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12인치 사파이어 웨이퍼 C-플레인 SSP/DSP

12인치 사파이어 웨이퍼 C-플레인 SSP/DSP 대표 이미지
  • 12인치 사파이어 웨이퍼 C-플레인 SSP/DSP
  • 12인치 사파이어 웨이퍼 C-플레인 SSP/DSP

간략한 설명:

목 사양
지름 2인치 4인치 6인치 8인치 12인치
재료 인조 사파이어(Al2O3 ≥ 99.99%)
두께 430±15μm 650±15μm 1300±20μm 1300±20μm 3000±20μm
표면
정위		 c-평면(0001)
길이의 16±1mm 30±1mm 47.5±2.5mm 47.5±2.5mm *협상 가능
방향성 a-평면 0±0.3°
티비 * ≦10μm ≦10μm ≦15μm ≦15μm *협상 가능
절하다 * -10 ~ 0μm -15 ~ 0μm -20 ~ 0μm -25 ~ 0μm *협상 가능
워프 * ≦15μm ≦20μm ≦25μm ≦30μm *협상 가능
정면
마무리 손질		 에피레이티드(Ra＜0.3nm)
후면
마무리 손질		 래핑(Ra 0.6 – 1.2μm)
포장 클린룸에서 진공 포장
최상급 고품질 세척: 입자 크기 ≧ 0.3um), ≦ 0.18개/cm2, 금속 오염 ≦ 2E10개/cm2
비고 사용자 정의 가능 사양: a/r/m 평면 방향, 각도, 모양, 양면 연마

특징

상세도

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사파이어 소개

사파이어 웨이퍼는 고순도 합성 산화알루미늄(Al₂O₃)으로 만들어진 단결정 기판 소재입니다. 대형 사파이어 결정은 키로풀로스(KY)법이나 열교환법(HEM)과 같은 첨단 성장법을 이용하여 성장시킨 후, 절단, 배향, 연삭 및 정밀 연마 공정을 거쳐 가공됩니다. 사파이어 웨이퍼는 탁월한 물리적, 광학적, 화학적 특성 덕분에 반도체, 광전자공학 및 고급 소비자 가전 분야에서 필수적인 소재로 자리매김하고 있습니다.

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주류 사파이어 합성 방법

방법 원칙 장점 주요 응용 분야
베르누이 방법(화염 융합) 고순도 Al₂O₃ 분말을 산소-수소 불꽃에서 녹이면, 방울들이 씨앗 위에 층층이 굳어집니다. 저비용, 고효율, 비교적 간단한 공정 보석 품질의 사파이어, 초기 광학 재료
초크랄스키 방법(CZ) Al₂O₃를 도가니에서 녹인 후, 종자 결정을 천천히 위로 끌어올려 결정을 성장시킨다. 상대적으로 크고 형태가 잘 유지되는 결정을 생성합니다. 레이저 결정, 광학 창
키로풀로스 방법(KY) 제어된 느린 냉각을 통해 도가니 내부에서 결정이 점진적으로 성장할 수 있습니다. 수십 킬로그램 이상에 달하는 대형 저응력 결정을 성장시킬 수 있는 능력 LED 기판, 스마트폰 화면, 광학 부품
HEM 방법(열교환) 냉각은 도가니 윗부분에서 시작되고, 결정은 씨앗에서 아래쪽으로 자라납니다. 균일한 품질의 매우 큰 결정(최대 수백 킬로그램)을 생산합니다. 대형 광학 창, 항공우주, 군사 광학
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결정 방향

방향/평면 밀러 인덱스 형질 주요 응용 분야
C-평면 (0001) c축에 수직인 극성 표면, 원자들이 균일하게 배열되어 있음 LED, 레이저 다이오드, GaN 에피택셜 기판(가장 널리 사용됨)
A-비행기 (11-20) c축과 평행한 비극성 표면으로, 분극 효과를 방지합니다. 비극성 GaN 에피택시, 광전자 소자
M-평면 (10-10) c축에 평행하고, 비극성이며, 높은 대칭성을 지닌다. 고성능 GaN 에피택시, 광전자 소자
R-평면 (1-102) c축으로 기울어져 있으며, 우수한 광학적 특성을 지닌다. 광학 창, 적외선 검출기, 레이저 부품

