능을 향상시킵니다.
풍력 터빈SiC 기술은 다음과 같은 분야에 사용됩니다.풍력 터빈 제어 시스템전력 생산 및 변환 효율을 최적화합니다.
항공우주 및 방위산업:
SiC 웨이퍼는 다음과 같은 용도에 이상적입니다.항공우주 전자공학그리고군사적 용도, 포함레이더 시스템그리고위성 전자 장치높은 방사선 저항성과 열 안정성이 매우 중요한 분야입니다.
고온 및 고주파 응용 분야:
SiC 웨이퍼는 다음과 같은 점에서 뛰어납니다.고온 전자 장치, 사용됨항공기 엔진, 우주선, 그리고산업용 난방 시스템극한의 고온 조건에서도 성능을 유지하기 때문입니다. 또한, 넓은 밴드갭 덕분에 다양한 용도로 사용할 수 있습니다.고주파 응용 분야좋다RF 장치그리고마이크로파 통신.
| 6인치 N형 에피트 축 사양 | |||
| 매개변수 | 단위 | 지모스 | |
| 유형 | 전도도 / 도핑제 | - | N형 / 질소 |
| 버퍼 레이어 | 버퍼층 두께 | um | 1 |
| 버퍼층 두께 허용 오차 | % | ±20% | |
| 완충층 농도 | 센티미터-3 | 1.00E+18 | |
| 완충층 농도 허용 오차 | % | ±20% | |
| 1차 에피 레이어 | 에피층 두께 | um | 11.5 |
| 에피층 두께 균일성 | % | ±4% | |
| 에피층 두께 허용 오차((Spec- 최대값, 최소값/사양) | % | ±5% | |
| 에피층 농도 | 센티미터-3 | 1E 15~ 1E 18 | |
| 에피층 농도 허용 오차 | % | 6% | |
| 에피층 농도 균일도(σ) /평균) | % | ≤5% | |
| 에피층 농도 균일성 <(최대값-최소값)/(최대값+최소값> | % | 10% 이하 | |
| 에피택셜 웨이퍼 모양 | 절하다 | um | ≤±20 |
| 경사 | um | ≤30 | |
| 티비 | um | ≤ 10 | |
| LTV | um | ≤2 | |
| 일반적인 특징 | 스크래치 길이 | mm | ≤30mm |
| 엣지 칩 | - | 없음 | |
| 결함 정의 | 97% 이상 (2*2로 측정함) 치명적인 결함에는 다음이 포함됩니다: 결함에는 다음이 포함됩니다 마이크로파이프/대형 구덩이, 당근, 삼각형 | ||
| 금속 오염 | 원자/cm² | d f f ll i ≤5E10 원자/cm2(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg, Na, K, Ti, Ca 및 Mn) | |
| 패키지 | 포장 사양 | 개/상자 | 다중 웨이퍼 카세트 또는 단일 웨이퍼 컨테이너 |
| 8인치 N형 에피택셜 사양 | |||
| 매개변수 | 단위 | 지모스 | |
| 유형 | 전도도 / 도핑제 | - | N형 / 질소 |
| 버퍼 레이어 | 버퍼층 두께 | um | 1 |
| 버퍼층 두께 허용 오차 | % | ±20% | |
| 완충층 농도 | 센티미터-3 | 1.00E+18 | |
| 완충층 농도 허용 오차 | % | ±20% | |
| 1차 에피 레이어 | 에피층 두께 평균 | um | 8~12 |
| 에피층 두께 균일도(σ/평균) | % | ≤2.0 | |
| 에피층 두께 허용 오차((사양 - 최대, 최소)/사양) | % | ±6 | |
| 에피층 순평균 도핑 | 센티미터-3 | 8E+15 ~2E+16 | |
| 에피층 순 도핑 균일도(σ/평균) | % | ≤5 | |
| 에피층 순 도핑 허용 오차((Spec -Max, | % | ± 10.0 | |
| 에피택셜 웨이퍼 모양 | 미 )/S ) 경사 | um | ≤50.0 |
| 절하다 | um | ± 30.0 | |
| 티비 | um | ≤ 10.0 | |
| LTV | um | ≤4.0 (10mm×10mm) | |
| 일반적인 형질 | 긁힘 | - | 누적 길이 ≤ 웨이퍼 직경의 1/2 |
| 엣지 칩 | - | 칩 개수 2개 이하, 각 칩 반지름 1.5mm 이하 | |
| 표면 금속 오염 | 원자/cm2 | ≤5E10 원자/cm2(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg, Na, K, Ti, Ca 및 Mn) | |
| 결함 검사 | % | ≥ 96.0 (2X2 결함에는 마이크로파이프/대형 구덩이가 포함됩니다.) 당근, 삼각형 결함, 몰락, 선형/IGSF-s, BPD) | |
| 표면 금속 오염 | 원자/cm2 | ≤5E10 원자/cm2(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg, Na, K, Ti, Ca 및 Mn) | |
| 패키지 | 포장 사양 | - | 다중 웨이퍼 카세트 또는 단일 웨이퍼 컨테이너 |
SiC 웨이퍼 관련 질문과 답변
Q1: 전력 전자 분야에서 기존 실리콘 웨이퍼 대신 SiC 웨이퍼를 사용하는 주요 이점은 무엇입니까?
