8인치 실리콘 웨이퍼 P/N형 (100) 1-100Ω 더미 리클레임 기판
웨이퍼 박스 소개
8인치 실리콘 웨이퍼는 흔히 사용되는 실리콘 기판 소재로, 집적 회로 제조 공정에 널리 사용됩니다. 이러한 실리콘 웨이퍼는 마이크로프로세서, 메모리 칩, 센서 및 기타 전자 장치를 포함한 다양한 유형의 집적 회로를 만드는 데 일반적으로 사용됩니다. 8인치 실리콘 웨이퍼는 비교적 큰 크기의 칩을 만드는 데 적합하며, 넓은 표면적과 하나의 웨이퍼에 더 많은 칩을 생산할 수 있다는 장점을 통해 생산 효율을 높일 수 있습니다. 또한 8인치 실리콘 웨이퍼는 우수한 기계적 및 화학적 특성을 지니고 있어 대규모 집적 회로 생산에 적합합니다.
제품 특징
8인치 P/N형, 광택 실리콘 웨이퍼 (25개)
오리엔테이션: 200
저항률: 0.1 - 40옴•cm (생산 배치에 따라 다를 수 있습니다)
두께: 725±20μm
프라임/모니터/테스트 등급
재료 특성
| 매개변수 | 특성 |
| 유형/도펀트 | P, 붕소 N, 인 N, 안티몬 N, 비소 |
| 오리엔테이션 | <100>, <111> 고객 사양에 따른 슬라이스 방향 |
| 산소 함량 | 1019ppmA 고객 사양에 따른 맞춤 허용 오차 |
| 탄소 함량 | < 0.6 ppmA |
기계적 특성
| 매개변수 | 초기 | 모니터/테스트 A | 시험 |
| 지름 | 200±0.2mm | 200 ± 0.2mm | 200 ± 0.5 mm |
| 두께 | 725±20µm (표준) | 725±25µm(표준) 450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25 µm | 725±50µm (표준) |
| 티비 | < 5 µm | < 10 µm | < 15 µm |
| 절하다 | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm |
| 포장하다 | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm |
| 모서리 둥글게 처리 | 준표준 | ||
| 표시 | 기본형 세미플랫만 해당, 세미 스탠다드 플랫 제이다 플랫, 노치 | ||
| 매개변수 | 초기 | 모니터/테스트 A | 시험 |
| 전면 기준 | |||
| 표면 상태 | 화학 기계적 연마 | 화학 기계적 연마 | 화학 기계적 연마 |
| 표면 거칠기 | < 2 A° | < 2 A° | < 2 A° |
| 오염 입자 크기 >0.3 µm | = 20 | = 20 | = 30 |
| 안개, 구덩이 오렌지 껍질 | 없음 | 없음 | 없음 |
| 톱, 마크 줄무늬 | 없음 | 없음 | 없음 |
| 뒷면 기준 | |||
| 균열, 잔주름, 톱 자국, 얼룩 | 없음 | 없음 | 없음 |
| 표면 상태 | 부식성 에칭 | ||
상세도
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