 

결정 배향

사파이어 웨이퍼 사양(맞춤 설정 가능)

목 1인치 C-평면(0001) 430μm 사파이어 웨이퍼
결정 재료 99.999% 고순도 단결정 Al2O3
등급 프라임, 에피레디
표면 방향 C-평면(0001)
C면이 M축 방향으로 0.2 +/- 0.1° 기울어진 각도
지름 25.4mm +/- 0.1mm
두께 430 μm +/- 25 μm
한쪽 면 광택 처리 전면 표면 연마 처리, Ra < 0.2 nm (AFM 측정)
(SSP) 뒷면 미세 연마, Ra = 0.8 μm ~ 1.2 μm
양면 광택 처리 전면 표면 연마 처리, Ra < 0.2 nm (AFM 측정)
(DSP) 뒷면 표면 연마 처리, Ra < 0.2 nm (AFM 측정)
티비 < 5 μm
절하다 < 5 μm
경사 < 5 μm
청소/포장 클래스 100 클린룸 세척 및 진공 포장
카세트 포장 하나에 25개입 또는 낱개 포장.

 

목 2인치 C-평면(0001) 430μm 사파이어 웨이퍼
결정 재료 99.999% 고순도 단결정 Al2O3
등급 프라임, 에피레디
표면 방향 C-평면(0001)
C면이 M축 방향으로 0.2 +/- 0.1° 기울어진 각도
지름 50.8mm +/- 0.1mm
두께 430 μm +/- 25 μm
기본 평면 방향 A 평면(11-20) +/- 0.2°
기본 평면 길이 16.0mm +/- 1.0mm
한쪽 면 광택 처리 전면 표면 연마 처리, Ra < 0.2 nm (AFM 측정)
(SSP) 뒷면 미세 연마, Ra = 0.8 μm ~ 1.2 μm
양면 광택 처리 전면 표면 연마 처리, Ra < 0.2 nm (AFM 측정)
(DSP) 뒷면 표면 연마 처리, Ra < 0.2 nm (AFM 측정)
티비 < 10 μm
절하다 < 10 μm
경사 < 10 μm
청소/포장 클래스 100 클린룸 세척 및 진공 포장
카세트 포장 하나에 25개입 또는 낱개 포장.
목 3인치 C-평면(0001) 500μm 사파이어 웨이퍼
결정 재료 99.999% 고순도 단결정 Al2O3
등급 프라임, 에피레디
표면 방향 C-평면(0001)
C면이 M축 방향으로 0.2 +/- 0.1° 기울어진 각도
지름 76.2mm +/- 0.1mm
두께 500 μm +/- 25 μm
기본 평면 방향 A 평면(11-20) +/- 0.2°
기본 평면 길이 22.0mm +/- 1.0mm
한쪽 면 광택 처리 전면 표면 연마 처리, Ra < 0.2 nm (AFM 측정)
(SSP) 뒷면 미세 연마, Ra = 0.8 μm ~ 1.2 μm
양면 광택 처리 전면 표면 연마 처리, Ra < 0.2 nm (AFM 측정)
(DSP) 뒷면 표면 연마 처리, Ra < 0.2 nm (AFM 측정)
티비 < 15 μm
절하다 < 15 μm
경사 < 15 μm
청소/포장 클래스 100 클린룸 세척 및 진공 포장
카세트 포장 하나에 25개입 또는 낱개 포장.
목 4인치 C-평면(0001) 650μm 사파이어 웨이퍼
결정 재료 99.999% 고순도 단결정 Al2O3
등급 프라임, 에피레디
표면 방향 C-평면(0001)
C면이 M축 방향으로 0.2 +/- 0.1° 기울어진 각도
지름 100.0mm +/- 0.1mm
두께 650 μm +/- 25 μm
기본 평면 방향 A 평면(11-20) +/- 0.2°
기본 평면 길이 30.0mm +/- 1.0mm