A1:
SiC 웨이퍼는 전력 전자 분야에서 기존 실리콘(Si) 웨이퍼에 비해 다음과 같은 몇 가지 주요 이점을 제공합니다.
더 높은 효율성SiC는 실리콘(1.1 eV)에 비해 더 넓은 밴드갭(3.26 eV)을 가지고 있어 더 높은 전압, 주파수 및 온도에서 작동할 수 있습니다. 이는 전력 변환 시스템에서 전력 손실을 줄이고 효율을 높이는 결과를 가져옵니다.
높은 열전도율SiC의 열전도율은 실리콘보다 훨씬 높아 고출력 애플리케이션에서 더 나은 열 방출을 가능하게 하여 전력 장치의 신뢰성과 수명을 향상시킵니다.
더 높은 전압 및 전류 처리 능력SiC 소자는 더 높은 전압과 전류를 처리할 수 있어 전기 자동차, 신재생 에너지 시스템, 산업용 모터 구동 장치와 같은 고출력 응용 분야에 적합합니다.
더 빠른 전환 속도SiC 소자는 스위칭 속도가 빨라 에너지 손실과 시스템 크기를 줄이는 데 기여하므로 고주파 애플리케이션에 이상적입니다.
Q2: 자동차 산업에서 SiC 웨이퍼의 주요 응용 분야는 무엇입니까?
A2:
자동차 산업에서 SiC 웨이퍼는 주로 다음과 같은 용도로 사용됩니다.
전기 자동차(EV) 파워트레인SiC 기반 부품(예: ...)인버터그리고파워 MOSFET더 빠른 스위칭 속도와 더 높은 에너지 밀도를 구현하여 전기차 파워트레인의 효율성과 성능을 향상시킵니다. 이는 배터리 수명 연장과 차량의 전반적인 성능 향상으로 이어집니다.
차량 내 충전기SiC 소자는 충전 시간을 단축하고 열 관리를 개선하여 차량 탑재 충전 시스템의 효율성을 향상시키는 데 도움을 줍니다. 이는 전기차가 고출력 충전소를 지원하는 데 매우 중요합니다.
배터리 관리 시스템(BMS)SiC 기술은 효율성을 향상시킵니다.배터리 관리 시스템이를 통해 전압 조절 기능이 향상되고 전력 처리 능력이 높아지며 배터리 수명이 연장됩니다.
DC-DC 컨버터SiC 웨이퍼는 다음과 같은 용도로 사용됩니다.DC-DC 컨버터고전압 직류 전력을 저전압 직류 전력으로 더욱 효율적으로 변환하는 것은 전기 자동차에서 배터리에서 차량 내 다양한 부품으로 전력을 공급하는 데 매우 중요합니다.
SiC는 고전압, 고온 및 고효율 응용 분야에서 탁월한 성능을 보여주므로 자동차 산업의 전기 이동성으로의 전환에 필수적입니다.
