4H-N/6H-N SiC 웨이퍼 연구 생산 더미 등급 Dia150mm 실리콘 카바이드 기판
6인치 직경 실리콘 카바이드(SiC) 기판 사양
등급 | MPD 0 | 생산 | 연구 등급 | 더미 등급 |
지름 | 150.0mm±0.25mm | |||
두께 | 4H-N | 350um±25um | ||
4H-SI | 500um±25um | |||
웨이퍼 방향 | 축상 :<0001>±0.5°(4H-SI의 경우) | |||
1차 아파트 | {10-10}±5.0° | |||
기본 플랫 길이 | 47.5mm±2.5mm | |||
에지 제외 | 3mm | |||
TTV/활/워프 | ≤15um/≤40um/≤60um | |||
마이크로파이프 밀도 | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤15cm-2 | ≤50cm-2 |
저항률 4H-N 4H-SI | 0.015~0.028Ω!cm | |||
≥1E5Ω!cm | ||||
거 | 폴란드 Ra ≤1nm CMP Ra≤0.5nm | |||
# 고강도 빛에 의한 균열 | 없음 | 1개 허용, ≤2mm | 누적 길이 ≤10mm, 단일 길이 ≤2mm | |
*고강도 조명을 이용한 육각형 플레이트 | 누적 면적 ≤1% | 누적 면적 ≤ 2% | 누적 면적 ≤ 5% | |
* 고강도 조명으로 폴리타입 영역 | 없음 | 누적 면적 ≤ 2% | 누적 면적 ≤ 5% | |
*&강도 높은 빛에 의한 긁힘 | 3개의 스크래치는 웨이퍼 직경의 1배의 누적 길이입니다. | 5개의 스크래치는 웨이퍼 직경의 1배의 누적 길이입니다. | 5개의 스크래치는 웨이퍼 직경의 1배에 해당하는 누적 길이입니다. | |
엣지 칩 | 없음 | 허용 3개, 각각 ≤0.5mm | 허용 개수 5개, 각각 ≤1mm | |
고강도 빛에 의한 오염 | 없음
|
영업 및 고객 서비스
자재 구매
자재 구매 부서는 제품 생산에 필요한 모든 원자재를 확보하는 업무를 담당합니다. 모든 제품과 자재에 대한 완벽한 추적성(화학 및 물리적 분석 포함)을 항상 확보할 수 있습니다.
품질
품질 관리 부서는 제품 제조 또는 가공 중, 그리고 그 이후에 모든 재료와 허용 오차가 귀하의 사양을 충족하거나 초과하는지 확인하는 업무를 담당합니다.
서비스
저희는 반도체 업계에서 5년 이상의 경력을 보유한 영업 엔지니어를 보유하고 있다는 점을 자랑스럽게 생각합니다. 기술적인 질문에 답변하고 고객의 요구에 맞춰 적시에 견적을 제공할 수 있도록 훈련된 전문가들입니다.
문제가 생기면 언제든지 저희가 도와드리고, 10시간 이내에 해결해 드리겠습니다.
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