한쪽 면 광택 처리 전면 표면 연마 처리, Ra < 0.2 nm (AFM 측정)
(SSP) 뒷면 미세 연마, Ra = 0.8 μm ~ 1.2 μm
양면 광택 처리 전면 표면 연마 처리, Ra < 0.2 nm (AFM 측정)
(DSP) 뒷면 표면 연마 처리, Ra < 0.2 nm (AFM 측정)
티비 < 20 μm
절하다 < 20 μm
경사 < 20 μm
청소/포장 클래스 100 클린룸 세척 및 진공 포장
카세트 포장 하나에 25개입 또는 낱개 포장.
목 6인치 C-평면(0001) 1300μm 사파이어 웨이퍼
결정 재료 99.999% 고순도 단결정 Al2O3
등급 프라임, 에피레디
표면 방향 C-평면(0001)
C면이 M축 방향으로 0.2 +/- 0.1° 기울어진 각도
지름 150.0mm +/- 0.2mm
두께 1300 μm +/- 25 μm
기본 평면 방향 A 평면(11-20) +/- 0.2°
기본 평면 길이 47.0mm +/- 1.0mm
한쪽 면 광택 처리 전면 표면 연마 처리, Ra < 0.2 nm (AFM 측정)
(SSP) 뒷면 미세 연마, Ra = 0.8 μm ~ 1.2 μm
양면 광택 처리 전면 표면 연마 처리, Ra < 0.2 nm (AFM 측정)
(DSP) 뒷면 표면 연마 처리, Ra < 0.2 nm (AFM 측정)
티비 < 25 μm
절하다 < 25 μm
경사 < 25 μm
청소/포장 클래스 100 클린룸 세척 및 진공 포장
카세트 포장 하나에 25개입 또는 낱개 포장.
목 8인치 C-평면(0001) 1300μm 사파이어 웨이퍼
결정 재료 99.999% 고순도 단결정 Al2O3
등급 프라임, 에피레디
표면 방향 C-평면(0001)
C면이 M축 방향으로 0.2 +/- 0.1° 기울어진 각도
지름 200.0mm +/- 0.2mm
두께 1300 μm +/- 25 μm
한쪽 면 광택 처리 전면 표면 연마 처리, Ra < 0.2 nm (AFM 측정)
(SSP) 뒷면 미세 연마, Ra = 0.8 μm ~ 1.2 μm
양면 광택 처리 전면 표면 연마 처리, Ra < 0.2 nm (AFM 측정)
(DSP) 뒷면 표면 연마 처리, Ra < 0.2 nm (AFM 측정)
티비 < 30 μm
절하다 < 30 μm
경사 < 30 μm
청소/포장 클래스 100 클린룸 세척 및 진공 포장
낱개 포장.

 

목 12인치 C-평면(0001) 1300μm 사파이어 웨이퍼
결정 재료 99.999% 고순도 단결정 Al2O3
등급 프라임, 에피레디
표면 방향 C-평면(0001)
C면이 M축 방향으로 0.2 +/- 0.1° 기울어진 각도
지름 300.0mm +/- 0.2mm
두께 3000 μm +/- 25 μm
한쪽 면 광택 처리 전면 표면 연마 처리, Ra < 0.2 nm (AFM 측정)
(SSP) 뒷면 미세 연마, Ra = 0.8 μm ~ 1.2 μm
양면 광택 처리 전면 표면 연마 처리, Ra < 0.2 nm (AFM 측정)
(DSP) 뒷면 표면 연마 처리, Ra < 0.2 nm (AFM 측정)
티비 < 30 μm
절하다 < 30 μm
경사 < 30 μm

 

사파이어 웨이퍼 생산 공정

  1. 결정 성장

    • 전용 결정 성장로에서 키로풀로스(KY) 방법을 사용하여 사파이어 결정 덩어리(100~400kg)를 성장시킵니다.