6인치 4H-N형 SiC 웨이퍼 사양 | ||
| 재산 | 제로 MPD 생산 등급(Z 등급) | 더미 등급(D 등급) |
| 등급 | 제로 MPD 생산 등급(Z 등급) | 더미 등급(D 등급) |
| 지름 | 149.5mm – 150.0mm | 149.5mm – 150.0mm |
| 다형체 | 4H | 4H |
| 두께 | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm |
| 웨이퍼 방향 | 축외: <1120> 방향으로 4.0° ± 0.5° | 축외: <1120> 방향으로 4.0° ± 0.5° |
| 마이크로파이프 밀도 | ≤ 0.2cm² | ≤ 15cm² |
| 저항률 | 0.015 – 0.024 Ω·cm | 0.015 – 0.028 Ω·cm |
| 기본 평면 방향 | [10-10] ± 50° | [10-10] ± 50° |
| 기본 평면 길이 | 475mm ± 2.0mm | 475mm ± 2.0mm |
| 에지 제외 | 3mm | 3mm |
| LTV/TIV / 보우 / 워프 | 2.5μm 이하 / 6μm / 25μm / 35μm 이하 | 5μm / 15μm / 40μm / 60μm |
| 거 | 폴란드 Ra ≤ 1 nm | 폴란드 Ra ≤ 1 nm |
| CMP 라 | ≤ 0.2 nm | ≤ 0.5 nm |
| 고강도 조명에 의한 모서리 균열 | 누적 길이 ≤ 20mm, 단일 길이 ≤ 2mm | 누적 길이 ≤ 20mm, 단일 길이 ≤ 2mm |
| 고강도 조명을 이용한 육각형 플레이트 | 누적 면적 ≤ 0.05% | 누적 면적 ≤ 0.1% |
| 고강도 빛을 이용한 다형체 영역 | 누적 면적 ≤ 0.05% | 누적 면적 ≤ 3% |
| 시각적 탄소 함유물 | 누적 면적 ≤ 0.05% | 누적 면적 ≤ 5% |
| 고강도 빛에 의한 실리콘 표면 긁힘 | 누적 길이 ≤ 웨이퍼 직경 | |
| 고강도 빛을 이용한 엣지 칩 | 너비와 깊이가 0.2mm 이상인 경우 허용되지 않습니다. | 7개 허용, 각 1mm 이하 |
| 나사산 탈구 | < 500 cm³ | < 500 cm³ |
| 고강도 빛에 의한 실리콘 표면 오염 | ||
| 포장 | 멀티 웨이퍼 카세트 또는 싱글 웨이퍼 용기 | 멀티 웨이퍼 카세트 또는 싱글 웨이퍼 용기 |

8인치 4H-N형 SiC 웨이퍼 사양 | ||
| 재산 | 제로 MPD 생산 등급(Z 등급) | 더미 등급(D 등급) |
| 등급 | 제로 MPD 생산 등급(Z 등급) | 더미 등급(D 등급) |
| 지름 | 199.5mm – 200.0mm | 199.5mm – 200.0mm |
| 다형체 | 4H | 4H |
| 두께 | 500 µm ± 25 µm | 500 µm ± 25 µm |
| 웨이퍼 방향 | 4.0° <110> 방향으로 ± 0.5° | 4.0° <110> 방향으로 ± 0.5° |
| 마이크로파이프 밀도 | ≤ 0.2cm² | ≤ 5cm² |
| 저항률 | 0.015 – 0.025 Ω·cm | 0.015 – 0.028 Ω·cm |
| 고귀한 방향 | ||
| 에지 제외 | 3mm | 3mm |
| LTV/TIV / 보우 / 워프 | ≤ 5μm / ≤ 15μm / ≤ 35μm / 70μm | ≤ 5μm / ≤ 15μm / ≤ 35μm / 100μm |
| 거 | 폴란드 Ra ≤ 1 nm | 폴란드 Ra ≤ 1 nm |
| CMP 라 | ≤ 0.2 nm | ≤ 0.5 nm |
| 고강도 조명에 의한 모서리 균열 | 누적 길이 ≤ 20mm, 단일 길이 ≤ 2mm | 누적 길이 ≤ 20mm, 단일 길이 ≤ 2mm |
| 고강도 조명을 이용한 육각형 플레이트 | 누적 면적 ≤ 0.05% | 누적 면적 ≤ 0.1% |
| 고강도 빛을 이용한 다형체 영역 | 누적 면적 ≤ 0.05% | 누적 면적 ≤ 3% |
| 시각적 탄소 함유물 | 누적 면적 ≤ 0.05% | 누적 면적 ≤ 5% |
| 고강도 빛에 의한 실리콘 표면 긁힘 | 누적 길이 ≤ 웨이퍼 직경 | |
| 고강도 빛을 이용한 엣지 칩 | 너비와 깊이가 0.2mm 이상인 경우 허용되지 않습니다. | 7개 허용, 각 1mm 이하 |
| 나사산 탈구 | < 500 cm³ | < 500 cm³ |
| 고강도 빛에 의한 실리콘 표면 오염 | ||
| 포장 | 멀티 웨이퍼 카세트 또는 싱글 웨이퍼 용기 | 멀티 웨이퍼 카세트 또는 싱글 웨이퍼 용기 |
6인치 4H-반 SiC 기판 사양 | ||
| 재산 | 제로 MPD 생산 등급(Z 등급) | 더미 등급(D 등급) |
| 지름(mm) | 145mm – 150mm | 145mm – 150mm |
| 다형체 | 4H | 4H |
| 두께(μm) | 500 ± 15 | 500 ± 25 |
| 웨이퍼 방향 | 축상 오차: ±0.0001° | 축상 오차: ±0.05° |
| 마이크로파이프 밀도 | ≤ 15cm-2 | ≤ 15cm-2 |
| 저항률(Ωcm) | ≥ 10E3 | ≥ 10E3 |
| 기본 평면 방향 | (0-10)° ± 5.0° | (10-10)° ± 5.0° |
| 기본 평면 길이 | 골짜기 | 골짜기 |
| 모서리 제외(mm) | ≤ 2.5 µm / ≤ 15 µm | ≤ 5.5 µm / ≤ 35 µm |
| LTV / 볼 / 워프 | ≤ 3 µm | ≤ 3 µm |
| 거 | 폴란드 Ra ≤ 1.5 µm | 폴란드 Ra ≤ 1.5 µm |
| 고강도 빛을 이용한 엣지 칩 | ≤ 20 µm | ≤ 60 µm |
| 고강도 빛을 이용한 발열판 | 누적 ≤ 0.05% | 누적 ≤ 3% |
| 고강도 빛을 이용한 다형체 영역 | 육안으로 확인 가능한 탄소 함유물 ≤ 0.05% | 누적 ≤ 3% |
| 고강도 빛에 의한 실리콘 표면 긁힘 | ≤ 0.05% | 누적 ≤ 4% |
| 고강도 조명으로 촬영한 엣지 칩 (크기) | 너비 및 깊이 2mm 초과 금지 | 너비 및 깊이 2mm 초과 금지 |
| 보조 나사 확장 | ≤ 500 µm | ≤ 500 µm |
| 고강도 빛에 의한 실리콘 표면 오염 | ≤ 1 x 10^5 | ≤ 1 x 10^5 |
| 포장 | 멀티 웨이퍼 카세트 또는 싱글 웨이퍼 컨테이너 | 멀티 웨이퍼 카세트 또는 싱글 웨이퍼 컨테이너 |
4인치 4H 반절연 SiC 기판 사양
| 매개변수 | 제로 MPD 생산 등급(Z 등급) | 더미 등급(D 등급) |
|---|---|---|
| 물리적 특성 | ||
| 지름 | 99.5mm – 100.0mm | 99.5mm – 100.0mm |
| 다형체 | 4H | 4H |
| 두께 | 500 μm ± 15 μm | 500 μm ± 25 μm |
| 웨이퍼 방향 | 축상: <600h > 0.5° | 축상: <000h > 0.5° |
| 전기적 특성 | ||
| 미세관 밀도(MPD) | ≤1 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| 저항률 | ≥150 Ω·cm | ≥1.5 Ω·cm |
| 기하 공차 | ||
| 기본 평면 방향 | (0×10) ± 5.0° | (0×10) ± 5.0° |
| 기본 평면 길이 | 52.5mm ± 2.0mm | 52.5mm ± 2.0mm |
| 보조 평면 길이 | 18.0mm ± 2.0mm | 18.0mm ± 2.0mm |
| 보조 평면 방향 | 프라임 평면에서 시계방향으로 90° ± 5.0° (실리콘 면이 위로 향함) | 프라임 평면에서 시계방향으로 90° ± 5.0° (실리콘 면이 위로 향함) |