  2. 주괴 드릴링 및 성형

    • 드릴 배럴을 사용하여 덩어리를 직경 2~6인치, 길이 50~200mm의 원통형 덩어리로 가공합니다.

  3. 첫 번째 어닐링

    • 주괴에 결함이 있는지 검사하고 내부 응력을 완화하기 위해 1차 고온 어닐링을 수행합니다.

  4. 결정 방향

    • 방향 측정 장비를 사용하여 사파이어 잉곳의 정확한 방향(예: C면, A면, R면)을 확인합니다.

  5. 멀티와이어 톱 절단

    • 다중 와이어 절단 장비를 사용하여 필요한 두께에 따라 잉곳을 얇은 웨이퍼로 자릅니다.

  6. 초기 검사 및 2차 열처리

    • 절단된 웨이퍼의 두께, 평탄도, 표면 결함 등을 검사합니다.

    • 결정 품질을 더욱 향상시키려면 필요에 따라 어닐링 공정을 다시 수행하십시오.

  7. 모따기, 연삭 및 CMP 연마

    • 특수 장비를 사용하여 모따기, 표면 연삭 및 화학 기계적 연마(CMP)를 수행하여 거울처럼 매끄러운 표면을 얻습니다.

  8. 청소

    • 클린룸 환경에서 초순수와 화학 약품을 사용하여 웨이퍼를 철저히 세척하여 입자와 오염 물질을 제거합니다.

  9. 광학 및 물리적 검사

    • 투과율 검출을 수행하고 광학 데이터를 기록합니다.

    • 웨이퍼의 총 두께 변화(TTV), 휨, 뒤틀림, 방향 정확도 및 표면 거칠기를 포함한 웨이퍼 매개변수를 측정합니다.

  10. 코팅 (선택 사항)

  • 고객 사양에 따라 코팅(예: AR 코팅, 보호층)을 적용합니다.

  1. 최종 검사 및 포장

  • 클린룸에서 100% 품질 검사를 실시하십시오.

  • 웨이퍼를 클래스 100 청정 환경에서 카세트 박스에 포장하고 진공 밀봉한 후 출하하십시오.

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사파이어 웨이퍼의 응용 분야

사파이어 웨이퍼는 탁월한 경도, 우수한 광 투과율, 뛰어난 열 성능 및 전기 절연성을 바탕으로 다양한 산업 분야에 널리 활용되고 있습니다. 기존의 LED 및 광전자 산업뿐만 아니라 반도체, 가전제품, 첨단 항공우주 및 방위 산업 분야까지 응용 범위가 확대되고 있습니다.

1. 반도체 및 광전자공학

LED 기판
사파이어 웨이퍼는 청색 LED, 백색 LED 및 미니/마이크로 LED 기술에 널리 사용되는 질화갈륨(GaN) 에피택셜 성장의 주요 기판입니다.

레이저 다이오드(LD)
GaN 기반 레이저 다이오드의 기판으로 사용되는 사파이어 웨이퍼는 고출력, 장수명 레이저 장치 개발을 지원합니다.

광검출기
자외선 및 적외선 광검출기에서 사파이어 웨이퍼는 투명 창 및 절연 기판으로 자주 사용됩니다.

2. 반도체 소자

RFIC(무선 주파수 집적 회로)
사파이어 웨이퍼는 뛰어난 전기 절연성 덕분에 고주파 및 고출력 마이크로파 장치에 이상적인 기판입니다.

실리콘 온 사파이어(SoS) 기술
SoS 기술을 적용하면 기생 정전 용량을 크게 줄여 회로 성능을 향상시킬 수 있습니다. 이 기술은 RF 통신 및 항공우주 전자 분야에서 널리 사용됩니다.

3. 광학적 응용

적외선 광학 창
사파이어는 200nm~5000nm 파장 범위에서 높은 투과율을 가지고 있어 적외선 탐지기 및 적외선 유도 시스템에 널리 사용됩니다.

고출력 레이저 윈도우
사파이어는 경도와 내열성이 뛰어나 고출력 레이저 시스템의 보호창 및 렌즈에 매우 적합한 소재입니다.

4. 소비자 가전제품

카메라 렌즈 커버
사파이어의 높은 경도는 스마트폰과 카메라 렌즈에 긁힘 방지 기능을 제공합니다.

지문 센서
사파이어 웨이퍼는 지문 인식의 정확성과 신뢰성을 향상시키는 내구성이 뛰어나고 투명한 덮개 역할을 할 수 있습니다.

스마트워치와 프리미엄 디스플레이
사파이어 스크린은 긁힘 방지 기능과 뛰어난 광학적 선명도를 결합하여 고급 전자 제품에 널리 사용됩니다.

5. 항공우주 및 방위산업

미사일 적외선 돔
사파이어 창은 고온, 고속 조건에서도 투명도와 안정성을 유지합니다.

항공우주 광학 시스템
이 소재들은 극한 환경에 맞춰 설계된 고강도 광학 창 및 관측 장비에 사용됩니다.

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기타 일반적인 사파이어 제품

광학 제품

  • 사파이어 광학 창

    • 레이저, 분광기, 적외선 영상 시스템 및 센서 창에 사용됩니다.

    • 전송 범위:자외선 150nm ~ 중적외선 5.5μm.

  • 사파이어 렌즈

    • 고출력 레이저 시스템 및 항공우주 광학 분야에 적용됩니다.

    • 볼록 렌즈, 오목 렌즈 또는 원통형 렌즈로 제작할 수 있습니다.

  • 사파이어 프리즘

    • 광학 측정 기기 및 정밀 영상 시스템에 사용됩니다.

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항공우주 및 방위산업

  • 사파이어 돔

    • 미사일, 무인 항공기 및 항공기의 적외선 탐색기를 보호합니다.

  • 사파이어 보호 커버

    • 고속 기류의 충격과 가혹한 환경을 견딜 수 있습니다.

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제품 포장

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신커후이에 대하여

상하이 신커후이 신소재 유한회사는 다음과 같은 기업 중 하나입니다.중국 최대 광학 및 반도체 공급업체2002년에 설립된 XKH는 학술 연구자들에게 웨이퍼 및 기타 반도체 관련 과학 재료와 서비스를 제공하기 위해 설립되었습니다. 반도체 재료가 당사의 핵심 사업이며, 기술력을 기반으로 한 팀을 보유하고 있습니다. XKH는 설립 이후 첨단 전자 재료, 특히 다양한 웨이퍼/기판 분야의 연구 개발에 깊이 관여해 왔습니다.

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파트너

상하이 즈밍신은 탁월한 반도체 소재 기술력을 바탕으로 세계 유수의 기업 및 유명 학술 기관의 신뢰받는 파트너로 자리매김했습니다. 혁신과 탁월함을 향한 끊임없는 노력으로 쇼트 글래스, 코닝, 서울반도체 등 업계 선두 기업들과 긴밀한 협력 관계를 구축해 왔습니다. 이러한 협력은 자사 제품의 기술 수준을 향상시켰을 뿐만 아니라 전력 전자, 광전자 소자, 반도체 소자 분야의 기술 발전을 촉진해 왔습니다.

지밍신은 유명 기업들과의 협력 외에도 하버드 대학교, 유니버시티 칼리지 런던(UCL), 휴스턴 대학교 등 세계 유수의 대학들과 장기적인 연구 협력 관계를 구축해 왔습니다. 이러한 협력을 통해 지밍신은 학계의 과학 연구 프로젝트에 기술 지원을 제공할 뿐만 아니라 신소재 개발 및 기술 혁신에도 참여하여 반도체 산업의 최전선에 서고 있습니다.

상하이 즈밍신은 세계적으로 유명한 기업 및 학술 기관과의 긴밀한 협력을 통해 기술 혁신과 개발을 지속적으로 추진하고 있으며, 세계 시장의 증가하는 요구를 충족하기 위해 세계적 수준의 제품과 솔루션을 제공하고 있습니다.

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