| 에지 제외 | 3mm | 3mm |
| LTV / TTV / 보우 / 워프 | 2.5μm 이하 / 5μm 이하 / 15μm 이하 / 30μm 이하 | 10μm 이하 / 15μm 이하 / 25μm 이하 / 40μm 이하 |
| 표면 품질 | ||
| 표면 거칠기(광택 Ra) | ≤1 nm | ≤1 nm |
| 표면 거칠기(CMP Ra) | ≤0.2 nm | ≤0.2 nm |
| 모서리 균열 (고강도 조명) | 허용되지 않음 | 누적 길이 ≥10mm, 단일 균열 ≤2mm |
| 육각형 판 결함 | 누적 면적 ≤0.05% | 누적 면적 ≤0.1% |
| 다형체 포함 영역 | 허용되지 않음 | 누적 면적 1% 이하 |
| 시각적 탄소 함유물 | 누적 면적 ≤0.05% | 누적 면적 1% 이하 |
| 실리콘 표면 긁힘 | 허용되지 않음 | 웨이퍼 직경 ≤1 누적 길이 |
| 엣지 칩 | 너비/깊이 0.2mm 이상은 허용되지 않습니다. | 칩 5개 이하 (각각 1mm 이하) |
| 실리콘 표면 오염 | 명시되지 않음 | 명시되지 않음 |
| 포장 | ||
| 포장 | 다중 웨이퍼 카세트 또는 단일 웨이퍼 용기 | 멀티웨이퍼 카세트 또는 |
| 6인치 N형 에피트 축 사양 | |||
| 매개변수 | 단위 | 지모스 | |
| 유형 | 전도도 / 도핑제 | - | N형 / 질소 |
| 버퍼 레이어 | 버퍼층 두께 | um | 1 |
| 버퍼층 두께 허용 오차 | % | ±20% | |
| 완충층 농도 | 센티미터-3 | 1.00E+18 | |
| 완충층 농도 허용 오차 | % | ±20% | |
| 1차 에피 레이어 | 에피층 두께 | um | 11.5 |
| 에피층 두께 균일성 | % | ±4% | |
| 에피층 두께 허용 오차((Spec- 최대값, 최소값/사양) | % | ±5% | |
| 에피층 농도 | 센티미터-3 | 1E 15~ 1E 18 | |
| 에피층 농도 허용 오차 | % | 6% | |
| 에피층 농도 균일도(σ) /평균) | % | ≤5% | |
| 에피층 농도 균일성 <(최대값-최소값)/(최대값+최소값> | % | 10% 이하 | |
| 에피택셜 웨이퍼 모양 | 절하다 | um | ≤±20 |
| 경사 | um | ≤30 | |
| 티비 | um | ≤ 10 | |
| LTV | um | ≤2 | |
| 일반적인 특징 | 스크래치 길이 | mm | ≤30mm |
| 엣지 칩 | - | 없음 | |
| 결함 정의 | 97% 이상 (2*2로 측정함) 치명적인 결함에는 다음이 포함됩니다: 결함에는 다음이 포함됩니다 마이크로파이프/대형 구덩이, 당근, 삼각형 | ||
| 금속 오염 | 원자/cm² | d f f ll i ≤5E10 원자/cm2(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg, Na, K, Ti, Ca 및 Mn) | |
| 패키지 | 포장 사양 | 개/상자 | 다중 웨이퍼 카세트 또는 단일 웨이퍼 컨테이너 |
| 8인치 N형 에피택셜 사양 | |||
| 매개변수 | 단위 | 지모스 | |
| 유형 | 전도도 / 도핑제 | - | N형 / 질소 |
| 버퍼 레이어 | 버퍼층 두께 | um | 1 |
| 버퍼층 두께 허용 오차 | % | ±20% | |
| 완충층 농도 | 센티미터-3 | 1.00E+18 | |
| 완충층 농도 허용 오차 | % | ±20% | |
| 1차 에피 레이어 | 에피층 두께 평균 | um | 8~12 |
| 에피층 두께 균일도(σ/평균) | % | ≤2.0 | |
| 에피층 두께 허용 오차((사양 - 최대, 최소)/사양) | % | ±6 | |
| 에피층 순평균 도핑 | 센티미터-3 | 8E+15 ~2E+16 | |
| 에피층 순 도핑 균일도(σ/평균) | % | ≤5 | |
| 에피층 순 도핑 허용 오차((Spec -Max, | % | ± 10.0 | |
| 에피택셜 웨이퍼 모양 | 미 )/S ) 경사 | um | ≤50.0 |
| 절하다 | um | ± 30.0 | |
| 티비 | um | ≤ 10.0 | |
| LTV | um | ≤4.0 (10mm×10mm) | |
| 일반적인 형질 | 긁힘 | - | 누적 길이 ≤ 웨이퍼 직경의 1/2 |
| 엣지 칩 | - | 칩 개수 2개 이하, 각 칩 반지름 1.5mm 이하 | |
| 표면 금속 오염 | 원자/cm2 | ≤5E10 원자/cm2(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg, Na, K, Ti, Ca 및 Mn) | |
| 결함 검사 | % | ≥ 96.0 (2X2 결함에는 마이크로파이프/대형 구덩이가 포함됩니다.) 당근, 삼각형 결함, 몰락, 선형/IGSF-s, BPD) | |
| 표면 금속 오염 | 원자/cm2 | ≤5E10 원자/cm2(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg, Na, K, Ti, Ca 및 Mn) | |
| 패키지 | 포장 사양 | - | 다중 웨이퍼 카세트 또는 단일 웨이퍼 컨테이너 |
Q1: 전력 전자 분야에서 기존 실리콘 웨이퍼 대신 SiC 웨이퍼를 사용하는 주요 이점은 무엇입니까?
A1:
SiC 웨이퍼는 전력 전자 분야에서 기존 실리콘(Si) 웨이퍼에 비해 다음과 같은 몇 가지 주요 이점을 제공합니다.
더 높은 효율성SiC는 실리콘(1.1 eV)에 비해 더 넓은 밴드갭(3.26 eV)을 가지고 있어 더 높은 전압, 주파수 및 온도에서 작동할 수 있습니다. 이는 전력 변환 시스템에서 전력 손실을 줄이고 효율을 높이는 결과를 가져옵니다.
높은 열전도율SiC의 열전도율은 실리콘보다 훨씬 높아 고출력 애플리케이션에서 더 나은 열 방출을 가능하게 하여 전력 장치의 신뢰성과 수명을 향상시킵니다.
더 높은 전압 및 전류 처리 능력SiC 소자는 더 높은 전압과 전류를 처리할 수 있어 전기 자동차, 신재생 에너지 시스템, 산업용 모터 구동 장치와 같은 고출력 응용 분야에 적합합니다.
더 빠른 전환 속도SiC 소자는 스위칭 속도가 빨라 에너지 손실과 시스템 크기를 줄이는 데 기여하므로 고주파 애플리케이션에 이상적입니다.
Q2: 자동차 산업에서 SiC 웨이퍼의 주요 응용 분야는 무엇입니까?
A2:
자동차 산업에서 SiC 웨이퍼는 주로 다음과 같은 용도로 사용됩니다.
전기 자동차(EV) 파워트레인SiC 기반 부품(예: ...)인버터그리고파워 MOSFET더 빠른 스위칭 속도와 더 높은 에너지 밀도를 구현하여 전기차 파워트레인의 효율성과 성능을 향상시킵니다. 이는 배터리 수명 연장과 차량의 전반적인 성능 향상으로 이어집니다.
차량 내 충전기SiC 소자는 충전 시간을 단축하고 열 관리를 개선하여 차량 탑재 충전 시스템의 효율성을 향상시키는 데 도움을 줍니다. 이는 전기차가 고출력 충전소를 지원하는 데 매우 중요합니다.
배터리 관리 시스템(BMS)SiC 기술은 효율성을 향상시킵니다.배터리 관리 시스템이를 통해 전압 조절 기능이 향상되고 전력 처리 능력이 높아지며 배터리 수명이 연장됩니다.
DC-DC 컨버터SiC 웨이퍼는 다음과 같은 용도로 사용됩니다.DC-DC 컨버터고전압 직류 전력을 저전압 직류 전력으로 더욱 효율적으로 변환하는 것은 전기 자동차에서 배터리에서 차량 내 다양한 부품으로 전력을 공급하는 데 매우 중요합니다.
SiC는 고전압, 고온 및 고효율 응용 분야에서 탁월한 성능을 보여주므로 자동차 산업의 전기 이동성으로의 전환에 필수적입니다.


















